加入星計(jì)劃,您可以享受以下權(quán)益:

  • 創(chuàng)作內(nèi)容快速變現(xiàn)
  • 行業(yè)影響力擴(kuò)散
  • 作品版權(quán)保護(hù)
  • 300W+ 專業(yè)用戶
  • 1.5W+ 優(yōu)質(zhì)創(chuàng)作者
  • 5000+ 長期合作伙伴
立即加入

PECVD

加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論

PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) 是指 等離子體增強(qiáng)化學(xué)的氣相沉積法。是生產(chǎn)人造鉆石的一種工藝,這種方法有很多優(yōu)點(diǎn),比如顏色等級(jí)高,成膜質(zhì)量好等。

PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) 是指 等離子體增強(qiáng)化學(xué)的氣相沉積法。是生產(chǎn)人造鉆石的一種工藝,這種方法有很多優(yōu)點(diǎn),比如顏色等級(jí)高,成膜質(zhì)量好等。收起

查看更多
  • 先進(jìn)邏輯和3D存儲(chǔ)的希望,PECVD、晶圓鍵合龍頭——拓荊科技
    先進(jìn)邏輯和3D存儲(chǔ)的希望,PECVD、晶圓鍵合龍頭——拓荊科技
    隨著集成電路制造不斷向更先進(jìn)工藝發(fā)展,單位面積集成的電路規(guī)模不斷擴(kuò)大, 芯片內(nèi)部立體結(jié)構(gòu)日趨復(fù)雜,所需要的薄膜層數(shù)越來越多,對(duì)絕緣介質(zhì)薄膜、導(dǎo)電金屬薄膜的材料種類和性能參數(shù)不斷提出新的要求。在 90nm CMOS 工藝,大約需要 40 道薄膜沉積工序。在 3nmFinFET 工藝產(chǎn)線,需要超過 100 道薄膜沉積工序,涉及的薄膜材料由 6 種增加到近 20 種,對(duì)于薄膜顆粒的要求也由微米級(jí)提高到納
    3800
    12/10 09:18
  • PECVD制取SiO2需要什么氣體?
    PECVD制取SiO2需要什么氣體?
    學(xué)員問:麻煩介紹下PECVD制取SiO2薄膜的工藝注意事項(xiàng)?要制備SiO2,需要有硅源與氧源。硅源我們這里以硅烷為例,氧氣源可以是 O?、N?O、NO 或 CO?反應(yīng)方程式為:
    852
    11/26 08:40
  • PECVD的噴淋頭有什么作用?
    PECVD的噴淋頭有什么作用?
    學(xué)員問:PECVD中的shower head有什么作用?shower head是什么東西?如上圖,Showerhead,又可翻譯為噴淋頭,花灑等,Showerhead通常緊貼反應(yīng)區(qū)的上部,并作為氣體入口,將反應(yīng)氣體通過其表面的小孔均勻地注入到腔體內(nèi)。當(dāng)然并不是僅僅只有氣體分布的功能,有的設(shè)計(jì)好可以用來充當(dāng)電極的一部分。
    1583
    11/01 16:39
  • 如果PECVD反應(yīng)器中的等離子體無法穩(wěn)定,如何排查問題
    等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)是一種常用的薄膜生長技術(shù),其核心是產(chǎn)生并利用等離子體對(duì)反應(yīng)物質(zhì)進(jìn)行激活和沉積。然而,有時(shí)候在PECVD反應(yīng)器中,等離子體可能會(huì)出現(xiàn)不穩(wěn)定的情況,導(dǎo)致薄膜的質(zhì)量和均勻性下降。本文將詳細(xì)探討如何排查PECVD反應(yīng)器中等離子體不穩(wěn)定的問題及解決方法。
    1847
    08/20 09:51
  • 如何解決PECVD中出現(xiàn)的薄膜不均勻或缺陷問題
    等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)是一種常用的薄膜沉積技術(shù),廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電子、涂層和功能性薄膜制備領(lǐng)域。然而,在PECVD過程中,不均勻的薄膜沉積或薄膜缺陷可能會(huì)影響產(chǎn)品的質(zhì)量和性能。本文將探討如何解決PECVD中出現(xiàn)的薄膜不均勻或缺陷問題,以提高產(chǎn)品的質(zhì)量和工藝穩(wěn)定性。
    4630
    08/19 09:37
  • 在PECVD工藝中,如何優(yōu)化等離子體功率和頻率以提高薄膜質(zhì)量
    等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,簡稱PECVD)是一種重要的薄膜生長技術(shù),廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電子、涂層等領(lǐng)域。在PECVD工藝中,優(yōu)化等離子體功率和頻率是關(guān)鍵控制因素,直接影響著薄膜的成分、結(jié)構(gòu)和性能。
    2766
    08/16 13:51
  • 等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)中等離子體的作用有哪些
    等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)是一種常用的薄膜制備技術(shù),通過在等離子體條件下進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),在固體襯底表面形成均勻、致密、具有良好性能的薄膜。等離子體在PECVD過程中起著關(guān)鍵作用,通過激活氣體分子和表面反應(yīng),影響薄膜的生長速率、結(jié)構(gòu)和性質(zhì)。
  • 什么是PECVD?與常規(guī)CVD相比,它的優(yōu)勢是什么
    PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition)是一種利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技朝制備具有特定性能的薄膜的過程。與傳統(tǒng)的CVD(Chemical Vapor Deposition)相比,PECVD在沉積薄膜時(shí)采用了等離子體激活氣體,從而提供了更多的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域。
    3337
    08/16 11:45

正在努力加載...