存儲(chǔ)原理、分類、競(jìng)爭(zhēng)格局及市場(chǎng)空間分析

前述文章我們對(duì)國(guó)內(nèi)6家存儲(chǔ)企業(yè)的情況進(jìn)行了對(duì)比分析，對(duì)國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)在有了一定的了解。但是國(guó)內(nèi)企業(yè)發(fā)展晚，營(yíng)收和利潤(rùn)相對(duì)國(guó)際大廠來(lái)看還比較弱小；成熟制程占比多，先進(jìn)制程占比少；產(chǎn)品也存在很大的代差，先進(jìn)HBM3和LDDR5面臨較大挑戰(zhàn)。因當(dāng)前面臨各種限制，光刻機(jī)方向還未突破先進(jìn)制程，國(guó)內(nèi)企業(yè)在產(chǎn)品選擇方向上比較偏傳統(tǒng)，且多是海外大廠逐步退出的小眾市場(chǎng)。但是從全球和國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)市場(chǎng)空間來(lái)看，行業(yè)空間比較廣闊，國(guó)產(chǎn)替代大有可為。

本文對(duì)存儲(chǔ)器主要細(xì)分品類的存儲(chǔ)原理、全球和國(guó)內(nèi)市場(chǎng)空間、下游應(yīng)用市場(chǎng)空間等細(xì)分進(jìn)行了整理，以便大家對(duì)存儲(chǔ)行業(yè)有更深層的認(rèn)識(shí)。

一、存儲(chǔ)器分類

1.1、存儲(chǔ)主要分類

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)主要包括DRAM、NAND Flash和NOR Flash 三種產(chǎn)品，DRAM和NAND Flash構(gòu)成半導(dǎo)體存儲(chǔ)器最主要的組成部分。

圖|存儲(chǔ)主要分類和對(duì)比

來(lái)源：與非研究院整理

其中，DRAM占存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模的比例高達(dá)61%，NAND Flash約占36%左右的市場(chǎng)份額，NOR Flash占據(jù)2%市場(chǎng)份額。

圖|存儲(chǔ)主要分類及占比

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根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院報(bào)告，2022 年，我國(guó)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模約5170 億元，同比下降5.9%，2023年市場(chǎng)規(guī)模約為5400 億元。當(dāng)前新一輪人工智能浪潮爆發(fā)，由AI 服務(wù)器帶來(lái)存儲(chǔ)芯片新的增量需求，有分析師預(yù)測(cè)，2024 年市場(chǎng)規(guī)模將恢復(fù)增長(zhǎng)至5513 億元。

2019-2024中國(guó)存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模/億元

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1.2、利基型存儲(chǔ)市場(chǎng)

2024 年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)總規(guī)模約 1500 億美元，其中，利基型存儲(chǔ)占存儲(chǔ)總市場(chǎng)約 10%。

利基型存儲(chǔ)的三大主要品類為例，NOR Flash 方面，據(jù) Mordor Intelligence 預(yù)測(cè)，2024 年全球市場(chǎng)規(guī)模 26.9 億美元，并預(yù)計(jì) 2029 年增長(zhǎng)至 36 億美元；SLC NAND 方面，2024 年全球市場(chǎng)規(guī)模為 23 億美元；利基型 DRAM 方面，2024 年全球市場(chǎng)規(guī)模約為 95.7 億美元。

據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，三星、SK 海力士及美光將產(chǎn)能切換至 HBM 與 DDR5 產(chǎn)品，并在 2024 年下半年停止供應(yīng)利基型 DRAM。其中三星計(jì)劃在二季度末停產(chǎn) DDR3；海力士已在 2023 年年底將大陸無(wú)錫廠 DDR3 產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn) DDR4；而美光計(jì)劃大幅減少 DDR3 供應(yīng)量。

隨著數(shù)據(jù)中心和 PC 對(duì)標(biāo)準(zhǔn)型 DRAM 容量和帶寬提出更高需求，疊加 AI 手機(jī)、AI PC 概念發(fā)酵，主流存儲(chǔ)廠商將產(chǎn)能大規(guī)模轉(zhuǎn)移至 HBM 和 DDR5 等高性能產(chǎn)品，DDR4 及 DDR3 庫(kù)存水位相對(duì)下降。

國(guó)內(nèi)諸多廠商主要側(cè)重于中小容量存儲(chǔ)產(chǎn)品：SRAM、利基型 DRAM、SLC NAND、NOR Flash、EEPROM 等品類均有國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商切入，在各自市場(chǎng)鋪開產(chǎn)品線。

圖|國(guó)內(nèi)廠商產(chǎn)品線布局

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二、存儲(chǔ)工作原理

2.1、DRAM

DRAM存儲(chǔ)元內(nèi)包含MOS管和電容單元，MOS管是有電壓閾值的電控開關(guān)，達(dá)到一定電壓就會(huì)成為導(dǎo)體，否則就是絕緣體。當(dāng)為MOS管輸入高電平（即電壓達(dá)到閾值），電容內(nèi)保存的電荷就會(huì)往外流，此時(shí)外部如果接收到電信號(hào)，則此時(shí)為“輸出1”；同理，若是此時(shí)外部施加的高電平信號(hào)，則會(huì)讓電荷流進(jìn)存儲(chǔ)元內(nèi)的電容單元，此時(shí)為“輸入1”。

一條字選線產(chǎn)生的同一個(gè)電信號(hào)可以控制8個(gè)存儲(chǔ)單元，每次可以同時(shí)讀出或?qū)懭胍徽写鎯?chǔ)元存儲(chǔ)的二進(jìn)制信息，稱為一個(gè)存儲(chǔ)字。多個(gè)存儲(chǔ)字稱為存儲(chǔ)體。

2.2、NAND Flash

Flash 可按照位線架構(gòu)不同，分為 NAND Flash 和 NOR Flash。NAND 和 NOR Flash 的存儲(chǔ)單元工作原理相同，但排列方式不同。

NAND 型 Flash 各存儲(chǔ)單元之間是串聯(lián)的，全部存儲(chǔ)單元分為若干個(gè)塊，每個(gè)塊又分為若干個(gè)頁(yè)，每個(gè)頁(yè)是 512 字節(jié)。這種串聯(lián)結(jié)構(gòu)決定了 NAND 無(wú)法進(jìn)行位讀取，也就無(wú)法實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)單元的獨(dú)立尋址，因此程序不可以直接在 NAND 中運(yùn)行。NAND 是以頁(yè)為讀取單位和寫入單位，以塊為擦除單位。基本存儲(chǔ)單元的串聯(lián)結(jié)構(gòu)減少了金屬導(dǎo)線占用的面積，因此 NAND 的存儲(chǔ)密度更高，適用于需要大容量存儲(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)合。NAND 的寫入采用 F-N 隧道效應(yīng)方式，效率較高，適用于頻繁擦除/寫入場(chǎng)合。

2.3、NOR Flash

NOR Flash 的結(jié)構(gòu)中每個(gè)存儲(chǔ)單元是并聯(lián)的，可以實(shí)現(xiàn)按位讀取。這種并聯(lián)結(jié)構(gòu)決定了其具有存儲(chǔ)單元可獨(dú)立尋址，因此適合儲(chǔ)存代碼，且程序可以直接在 NOR 中運(yùn)行。存儲(chǔ)單元的并聯(lián)結(jié)構(gòu)還決定了金屬導(dǎo)線占用很大的面積，因此 NOR Flash 的存儲(chǔ)密度較低，無(wú)法適用于需要大容量存儲(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)合。NOR Flash 的寫入采用了熱電子注入方式，效率較低，因此 NOR 寫入速率較低，不適用于頻繁擦除/寫入場(chǎng)合。

三、DRAM

3.1、DRAM分類

根據(jù)產(chǎn)品規(guī)格不同，DRAM 可分為主流 DRAM 和利基型 DRAM。

?利基型DRAM的特點(diǎn)包括?：定制化?：利基型DRAM多為定制化產(chǎn)品，根據(jù)特定應(yīng)用需求設(shè)計(jì)，因此價(jià)格相對(duì)穩(wěn)定。小容量?：通常應(yīng)用于小容量設(shè)備，如游戲機(jī)、機(jī)頂盒等。市場(chǎng)小?：市場(chǎng)規(guī)模較小，競(jìng)爭(zhēng)不如普通型DRAM激烈。

?普通型DRAM的特點(diǎn)包括?：廣泛應(yīng)用?：普通型DRAM應(yīng)用范圍廣泛，市場(chǎng)需求大。價(jià)格波動(dòng)大?：價(jià)格受市場(chǎng)供需影響較大，波動(dòng)較為明顯。

總體而言，利基型DRAM更適合特定應(yīng)用場(chǎng)景，而普通型DRAM則適用于更廣泛的市場(chǎng)需求和更高的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境。

3.2、按技術(shù)及應(yīng)用分類

DRAM 根據(jù)內(nèi)存技術(shù)及應(yīng)用領(lǐng)域，主要?jiǎng)澐譃?DDR、LPDDR、GDDR 和 HBM 系列產(chǎn)品。 其中利基型 DRAM 品類主要集中于 DDR 和 LPDDR。

目前主流 DRAM 產(chǎn)品下游應(yīng)用為數(shù)據(jù)中心、PC、手機(jī)和圖形顯示卡，而利基型產(chǎn)品為 DDR2 及以下產(chǎn)品、4Gb 以下的 DDR3、 8Gb 以下的 DDR4。

從 2009 年發(fā)布的第一代 LPDDR 發(fā)展至 2022 年最新發(fā)布的 LPDDR5X 產(chǎn)品，利基型 LPDDR 主要集中在 LPDDR4 及之前代際的產(chǎn)品，適用于可穿戴/遙控設(shè)備等便攜式產(chǎn)品。 終端客戶多追求成本效益，或產(chǎn)品生命周期較長(zhǎng)。

利基型 DRAM 廠商下游客戶包含主控芯片廠商和模組廠商，終端應(yīng)用涵蓋消費(fèi)電子、通信、物聯(lián)網(wǎng)、工控、車規(guī)等廣泛領(lǐng)域。

當(dāng)主流 DRAM 廠商推出新一代產(chǎn)品時(shí)，存儲(chǔ)容量升級(jí)的同時(shí)售價(jià)也會(huì)更高，而 TV、電子游戲機(jī)等消費(fèi)電子終端產(chǎn)品面臨消費(fèi)者的價(jià)格壓力，會(huì)采用較為便宜但功能符合需求的材料，因此在 DRAM 的選擇上不會(huì)傾向使用最新一代的產(chǎn)品。對(duì)于工控和車規(guī)客戶來(lái)說(shuō)，一些產(chǎn)品的生命周期長(zhǎng)達(dá)十年左右，長(zhǎng)久且穩(wěn)定的 DRAM 供貨是利基型廠商的制勝關(guān)鍵。

3.3、全球DRAM規(guī)模和市場(chǎng)格局

圖|全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模

來(lái)源：與非研究院整理

2024三季度全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模258.50億美元，環(huán)比增長(zhǎng)10.4%，同比增長(zhǎng)96.5%。其中，三星三季度DRAM銷售收入達(dá)102.12億美元，環(huán)比增長(zhǎng)5.4%，市場(chǎng)份額39.5%；SK海力士三季度DRAM銷售收入達(dá)89.76億美元，環(huán)比增長(zhǎng)13.6%，市場(chǎng)份額34.7%；美光三季度（6-8月）DRAM銷售收入達(dá)53.26億美元，環(huán)比增長(zhǎng)13.5%，市場(chǎng)份額20.6%；南亞科技三季度DRAM銷售收入達(dá)2.53億美元，環(huán)比減少17.4%，市場(chǎng)份額1.0%；華邦電子三季度DRAM銷售收入達(dá)1.54億美元，環(huán)比減少8.1%，市場(chǎng)份額0.6%。

圖|2024三季度全球DRAM市場(chǎng)份額占比

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3.4、國(guó)內(nèi)DRAM市場(chǎng)規(guī)模及細(xì)分領(lǐng)域

得益于智能手機(jī)、電腦等消費(fèi)電子設(shè)備的持續(xù)發(fā)展，尤其是高性能智能手機(jī)和電腦的應(yīng)用程序對(duì)內(nèi)存容量的要求日益提高，我國(guó)DRAM需求快速增長(zhǎng)。到目前我國(guó)已是全球最大的DRAM市場(chǎng)，需求占全球三分之一。

據(jù)統(tǒng)計(jì)，2023年我國(guó)DRAM存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模為2580.1億元，其中電腦領(lǐng)域DRAM存儲(chǔ)器規(guī)模為332.1億元，手機(jī)領(lǐng)域DRAM存儲(chǔ)器規(guī)模為997.2億元，服務(wù)器領(lǐng)域DRAM存儲(chǔ)器規(guī)模為387億元，消費(fèi)電子領(lǐng)域DRAM存儲(chǔ)器規(guī)模為241.2億元，顯卡領(lǐng)域DRAM存儲(chǔ)器規(guī)模為191.2億元，其他領(lǐng)域DRAM存儲(chǔ)器規(guī)模為431.4億元。這一組數(shù)據(jù)說(shuō)明，當(dāng)前手機(jī)領(lǐng)域是我國(guó)DRAM主要應(yīng)用領(lǐng)域，占比38.65%。

圖|2023年國(guó)內(nèi)DRAM市場(chǎng)及占比

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3.5、利基 DRAM 市場(chǎng)空間

據(jù) TrendForce 數(shù)據(jù)，2021 年利基型 DRAM 的市場(chǎng)規(guī)模約 90 億美元，在總 DRAM 市場(chǎng)中占比約 9.5%。短期來(lái)看，三大原廠的存貨需要一段時(shí)間出清，臺(tái)灣產(chǎn)商如華邦、南亞科在 DRAM 領(lǐng)域深耕多年，市場(chǎng)份額較高，能夠率先接替三大原廠的市場(chǎng)份額。長(zhǎng)期來(lái)看，國(guó)產(chǎn)廠商的利基型 DRAM 制程逐漸成熟，能夠通過(guò)國(guó)產(chǎn)替代獲得市場(chǎng)份額。

圖|利基型DRAM和非利基型DRAM占比

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四、NAND Flash

4.1、NAND Flash分類

NAND 是目前主流的閃存技術(shù)，屬于非易失性存儲(chǔ)芯片，在計(jì)算機(jī)、服務(wù)器和智能手機(jī)領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。按單位存儲(chǔ)比特?cái)?shù)的不同，NAND 又可細(xì)分為 SLC、MLC、TLC 及 QLC 四種顆粒類型。

根據(jù)產(chǎn)品應(yīng)用劃分，NAND Flash 顆粒廣泛應(yīng)用于固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品（eMMC）、存儲(chǔ)卡（SD 卡）、U 盤中。

第一代SLC（Single-Level Cell）每單元可存儲(chǔ)1比特?cái)?shù)據(jù)(1bit/cell)，性能好、壽命長(zhǎng)，可經(jīng)受10萬(wàn)次編程/擦寫循環(huán)，但容量低、成本高。

第二代MLC（Multi-Level Cell）每單元可存儲(chǔ)2比特?cái)?shù)據(jù)(2bits/cell)，性能、壽命、容量、成各方面比較均衡，可經(jīng)受1萬(wàn)次編程/擦寫循環(huán)。

第三代TLC（Trinary-Level Cell）每單元可存儲(chǔ)3比特?cái)?shù)據(jù)(3bits/cell)，性能、壽命變差，只能經(jīng)受3千次編程/擦寫循環(huán)，但是容量可以做得更大，成本也可以更低，是當(dāng)前最普及的。

TLC又有2D-TLC與3D-TLC兩種，目前市面上以3D-TLC居多。3D-TLC又再細(xì)分為32層3D-TLC、64層3D-TLC、96層3D-TLC以及最新的128層3D-TLC。三星、SK海力士等大廠紛紛向更具競(jìng)爭(zhēng)力的超過(guò)300層、400層堆疊的3D NAND Flash邁進(jìn)

第四代QLC（Quad-Level Cell）每單元可存儲(chǔ)4比特?cái)?shù)據(jù)(4bits/cell)，性能、壽命進(jìn)一步變差，只能經(jīng)受1000次編程/擦寫循環(huán)，但是容量更容易提升，成本也繼續(xù)降低。

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目前在SLC、MLC、TLC、QLC閃存顆粒中，TLC已經(jīng)是主角，QLC是未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。

4.2、全球 NAND FLASH 市場(chǎng)規(guī)模

根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院的數(shù)據(jù)，2023 年全球 NAND FLASH 市場(chǎng)規(guī)模約為 397.6 億美元，預(yù)計(jì) 2024 年達(dá)到 656.1 億美元水平，同比增長(zhǎng) 65%，2019-2024 年期間 CAGR 為 7.4%。

圖|NAND全球市場(chǎng)規(guī)模

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全球 NAND Flash 廠商主要有三星電子、鎧俠、SK 海力士、西部數(shù)據(jù)、美光科技等，行業(yè)集中度較高，競(jìng)爭(zhēng)格局較為穩(wěn)定。

4.3、2024三季度全球規(guī)模和市場(chǎng)格局

據(jù)CFM閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示，2024年三季度全球NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模環(huán)比增長(zhǎng)5.7%至190.21億美元，同比增長(zhǎng)93.9%。DRAM市場(chǎng)規(guī)模環(huán)比增加10.4%至258.5億美元。全球存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模三季度環(huán)比增長(zhǎng)8.3%至448.71億美元。2024年前三季度，全球存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模累計(jì)達(dá)1202.25億美元，同比增長(zhǎng)96.8%。

圖|2024三季度全球NAND Flash銷售額及占比

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三星三季度NAND Flash銷售收入達(dá)62.60億美元，環(huán)比增長(zhǎng)1.9%，市場(chǎng)份額32.9%；SK海力士三季度NAND Flash銷售收入達(dá)36.41億美元，環(huán)比減少1.9%，市場(chǎng)份額19.1%；鎧俠三季度NAND Flash銷售收入達(dá)32.35億美元，環(huán)比增長(zhǎng)17.5%，市場(chǎng)份額17.0%；美光三季度（6-8月）NAND Flash銷售收入達(dá)23.65億美元，環(huán)比增長(zhǎng)14.5%，市場(chǎng)份額12.4%；西部數(shù)據(jù)三季度NAND Flash銷售收入達(dá)18.84億美元，環(huán)比增長(zhǎng)7.0%，市場(chǎng)份額9.9%。

4.4、SLC細(xì)分市場(chǎng)空間

SLC NAND 市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局分散，海外大廠騰出 SLC NAND 市場(chǎng)份額。高堆疊層數(shù)、大容量的 3D NAND 是閃存行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)，未來(lái)三星、海力士、鎧俠、美光等海外存儲(chǔ)芯片巨頭將逐步退出中小容量的 SLC NAND 市場(chǎng)，專注在 3D TLC NAND 和 3D QLC NAND 領(lǐng)域展開角逐，因此全球 SLC NAND 市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)者減員，市場(chǎng)空間將逐漸釋放。

目前國(guó)內(nèi)廠商中，SLC NAND 市場(chǎng)份額以中國(guó)臺(tái)灣的華邦和旺宏為主，并涌現(xiàn)出兆易創(chuàng)新、東芯股份等大陸廠商占據(jù)一定的份額。隨著海外巨頭轉(zhuǎn)戰(zhàn)主流 NAND 市場(chǎng)，國(guó)內(nèi)公司聚焦于中小容量通用型存儲(chǔ)芯片的優(yōu)勢(shì)開始展現(xiàn)，未來(lái)增長(zhǎng)空間可觀。

根據(jù) Gartner 數(shù)據(jù)，在物聯(lián)網(wǎng)、消費(fèi)電子和汽車電子等下游新興應(yīng)用場(chǎng)景不斷豐富的帶動(dòng)下，2019-2024 年 SLC NAND 全球市場(chǎng)規(guī)模 CAGR 達(dá)到 6.8%，2024 年將達(dá)到 23.2 億美元。由于存在不可替代的特性，未來(lái) SLC NAND 將繼續(xù)在全球 NAND 市場(chǎng)中占據(jù)固定份額。

不同于消費(fèi)類產(chǎn)品，5G 通訊設(shè)備需要能實(shí)現(xiàn)高速且穩(wěn)定可靠工作的存儲(chǔ)芯片作為數(shù)據(jù)站點(diǎn)，要適應(yīng)室外環(huán)境溫度的多變以保持不間斷工作，因此中高容量的寬溫 SLC NAND 是一個(gè)理想的解決方案。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院對(duì) 5G 新增基站的預(yù)測(cè)，2024 年 SLC NAND 通信市場(chǎng)規(guī)模為 4591 萬(wàn)美元，預(yù)計(jì) 2025/2026 年達(dá) 6294.2/7757.9 萬(wàn)美元，2022-2026 年 CAGR 達(dá) 57.7%。

根據(jù)美光數(shù)據(jù)，假設(shè) L0/L1/L2/L3/L4/L5 單車的 SLC NAND 容量需求范圍為 8Gb-128Gb。結(jié)合全球汽車銷量及各等級(jí)車滲透率預(yù)測(cè)，2024 年車規(guī) SLC NAND 市場(chǎng)規(guī)模為 4.6 億美元，預(yù)計(jì) 2025/2027 年達(dá) 5.0/3.8 億美元，2022-2027 年 CAGR 達(dá) 8.6%。

五、NOR Flash

NOR Flash 的應(yīng)用范圍很廣，包括手機(jī)，PC，可穿戴電子設(shè)備，以及汽車、安防、工控、基站、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等。由于其產(chǎn)品特性和汽車中很多應(yīng)用場(chǎng)景十分契合，例如中控顯示屏和后視攝像頭等對(duì)響應(yīng)性的需求，以及汽車對(duì)零部件耐高溫的需求，NOR Flash 在車規(guī)閃存中仍處于主導(dǎo)地位。

5.1、NOR Flash市場(chǎng)規(guī)模

中商產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告顯示，2023年全球NOR Flash市場(chǎng)規(guī)模22.54億美元。且預(yù)測(cè)NOR Flash總體市場(chǎng)規(guī)模將在持續(xù)增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)2024年全球NOR Flash市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到26.99億美元，2025年將達(dá)到34.57億美元。

圖|NOR Flash全球市場(chǎng)規(guī)模

來(lái)源：中金企信、與非研究院整理

根據(jù)中金企信預(yù)測(cè)，NOR Flash總體市場(chǎng)規(guī)模將在未來(lái)5年持續(xù)增長(zhǎng)，2024年，全球NOR Flash市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到26.99億美元，同比增長(zhǎng)19.74%，2023-2028年的年均復(fù)合增長(zhǎng)率為9.17%。

據(jù)統(tǒng)計(jì)，截至2022年我國(guó)NOR FLASH產(chǎn)量約為36.61億片，需求量約為37.11億片。

圖|NOR中國(guó)市場(chǎng)規(guī)模

來(lái)源：與非研究院整理

5.2、NOR Flash 應(yīng)用市場(chǎng)

（1）消費(fèi)電子

隨著蘋果推出 AirPods 產(chǎn)品并取消有線耳機(jī)的插口，自 2019 年開始 TWS 耳機(jī)迎來(lái)了爆發(fā)增長(zhǎng)。TWS 耳機(jī)擺脫了連接線的束縛，便攜性大大提升，同時(shí)增加了各類功能（如主動(dòng)降噪、手勢(shì)控制等）。TWS 耳機(jī)一般采用 2Mb-256Mb 容量的 NOR Flash，中高端 TWS 耳機(jī)采用低功耗（主要為 1.8V）NOR Flash。

（2）汽車電子

NOR Flash 在汽車電子中被廣泛應(yīng)用，如 ADAS 系統(tǒng)、車載娛樂(lè)系統(tǒng)、智能駕駛系統(tǒng)及導(dǎo)航系統(tǒng)等。汽車電子對(duì)于 NOR Flash 的容量、壽命和可靠性均有極高的要求。容量方面，汽車電子中所使用的 NOR Flash 主要涵蓋 128Mb～2Gb的存儲(chǔ)范疇。使用壽命達(dá) 10 年以上，工作環(huán)境溫度可達(dá)-40℃～125℃。汽車顯示系統(tǒng)和 ADAS（高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)）是汽車電子中 NOR Flash 應(yīng)用較多的系統(tǒng)。

2023年全球車用NOR Flash市場(chǎng)規(guī)模大約為6.93億美元，預(yù)計(jì)2030年將達(dá)到15.58億美元，2024-2030期間年復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）為11.5%。

全球車用NOR Flash核心廠商有英飛凌、旺宏電子、美光科技、華邦電子和兆易創(chuàng)新等，前五大廠商占有全球大約84%的份額。中國(guó)是最大的車用NOR Flash市場(chǎng)，占有大約32%份額，之后是北美和歐洲，分別占有25%和21%的市場(chǎng)份額。產(chǎn)品類型而言，1.8V是最大的細(xì)分，占有大約39%的份額。就下游來(lái)說(shuō)，ADAS是最大的下游領(lǐng)域，占有51%份額。

（3）工業(yè)控制

智能電表具備綜合的電能數(shù)據(jù)采集能力，包括電壓、電流、有功電量、無(wú)功電量、功率等關(guān)鍵數(shù)據(jù)。它不僅支持預(yù)付費(fèi)和遠(yuǎn)程管理，還支持遠(yuǎn)程負(fù)荷控制功能。同時(shí)，智能電表通過(guò)雙向通信功能，為未來(lái)家庭自動(dòng)化網(wǎng)絡(luò)提供數(shù)據(jù)網(wǎng)關(guān)支持。

如國(guó)內(nèi)三表市場(chǎng)（外加北方熱表）對(duì)NOR Flash需求上升，其中基于國(guó)內(nèi)最新規(guī)范的IR46智能電表，對(duì)NOR Flash的采購(gòu)量會(huì)很快出現(xiàn)。

（4）5G 基站

NOR Flash 可在 5G 設(shè)備初始響應(yīng)和啟動(dòng)時(shí)提供更高可靠性和更低延時(shí)的啟動(dòng)配置支撐。由于 5G 基站運(yùn)行環(huán)境的特殊性（運(yùn)行溫度-40℃～105℃，至少保證 10 年以上壽命），應(yīng)用在 5G 基站設(shè)備中的 NOR Flash 通常至少需滿足工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，對(duì) NOR Flash 的要求需滿足“高容量+高性能+高可靠性”。

（5）物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備

物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的特點(diǎn)是具備網(wǎng)絡(luò)連接功能與簡(jiǎn)單的計(jì)算能力，與手機(jī)、計(jì)算機(jī)等設(shè)備相比，一般的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備對(duì)存儲(chǔ)空間要求較低，一般在幾兆（Mb）至幾百兆之間。NOR Flash 主要用來(lái)存儲(chǔ)代碼及部分?jǐn)?shù)據(jù)，具備隨機(jī)存儲(chǔ)、可靠性強(qiáng)、讀取速度快及芯片內(nèi)執(zhí)行等特性，被認(rèn)為是物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備代碼閃存應(yīng)用的首選。

5.3、市場(chǎng)格局

國(guó)外廠商淡出 NOR Flash 市場(chǎng)，本土廠商涌現(xiàn)搶占市場(chǎng)份額。根據(jù) IC Insights 的數(shù)據(jù)，2020 年 NOR Flash 市場(chǎng)前四大企業(yè)占據(jù)了近 75%的市場(chǎng)份額。隨著賽普拉斯、美光等國(guó)外企業(yè) NOR Flash 技術(shù)接近極限，更專注于投入于車規(guī)和工控用高容量 NAND Flash 的生產(chǎn)，頭部海外廠商將逐步放棄 NOR Flash 市場(chǎng)。

根據(jù) IC Insights 的數(shù)據(jù)，2021 年，華邦電子（臺(tái)）、旺宏電子（臺(tái)）、兆易創(chuàng)新三家企業(yè)在 NOR Flash 市場(chǎng)的市占率合計(jì)超過(guò) 90%，此外，中國(guó)廠商中還涌現(xiàn)出普冉股份和恒爍股份等一批新玩家。

隨著通訊、物聯(lián)網(wǎng)、消費(fèi)電子和汽車電子相關(guān)應(yīng)用產(chǎn)品在功能上的不斷豐富，下游應(yīng)用產(chǎn)品對(duì) NOR Flash 的容量需求逐漸提升，例如 TWS 耳機(jī)的降噪新功能和智能手表的生物識(shí)別新功能均對(duì) NOR Flash 的容量提出了更高要求。例如，東芯股份專注于中大容量 NOR Flash，采用了主流的 ETOX 工藝，容量從 64Mb 覆蓋到 1Gb，產(chǎn)品具有低功耗、編程速度快、適應(yīng)極端溫度環(huán)境、耐久性出色和數(shù)據(jù)保持時(shí)間長(zhǎng)等性能。

由于下游新興應(yīng)用的帶動(dòng)，大容量 NOR Flash 正在成為新的發(fā)展趨勢(shì)，根據(jù)預(yù)測(cè) 2022-2027 年 NOR Flash 在 5G 基站、 車載電子、AMOLED 和 TWS 耳機(jī)上的市場(chǎng)規(guī)模 CAGR 分別為 48.2%14.7%/5.7%/35.3%， 2027 年市場(chǎng)規(guī)模分別達(dá)到 2.8/39.4/17.6/24.2 億元。

六、EEPROM

EEPROM 是一類通用型的非易失性存儲(chǔ)芯片，主要用于各類設(shè)備中存儲(chǔ)小規(guī)模、經(jīng)常需要 修改的數(shù)據(jù)，通常可確保 100 年 100 萬(wàn)次擦寫，容量范圍介于 1Kb-2Mb 之間。EEPROM是在斷電后仍能保留所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息，相比Flash具有更高的可靠性。

EEPROM通常用于保存開發(fā)者信息、生產(chǎn)時(shí)間、內(nèi)存信息、通信協(xié)議、既定內(nèi)存頻率、供電電壓、供電電流、物理信息等信息，被廣泛應(yīng)用于家用電器、智能電表、智能家居、汽車電子等領(lǐng)域中。

EEPROM 按照應(yīng)用領(lǐng)域可劃分為工業(yè)級(jí) EEPROM 和汽車級(jí) EEPROM，其中工業(yè)級(jí) EEPROM 主要應(yīng)用于智能手機(jī)攝像頭模組、液晶面板、工業(yè)控制、通訊、藍(lán)牙模塊、計(jì)算機(jī)及周邊、白色家電、醫(yī)療儀器等 領(lǐng)域；汽車級(jí) EEPROM 則具備更可靠的性能、更強(qiáng)的溫度適應(yīng)能力和抗干擾能力，在汽車智能 座艙、視覺感知、底盤與車身以及新能源汽車的三電系統(tǒng)等領(lǐng)域中得到了廣泛的應(yīng)用。

2023年全球電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器EEPROM市場(chǎng)規(guī)模大約為9.22億美元，預(yù)計(jì)2030年將達(dá)到13.95億美元，2024-2030期間年復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）為6.0%。

全球電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器EEPROM主要廠商包括STMicroelectronics、Microchip、聚辰半導(dǎo)體、ON Semiconductor、普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司等，前五名廠商占有率約76%。亞太地區(qū)是最大的市場(chǎng)，份額約為78%，其次是北美和歐洲，份額分別為11%和8%。從產(chǎn)品類型來(lái)看，≤16Kbit是最大的細(xì)分市場(chǎng)，占據(jù)29%的份額。從應(yīng)用來(lái)看，消費(fèi)電子是最大的細(xì)分領(lǐng)域，占比約65%。

七、存儲(chǔ)發(fā)展趨勢(shì)

國(guó)際廠商聚焦HBM和DDR5

隨著人工智能、大數(shù)據(jù)、云計(jì)算等領(lǐng)域的快速發(fā)展，對(duì)高性能存儲(chǔ)的需求大幅增加。特別是 AI 服務(wù)器對(duì)芯片內(nèi)存容量和傳輸帶寬的更高要求，促使 HBM 成為 AI GPU 存儲(chǔ)單元的理想方案和關(guān)鍵部件，HBM 的需求呈現(xiàn)井噴式增長(zhǎng)。

DDR5 的帶寬更高，能夠支持更快的數(shù)據(jù)傳輸速度，滿足現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)對(duì)內(nèi)存性能的更高要求；同時(shí)，DDR5 在功耗管理方面也進(jìn)行了優(yōu)化，降低了功耗，提高了能源效率。這些優(yōu)勢(shì)使得 DDR5 在服務(wù)器、PC 等市場(chǎng)中具有很強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力。

國(guó)內(nèi)廠商發(fā)力中小容量

因?yàn)橹瞥滔拗?，?guó)內(nèi)廠商只能聚焦于國(guó)外大廠退出的中小容量的存儲(chǔ)領(lǐng)域，在NOR領(lǐng)域兆易創(chuàng)新進(jìn)入全球前二；在EEPROM領(lǐng)域，聚辰半導(dǎo)體和普冉半導(dǎo)體進(jìn)入全球前五；NAND和利基型DRAM領(lǐng)域都有一定的突破，但發(fā)展歷程會(huì)相對(duì)艱難。面對(duì)5513億的國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)市場(chǎng)，未來(lái)國(guó)產(chǎn)替代空間非常廣闊。