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動態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是一種半導體存儲器,主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象,導致電容上所存儲的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù),而導致數(shù)據(jù)毀損。因此對于DRAM來說,周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時刷新的特性,因此被稱為“動態(tài)”存儲器。相對來說,靜態(tài)存儲器(SRAM)只要存入數(shù)據(jù)后,縱使不刷新也不會丟失記憶。

動態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是一種半導體存儲器,主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象,導致電容上所存儲的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù),而導致數(shù)據(jù)毀損。因此對于DRAM來說,周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時刷新的特性,因此被稱為“動態(tài)”存儲器。相對來說,靜態(tài)存儲器(SRAM)只要存入數(shù)據(jù)后,縱使不刷新也不會丟失記憶。收起

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    根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查,2024年第三季DRAM(內(nèi)存)產(chǎn)業(yè)營收為260.2億美元,季增13.6%。受到大陸手機制造商去化庫存及部分DRAM供應商擴產(chǎn)影響,盡管前三大DRAM原廠LPDDR4及DDR4出貨量下降,但供應數(shù)據(jù)中心的DDR5及HBM(高帶寬內(nèi)存)需求上升。
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