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半導(dǎo)體和電子產(chǎn)業(yè)的詳細(xì)解讀，多維度呈現(xiàn)產(chǎn)業(yè)形態(tài)、發(fā)展脈絡(luò)、企業(yè)生存現(xiàn)狀，機(jī)會(huì)和挑戰(zhàn)，一期一會(huì)，深度呈現(xiàn)。

半導(dǎo)體和電子產(chǎn)業(yè)的詳細(xì)解讀，多維度呈現(xiàn)產(chǎn)業(yè)形態(tài)、發(fā)展脈絡(luò)、企業(yè)生存現(xiàn)狀，機(jī)會(huì)和挑戰(zhàn)，一期一會(huì)，深度呈現(xiàn)。收起

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    EDA故事的起點(diǎn)是在上世紀(jì)70年代，在經(jīng)歷了pre-EDA時(shí)期、EDA 1.0時(shí)期、EDA 2.0時(shí)期，到現(xiàn)在正在探索的EDA3.0 EDAaaS。這幾十年中，伴隨著行業(yè)主流企業(yè)的浮浮沉沉，EDA商業(yè)模式也在發(fā)生轉(zhuǎn)變，但其中不變的是對(duì)關(guān)鍵技術(shù)的深耕，用拳頭產(chǎn)品來(lái)錨定進(jìn)而整合出全流程的平臺(tái)，使得以核心技術(shù)為主的發(fā)展路線至今仍然充滿創(chuàng)新生命力。
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    隨著集成電路制造不斷向更先進(jìn)工藝發(fā)展，單位面積集成的電路規(guī)模不斷擴(kuò)大， 芯片內(nèi)部立體結(jié)構(gòu)日趨復(fù)雜，所需要的薄膜層數(shù)越來(lái)越多，對(duì)絕緣介質(zhì)薄膜、導(dǎo)電金屬薄膜的材料種類和性能參數(shù)不斷提出新的要求。在 90nm CMOS 工藝，大約需要 40 道薄膜沉積工序。在 3nmFinFET 工藝產(chǎn)線，需要超過(guò) 100 道薄膜沉積工序，涉及的薄膜材料由 6 種增加到近 20 種，對(duì)于薄膜顆粒的要求也由微米級(jí)提高到納
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    隨著全球5G、WiFi7等新興通信技術(shù)的普及，射頻行業(yè)迎來(lái)新的發(fā)展機(jī)遇。根據(jù)Gartner的預(yù)測(cè)，全球射頻前端市場(chǎng)規(guī)模到2026年將達(dá)到210億美元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）為8.3%。Yole Development則預(yù)測(cè)2028年全球移動(dòng)終端射頻前端市場(chǎng)將達(dá)到269億美元，年均增長(zhǎng)率約為5.8%。其中，發(fā)射端模組市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)達(dá)122億美元，接收端模組為45億美元，濾波器和功率放大器分別為30
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    前述文章我們對(duì)國(guó)內(nèi)6家存儲(chǔ)企業(yè)的情況進(jìn)行了對(duì)比分析，對(duì)國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)在有了一定的了解。但是國(guó)內(nèi)企業(yè)發(fā)展晚，營(yíng)收和利潤(rùn)相對(duì)國(guó)際大廠來(lái)看還比較弱小；成熟制程占比多，先進(jìn)制程占比少；產(chǎn)品也存在很大的代差，先進(jìn)HBM3和LDDR5面臨較大挑戰(zhàn)。因當(dāng)前面臨各種限制，光刻機(jī)方向還未突破先進(jìn)制程，國(guó)內(nèi)企業(yè)在產(chǎn)品選擇方向上比較偏傳統(tǒng)，且多是海外大廠逐步退出的小眾市場(chǎng)。但是從全球和國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)市場(chǎng)空間來(lái)看，行業(yè)空間比較廣闊
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    在地緣政治挑戰(zhàn)下，國(guó)產(chǎn)CPU如何在先進(jìn)工藝受阻等挑戰(zhàn)下持續(xù)創(chuàng)新是關(guān)注焦點(diǎn)。并且，隨著國(guó)產(chǎn)CPU走入新階段，沖擊高端顯然是必經(jīng)之路。
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    氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)的硅基技術(shù)相比，具有更高的擊穿電場(chǎng)、更低的導(dǎo)通電阻和更高的能量轉(zhuǎn)換效率。它能夠在高頻高壓環(huán)境下穩(wěn)定工作，尤其適合功率器件、射頻器件和快充設(shè)備等領(lǐng)域的應(yīng)用。 根據(jù)行業(yè)預(yù)測(cè)，全球氮化鎵市場(chǎng)將在未來(lái)幾年迎來(lái)高速增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)到2027年市場(chǎng)規(guī)模將突破10億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率保持在30%以上。其廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景包括消費(fèi)電子、5G通信、新能源汽車和數(shù)據(jù)中心等，這使得氮化鎵成為未來(lái)
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    美日荷相繼加大對(duì)華半導(dǎo)體設(shè)備出口限制，國(guó)產(chǎn)替代迫在眉睫。盡管中國(guó)是全球最大半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)，但本土化缺口明顯，2023 年芯片自產(chǎn)率僅 20%、半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率為 35%、高端刻蝕機(jī)等關(guān)鍵領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)化率不足 10%。隨著國(guó)產(chǎn)晶圓廠的逆勢(shì)擴(kuò)張、海外制裁趨緊，本土半導(dǎo)體設(shè)備廠商有望擴(kuò)大份額，預(yù)計(jì)2025年國(guó)產(chǎn)化率將達(dá)50%。 前面文章我們分析了國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備龍頭之一的中微公司，今天我們繼續(xù)深入研究半導(dǎo)體
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