產(chǎn)業(yè)丨帶寬需求在提升，存儲市場近年還能復蘇嗎？

作者 | 方文三

進入2023年，全球半導體行業(yè)的發(fā)展速度放緩，并在9月首次出現(xiàn)了負增長。這一負增長的趨勢至今仍未得到扭轉(zhuǎn)。

然而，從周期位置的角度來看，半導體行業(yè)目前仍然處于周期的底部。

AIGC應(yīng)用催生存儲市場新空間

AIGC應(yīng)用對服務(wù)器資源的需求也賦予存儲行業(yè)新的發(fā)展信心，算力需求從云端向端側(cè)轉(zhuǎn)移，對帶寬也會提出新的挑戰(zhàn)。

2023年第二季度，DRAM產(chǎn)業(yè)營收環(huán)比增幅高達20.4%，達到114.3億美元，終結(jié)了連續(xù)三個季度的下跌趨勢。

海力士作為HBM產(chǎn)品領(lǐng)域的領(lǐng)導者，不斷推動HBM產(chǎn)品的升級迭代。

此外，三星電子和SK海力士正在積極加速推動12層HBM內(nèi)存的生產(chǎn)，而美光HBM3Gen2將于2024年初量產(chǎn)。

TrendForce預測，2022-2026年期間，AI服務(wù)器出貨量復合增長率為22%，預計2023年出貨量達到118.3萬臺，占整體服務(wù)器出貨量約9%。

AI服務(wù)器的算力需求需要先進制程、大容量規(guī)格的存儲產(chǎn)品，包括DDR5、HBM以及大容量SSD。

根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，AI服務(wù)器對DRAM內(nèi)存的需求量為1. 2—1.7TB，SSD內(nèi)存的需求量為4.1TB，HBM容量需求為320—640GB。

目前AI服務(wù)器成長需求較為強勁，預估2023年AI服務(wù)器出貨量近120萬臺，年增率近38%，AI服務(wù)器的大幅增長有望帶來價值增量。

汽車存儲市場出現(xiàn)增長因素

汽車存儲市場發(fā)展迅速，主要以智能座艙和ADAS&AD為主。

根據(jù)預測，從2021年到2027年，汽車存儲市場的年均復合增長率將達到20%，這一增速超過了同期存儲器市場和汽車半導體市場的增速。

預計到2027年，智能座艙仍將是存儲領(lǐng)域的最大消費者。然而，ADAS&AD的收入份額將增加至36%。

在技術(shù)方面，DRAM和NAND將占汽車內(nèi)存收入的90%左右。

車載市場目前主要的存儲應(yīng)用包括DRAM（DDR、LPDDR）和NAND（eMMC和UFS等）。其中，低功耗的LPDDR和NAND將成為主要增長點。

云計算資本開支增長創(chuàng)新高

2022年全球云計算資本開支同比增長19.6%至1580.6億美元。

根據(jù)FactSet與彭博一致預期，2023/2024年全球云計算資本開支預計分別同比增長3.3%/11.0%。

國內(nèi)市場方面，根據(jù)我們對百度、阿里巴巴、騰訊財報的梳理，受BAT降本增效戰(zhàn)略影響，2022年國內(nèi)云計算資本開支同比下降29.25%至90.52億美元；

隨著中國AIGC領(lǐng)域的快速發(fā)展，預計后續(xù)BAT公司的資本開支將有望企穩(wěn)回升。

根據(jù)預測，2023年和2024年國內(nèi)云計算資本開支將同比增長8%和10%，達到97.7億美元和107.5億美元。

NAND長期前景好壞參半

DRAM市場復蘇較之NAND Flash市場更早的原因主要包括以下幾點：

①DRAM市場的生產(chǎn)調(diào)整更為劇烈，前期減產(chǎn)幅度較大，這為市場復蘇奠定了基礎(chǔ)；

②DRAM在智能手機等終端應(yīng)用領(lǐng)域的需求表現(xiàn)較為穩(wěn)定，其需求剛性較大，這一因素也在一定程度上促成了市場的提前復蘇；

③隨著AI技術(shù)的快速發(fā)展，HBM（高帶寬內(nèi)存）的需求也有所增加，進一步推動了DRAM市場的復蘇。

就NAND市場而言，其長期發(fā)展前景表現(xiàn)為好壞參半。

一方面，新興的大趨勢正在推動數(shù)據(jù)生成以及本地、邊緣和云存儲需求的大幅增長，這將為NAND市場帶來新的發(fā)展機遇。

然而，另一方面，硬盤驅(qū)動器（HDD）正在不斷被基于NAND的固態(tài)驅(qū)動器（SSD）所取代，從而推動了需求的強勁增長，并有可能推動市場達到新的高度。

值得注意的是，該市場存在多家大型供應(yīng)商，且歷史利潤率較低，資本密集度不斷上升。

這些因素為市場競爭帶來了較大的不確定性，使得各家供應(yīng)商難以保證持續(xù)穩(wěn)定的盈利能力。

DRAM依然存在不確定性

庫存仍然是定價方程的重要因素。盡管一些客戶已消耗了庫存、當前內(nèi)存庫存相對正常，但供應(yīng)商在過去幾個季度已采取措施增加庫存以穩(wěn)定價格。

在NAND閃存市場方面，供應(yīng)商經(jīng)過一年的努力才使制造工廠恢復正?；?/p>

目前，減產(chǎn)已促使供應(yīng)商能夠在年底前實現(xiàn)某種市場平衡，并預測價格將開始在預期平衡之前回升。

然而，計算已成為全球經(jīng)濟的重要驅(qū)動力，而DRAM則制約了計算能力。

長期DRAM需求將隨著計算需求的增長而變化，并且在可見的未來，計算需求可能會繼續(xù)強勁增長。

預計未來五年數(shù)據(jù)中心對DRAM的需求將以超過30%的復合年增長率增長，這將導致同期DRAM整體需求每年增長超過20%。

DRAM及NAND價格與產(chǎn)能的變動關(guān)系

野村證券先前預期DRAM/NAND價格在第三季度將下跌10-12%，但現(xiàn)在預計將下跌15%，并預計第四季度再下跌15%（先前預計下跌10-12%）。

野村證券認為，就供需動態(tài)和價格而言，需求彈性和減產(chǎn)是潛在的正面催化劑。

建議關(guān)注存儲器市場的兩個潛在拐點：首先是需求反彈，其次是存儲器市場進一步惡化隨之而來的減產(chǎn)。

野村指出，DRAM第三季度平均銷售單價（ASP）可望增長5-6%，而NAND的價格則變動不大。

雖然DRAM產(chǎn)能利用率下滑造成每單位固定成本上揚，但野村認為DRAM將接近損益平衡點，NAND的獲利則仍有較大的改善空間。

野村預估，到了第四季度，DRAM及NAND價格將增長10-15%，高于原先5-10%的預估值，主要是由于大量減產(chǎn)。

一旦額外減產(chǎn)的效應(yīng)浮現(xiàn)，庫存明顯下滑，平均銷售單價升高，將加速提高存儲廠的獲利能力，并將拉高明年第一季的產(chǎn)能利用率。

此外，AI伺服器需求帶旺高頻寬存儲（HBM），推動DRAM市場復蘇，但也可能造成供給快速成長，2024年下半年起恐將供給過剩。

結(jié)尾：

此外，無論是同比還是環(huán)比，移動手機市場均出現(xiàn)了正向增長。對于營收增長的原因，主要有以下三點：

一是真實需求增長；二是原廠發(fā)出漲價信號后，買方市場需求出現(xiàn)備貨恐慌；三是受地緣的影響，美光科技所提供的某些SKU無法被采用，從而引發(fā)了結(jié)構(gòu)性缺貨現(xiàn)象。

部分資料參考：

東吳證券：《存儲行業(yè)拐點已至》，雷鋒網(wǎng)：《AIGC下半場，存儲市場復蘇蓄勢待發(fā)？》，華泰證券：《底部已過，AI推動行業(yè)進入新周期》，半導體行業(yè)觀察：《存儲，怎么看？》，鈦媒體：《閃存價格觸底反彈，AI需求激增》