PECVD制取SiO2需要什么氣體？

知識星球（星球名：芯片制造與封測技術(shù)社區(qū)，星球號：63559049）里的學(xué)員問：麻煩介紹下PECVD制取SiO2薄膜的工藝注意事項(xiàng)

PECVD制備氧化硅的反應(yīng)方程式

要制備SiO2，需要有硅源與氧源。硅源我們這里以硅烷為例，氧氣源可以是 O?、N?O、NO 或 CO?反應(yīng)方程式為：

SiH? + 4 N?O → SiO? + 2 H? + 4 N?SiH? + O? → SiO? + 2 H?注：用氧氣作為氧源，反應(yīng)速度非常快，可以在室溫下發(fā)生，會導(dǎo)致顆粒生成，需要避免二者直接接觸。因此常用N?O代替O2.

影響沉積速率和薄膜質(zhì)量的因素

硅烷濃度：直接影響沉積速率。SiH? 與 N?O 比例：決定薄膜的折射率與應(yīng)力

硅烷與氧的比例對薄膜的影響

氧過量：生成含有羥基（OH）的 SiO? 和水分（H?O），會導(dǎo)致薄膜質(zhì)量下降或應(yīng)力較大。

方程式：SiH4 ? +氧源? ??SiO2 :(OH)+nH2O

氧平衡：生成高純度的 SiO? ，沉積薄膜質(zhì)量最佳。

方程式：SiH4+氧源?SiO2+2H2

氧不足：生成 SiO? 含氫化合物，薄膜中存在更多氫含量，導(dǎo)致折射率和應(yīng)力改變。

方程式：SiH4+氧源?SiO2:H+nH2

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