晶圓減薄與劃片的順序是什么樣的？

知識(shí)星球（星球名：芯片制造與封測(cè)技術(shù)社區(qū)，星球號(hào)：63559049）里的學(xué)員問(wèn)：DBG是一種新穎的工藝，即先將晶圓正面半切，再將晶圓背面減薄。那么傳統(tǒng)的，普遍的減薄與劃片的工藝順序是什么樣子呢？

前幾期的文章中，對(duì)DBG工藝做了介紹，見文章：Disco公司的DBG工藝詳解

較為普遍的劃片切割方式？

如上圖，是常見的劃片切割方式，即先將晶圓背面減薄，再將硅片進(jìn)行劃片。

1. Tape Laminator（貼膜）：在晶圓的正面附上保護(hù)膜（BG Tape）這層膜有助于保護(hù)晶圓表面的芯片在背面減薄與cmp工序中免受損傷。

2. Rough Grinding（粗磨）：使用粗磨設(shè)備對(duì)晶圓背面進(jìn)行初步磨削，去除較大的厚度。粗磨階段的目的是快速降低晶圓厚度，通常會(huì)去除大部分的材料，但表面粗糙度相對(duì)較高。

3. Fine-or Poligrinding（精磨）：在粗磨之后，進(jìn)行精磨或拋光磨削，以進(jìn)一步減少晶圓厚度，并改善表面粗糙度。這一步能夠去除粗磨留下的表面缺陷，達(dá)到更平滑的表面。

4.CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）：化學(xué)機(jī)械拋光，以去除晶圓背面剩余的應(yīng)力，確保晶圓在后續(xù)工藝中不會(huì)因應(yīng)力而破裂。此步驟的目的是進(jìn)一步提高表面質(zhì)量，確保晶圓的平整度和結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。

5. Frame Mounting（背面貼切割膜）：將晶圓貼到到具有切割薄膜的框架上?？蚣苌系那懈畋∧⑿酒卫喂潭ǎ乐骨懈顣r(shí)芯片掉落。

6. BG Tape Peeling（除去晶圓正面的BG膜）：去除最初貼在晶圓正面的保護(hù)膜，露出晶圓的正面，以便于劃片工序的進(jìn)行。

7. Dicing Saw（切割）：使用劃片機(jī)（Dicing Saw）對(duì)晶圓進(jìn)行劃片，沿著切割道將晶圓分割成單個(gè)芯片。

該減薄劃片的方式的缺點(diǎn)？

當(dāng)將晶圓減到較薄厚度時(shí)，在進(jìn)行劃片的過(guò)程中極易出現(xiàn)芯片崩邊等問(wèn)題，因此需要改用其他的劃片切割方式，如DBG工藝，Taiko工藝，激光工藝等。