存儲大廠獲數(shù)百億補(bǔ)貼擴(kuò)產(chǎn)尖端DRAM，最新市況如何？

近日美光表示獲得美國61.65億美元（約為人民幣450億元）的直接資金資助，計(jì)劃用于加強(qiáng)尖端DRAM供應(yīng)能力。兩個(gè)月時(shí)間里，美國芯片法案補(bǔ)貼計(jì)劃已公布9家。另外近日存儲市場動態(tài)頻頻，三星、Marvell、鎧俠等相繼披露了最新進(jìn)展。

存儲大廠獲美補(bǔ)貼61.65億美元，加強(qiáng)尖端DRAM供應(yīng)能力

12月10日，美國宣布，美國商務(wù)部根據(jù)《芯片與科學(xué)法案》激勵(lì)計(jì)劃，向美國存儲芯片大廠美光科技提供高達(dá)61.65億美元的直接資金資助，以支持美光科技未來20年內(nèi)在紐約州投資1000億美元和在愛達(dá)荷州投資250億美元的產(chǎn)能建設(shè)計(jì)劃，并將幫助其在先進(jìn)存儲制造領(lǐng)域的份額從目前的不到2%提高到2035年的約10%。據(jù)悉，商務(wù)部將根據(jù)美光項(xiàng)目里程碑的完成情況發(fā)放資金。此外，美國還宣布，商務(wù)部已與美光科技簽署了一份不具約束力的初步條款備忘錄 (PMT)，擬撥款高達(dá)2.75億美元，用于支持美光擴(kuò)建和現(xiàn)代化位于弗吉尼亞州馬納薩斯的工廠。

美國商務(wù)部表示，這項(xiàng)投資將通過加強(qiáng)國內(nèi)尖端DRAM芯片的可靠供應(yīng)，來幫助增強(qiáng)美國經(jīng)濟(jì)的韌性，上述國內(nèi)尖端DRAM芯片是個(gè)人計(jì)算、工業(yè)、高性能計(jì)算、汽車、工業(yè)、無線通信和人工智能等先進(jìn)技術(shù)的重要組成部分。另外美光的DRAM芯片還為該公司的高性能內(nèi)存（HBM）提供動力，這對于實(shí)現(xiàn)新的AI模型至關(guān)重要。利用這筆資金，美光計(jì)劃在紐約和愛達(dá)荷州擴(kuò)大最先進(jìn)內(nèi)存半導(dǎo)體技術(shù)的開發(fā)和生產(chǎn)，并承諾在2030年前投入約500億美元。

廠房建設(shè)的進(jìn)一步細(xì)節(jié)也隨之披露，擬議項(xiàng)目將包括把美光的1-alpha技術(shù)引入其馬納薩斯工廠，并顯著提高每月晶圓產(chǎn)量。公開資料顯示，美光的1-alpha節(jié)點(diǎn)是一種先進(jìn)的DRAM工藝技術(shù)，在位密度、功率效率和性能方面都有顯著的改進(jìn)。

除美光外，據(jù)全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計(jì)，美國政府在近兩個(gè)月內(nèi)接連宣布了多項(xiàng)芯片補(bǔ)貼計(jì)劃，涉及企業(yè)包括Coherent、Skywater Technology Foundry、X-Fab、Absolics、Entegris、英特爾、格芯、臺積電等。

存儲市場加速迭代，產(chǎn)業(yè)鏈加快調(diào)整適配明年新發(fā)展

另外，近期三星、Marvell、鎧俠等相繼釋放了最新市場動態(tài)，其中SK海力士新設(shè)AI芯片開發(fā)和量產(chǎn)部門；鎧俠敲定發(fā)行價(jià)，SK海力士有望成為第三大股東；三星實(shí)現(xiàn)閃存技術(shù)革新，或計(jì)劃明年增加先進(jìn)存儲產(chǎn)量；Marvell則推出定制HBM計(jì)算架構(gòu)。

鎧俠敲定發(fā)行價(jià)

鎧俠將在12月18日于東京證券交易所IPO上市，12月9日，鎧俠宣布，IPO每股發(fā)行價(jià)確定為1455日元。鎧俠在11月22日獲得東證上市許可時(shí)、所設(shè)定的預(yù)估發(fā)行價(jià)為1390日元，在根據(jù)投資人需求以及當(dāng)前的市場環(huán)境后，將發(fā)行價(jià)提高至1455日元。

根據(jù)鎧俠向金融廳提交的資料顯示，在鎧俠上市后，其大股東美國投資基金貝恩資本將出售1265萬1200股鎧俠股票、股票出售數(shù)較11月22日公布的數(shù)量(1444萬7400股)減少12%。原先貝恩資本對鎧俠的出資比重預(yù)估將從現(xiàn)行的56%降至51%，但因貝恩資本縮減出售數(shù)、預(yù)估將降至52%；東芝也將出售3772萬8900股、出資比重將從41%降至32%。

Marvell推出定制HBM計(jì)算架構(gòu)

12月10日，Marvell宣布推出一種新的定制HBM計(jì)算架構(gòu)，使XPU能夠?qū)崿F(xiàn)更高的計(jì)算和內(nèi)存密度，提高其定制XPU的性能、效率和TCO。Marvell正與云客戶和領(lǐng)先的HBM制造商美光、三星電子和SK海力士合作，為下一代XPU定義和開發(fā)定制HBM解決方案。

據(jù)悉，Marvell定制的HBM計(jì)算架構(gòu)通過其獨(dú)特的HBM I/O接口設(shè)計(jì)，與標(biāo)準(zhǔn)HBM接口相比，可提高性能并將接口功耗降低高達(dá)70%。該架構(gòu)還將傳統(tǒng)的HBM支持電路從XPU邊緣轉(zhuǎn)移至HBM堆棧底部的基礎(chǔ)裸片上，這一改變使得XPU芯片能夠節(jié)省出最多25%的面積，用于計(jì)算能力的進(jìn)一步擴(kuò)展；另外，單一XPU所能連接的HBM堆棧數(shù)量也實(shí)現(xiàn)了最高33%的增長。這些改進(jìn)提高了XPU的性能和能效，同時(shí)降低了云運(yùn)營商的總擁有成本。

三星完成400層NAND技術(shù)研發(fā)，或計(jì)劃明年增加先進(jìn)存儲產(chǎn)量

據(jù)韓媒報(bào)道，近期半導(dǎo)體存儲大廠三星已完成400層NAND技術(shù)研發(fā)，并已于上月開始將這項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)轉(zhuǎn)移到平澤園區(qū)一號工廠的大規(guī)模生產(chǎn)線上。據(jù)悉，三星計(jì)劃于明年2月披露其1Tb容量400層堆疊TLC NAND Flash快閃存儲器。至于量產(chǎn)時(shí)間則落在明年下半年開始。不過，有業(yè)內(nèi)人士指出，如果加快生產(chǎn)速度，可能在第二季度末就開始量產(chǎn)。

值得注意的是，三星為400層NAND引入了“三層堆疊”技術(shù)。報(bào)道稱，三星400層NAND Flash快閃存儲器的成功研發(fā)，代表著NAND閃存技術(shù)的重大飛躍，該技術(shù)涉及將存儲單元堆疊在三層，也標(biāo)志著三星電子在該領(lǐng)域的重大進(jìn)步。

除了技術(shù)研發(fā)取得重大進(jìn)展外，三星電子還計(jì)劃在2025年增加其先進(jìn)存儲器產(chǎn)品線的產(chǎn)量。包括在平澤園區(qū)安裝新第9代（286層堆疊）的NAND Flash快閃存儲器生產(chǎn)設(shè)施，月產(chǎn)能為3萬-4萬片晶圓。此外，三星還計(jì)劃在中國西安工廠，繼續(xù)將128層堆疊（V6）NAND Flash快閃存儲器生產(chǎn)線，轉(zhuǎn)換為236層堆疊（V8）NAND Flash快閃存儲器產(chǎn)品制程。

SK海力士新設(shè)AI芯片開發(fā)和量產(chǎn)部門

12月5日，SK海力士宣布完成2025年的高管任命和組織架構(gòu)優(yōu)化。本次調(diào)整任命了1位總裁、33位新高管及2位研究員。為提升決策效率，該公司推行“C-Level”管理體系，依據(jù)核心職能分工明確責(zé)任與權(quán)限，業(yè)務(wù)單元被劃分為包括AI基礎(chǔ)設(shè)施（CMO）、未來技術(shù)研究院（CTO）、研發(fā)（CDO）和生產(chǎn)（CPO）在內(nèi)的五大部門。

據(jù)介紹，新設(shè)的AI芯片開發(fā)部門整合了DRAM、NAND和解決方案的開發(fā)能力，著眼于下一代 AI 內(nèi)存等未來技術(shù)，旨在促進(jìn)公司整體的技術(shù)協(xié)同。新設(shè)的量產(chǎn)部門將統(tǒng)籌前端與后端內(nèi)存生產(chǎn)，以推動技術(shù)工藝協(xié)同，并支持包括龍仁半導(dǎo)體集群在內(nèi)的新工廠建設(shè)。公司還加強(qiáng)了全球事務(wù)團(tuán)隊(duì)，新增多名外交和貿(mào)易領(lǐng)域的專家，以應(yīng)對地緣政治形勢和全球主要半導(dǎo)體政策。