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  • 突發(fā)!三星又換HBM封裝負(fù)責(zé)人
    突發(fā)!三星又換HBM封裝負(fù)責(zé)人
    三星電子通過年末人事調(diào)整和組織改編,對(duì)HBM(高帶寬存儲(chǔ)器)制造核心工序封裝(Packaging)組織進(jìn)行了變化,從臺(tái)積電聘請的副社長林俊成下臺(tái),組織名稱也改為“系統(tǒng)封裝實(shí)驗(yàn)室”,繼續(xù)開發(fā)新一代HBM——HBM4封裝技術(shù)。
  • 三星正開發(fā)移動(dòng)HBM,能效提高70%
    三星正開發(fā)移動(dòng)HBM,能效提高70%
    三星電子正致力于下一代半導(dǎo)體市場,重點(diǎn)開發(fā)被稱為DRAM市場新星的“LLW(Low Latency Wide IO)DRAM”。LLW具有數(shù)據(jù)處理速度快、功耗低的特點(diǎn),是比現(xiàn)有低功耗DRAM性能更高的產(chǎn)品。它被認(rèn)為是針對(duì)設(shè)備上人工智能市場的未來技術(shù),因此被稱為“移動(dòng)HBM(高帶寬內(nèi)存)”。
  • 存儲(chǔ)廠商沒有笑出雙十一
    存儲(chǔ)廠商沒有笑出雙十一
    國內(nèi)市場DRAM現(xiàn)貨價(jià)格在整個(gè)11月份持續(xù)走低,尤其是DDR4受到的沖擊尤為嚴(yán)重。相比之下,NAND閃存價(jià)格顯示出穩(wěn)定跡象。業(yè)內(nèi)估計(jì),雙十一期間 DRAM 模組整體銷量與 2023 年同期相比下降約 20%。單位銷量下降 16%,平均售價(jià)下降約 9%。在產(chǎn)品價(jià)格貢獻(xiàn)方面,2024年雙十一期間,SSD的銷售表現(xiàn)已超越DRAM模組。今年雙十一,長江存儲(chǔ)旗下的致態(tài)品牌表現(xiàn)亮眼,在京東實(shí)現(xiàn)了SSD品類交易總額(GMV)和銷量的雙料第一,超過了三星。
  • 外企可在中國封裝HBM2
    外企可在中國封裝HBM2
    美國政府計(jì)劃進(jìn)一步加強(qiáng)對(duì)中國半導(dǎo)體制造設(shè)備出口的限制,該措施預(yù)計(jì)將包括高帶寬存儲(chǔ)器(HBM),引發(fā)人們對(duì)韓國半導(dǎo)體公司受到負(fù)面影響的擔(dān)憂。路透社12月2日(當(dāng)?shù)貢r(shí)間)報(bào)道稱,美國政府計(jì)劃于今日宣布對(duì)140家中國企業(yè)實(shí)施新的出口限制。據(jù)悉,來自日本和荷蘭公司的產(chǎn)品將獲得豁免。
  • 老美繼續(xù)切割對(duì)華芯片行業(yè)聯(lián)系,國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備與零部件何去何從?
    老美繼續(xù)切割對(duì)華芯片行業(yè)聯(lián)系,國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備與零部件何去何從?
    事情大家都知道,老美BIS,再發(fā)新規(guī)則,對(duì)出口條例進(jìn)行大修改,涉及新名單企業(yè),維護(hù)所謂的他們的“國家安全和外交利益”。生效日期為12月2日,許可的合規(guī)要求日為12月31日。目前又新添加了140個(gè)名單企業(yè),包括130個(gè)中國企業(yè),1個(gè)日本企業(yè),1個(gè)新加坡企業(yè),以及8個(gè)韓國企業(yè)。
  • HBM在風(fēng)口,也在浪尖
    HBM在風(fēng)口,也在浪尖
    據(jù)悉,美國商務(wù)部BIS將于本周四(11月28日)“感恩節(jié)假期前”公布限制中國科技發(fā)展的新出口管制措施,預(yù)計(jì)將有約200家中國芯片公司納入貿(mào)易限制名單,無法獲取美國公司的產(chǎn)品。截至發(fā)文,未有出口管制措施發(fā)布。緊接著,另一套限制高帶寬存儲(chǔ)(HBM)出口到中國的規(guī)定,也預(yù)計(jì)在12月間對(duì)外公布。該規(guī)定是更廣泛限制中國人工智能(AI)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的一環(huán)。
  • 研報(bào) | 服務(wù)器DRAM及HBM推升3Q24 DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增13.6%
    研報(bào) | 服務(wù)器DRAM及HBM推升3Q24 DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增13.6%
    根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查,2024年第三季DRAM(內(nèi)存)產(chǎn)業(yè)營收為260.2億美元,季增13.6%。受到大陸手機(jī)制造商去化庫存及部分DRAM供應(yīng)商擴(kuò)產(chǎn)影響,盡管前三大DRAM原廠LPDDR4及DDR4出貨量下降,但供應(yīng)數(shù)據(jù)中心的DDR5及HBM(高帶寬內(nèi)存)需求上升。
  • 傳美國HBM禁令12月6月發(fā)布,明年1月2日生效
    傳美國HBM禁令12月6月發(fā)布,明年1月2日生效
    消息人士向芯片說IC TIME透露,美國商務(wù)部工業(yè)與安全局(BIS)計(jì)劃于12月6日發(fā)布HBM禁令,包含HBM2E、HBM3、HBM3E,2025年1月2日生效。
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    11/26 09:30
    HBM
  • HBM設(shè)備大廠扭虧為盈!
    HBM設(shè)備大廠扭虧為盈!
    韓美半導(dǎo)體的臺(tái)灣子公司去年因半導(dǎo)體行業(yè)狀況惡化而遭受凈虧損,但一年內(nèi)就成功扭虧為盈。分析認(rèn)為,這是本土化策略的結(jié)果,例如招募本地人員、確保銷售網(wǎng)絡(luò)以軟著陸中國臺(tái)灣市場。韓美半導(dǎo)體計(jì)劃通過與中國臺(tái)灣當(dāng)?shù)乜蛻艚⒚芮嘘P(guān)系來加強(qiáng)本地化戰(zhàn)略并增加訂單。
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    11/26 09:25
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