射頻電源的頻率對(duì)刻蝕有什么影響？

知識(shí)星球（星球名：芯片制造與封測(cè)技術(shù)社區(qū)，星球號(hào)：63559049）里的學(xué)員問：干法刻蝕中，射頻電源的功率與頻率對(duì)刻蝕結(jié)果都有哪些影響？

什么是RF的功率與頻率？

RF功率（RF Power）,是指射頻電源提供給等離子體系統(tǒng)的能量大小，用于等離子體的產(chǎn)生和穩(wěn)定,通常以瓦特（W）為單位。RF頻率（RF Frequency）,是指射頻電場(chǎng)的振蕩頻率，通常以赫茲（Hz）為單位。常用的頻率有13.56MHz，2.45GHz，27MHz，60MHz，2MHz等。功率一定時(shí)，頻率越高，等離子體密度越高，離子的能量越低。

頻率對(duì)刻蝕的影響？

1，等離子體空間分布的均勻性

高頻電場(chǎng)振蕩更快，電子在一個(gè)周期內(nèi)被電場(chǎng)加速的時(shí)間更短，因此電子能量集中在較窄的范圍內(nèi)，分布更均勻。

2，離子能量的分布

低頻RF，如2 MHz，離子能量分布較寬，不集中。高頻RF，離子能量更集中。

3，等離子體的密度：高頻RF生成更高密度的等離子體

4，等離子體中化學(xué)反應(yīng)的主導(dǎo)性

高頻RF，更多的自由基生成，促進(jìn)化學(xué)刻蝕。低頻RF，可增強(qiáng)物理刻蝕。

5，刻蝕的選擇性

高頻RF，可提高刻蝕的化學(xué)選擇性。低頻RF，由于離子轟擊較強(qiáng)，會(huì)導(dǎo)致選擇性下降。

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