PECVD

• 先進(jìn)邏輯和3D存儲(chǔ)的希望，PECVD、晶圓鍵合龍頭——拓荊科技
  

  隨著集成電路制造不斷向更先進(jìn)工藝發(fā)展，單位面積集成的電路規(guī)模不斷擴(kuò)大， 芯片內(nèi)部立體結(jié)構(gòu)日趨復(fù)雜，所需要的薄膜層數(shù)越來(lái)越多，對(duì)絕緣介質(zhì)薄膜、導(dǎo)電金屬薄膜的材料種類(lèi)和性能參數(shù)不斷提出新的要求。在 90nm CMOS 工藝，大約需要 40 道薄膜沉積工序。在 3nmFinFET 工藝產(chǎn)線，需要超過(guò) 100 道薄膜沉積工序，涉及的薄膜材料由 6 種增加到近 20 種，對(duì)于薄膜顆粒的要求也由微米級(jí)提高到納

  王兵

  3800

  12/10 09:18

  與非研究院 CVD
• PECVD制取SiO2需要什么氣體？
  

  學(xué)員問(wèn)：麻煩介紹下PECVD制取SiO2薄膜的工藝注意事項(xiàng)？要制備SiO2，需要有硅源與氧源。硅源我們這里以硅烷為例，氧氣源可以是 O?、N?O、NO 或 CO?反應(yīng)方程式為：

  TOM聊芯片智造

  852

  11/26 08:40

  PECVD

正在努力加載...