ALD,ALE與傳統(tǒng)技術(shù)相比的優(yōu)勢(shì)？

知識(shí)星球（星球名：芯片制造與封測(cè)技術(shù)社區(qū)，星球號(hào)：63559049）里的學(xué)員問：ALD（原子層沉積），ALE（原子層刻蝕）與傳統(tǒng)的沉積，刻蝕技術(shù)相比，有什么優(yōu)勢(shì)？

先說傳統(tǒng)鍍膜與ALD效果的對(duì)比，傳統(tǒng)薄膜沉積方法如 PECVD 或 PVD等，在高深寬比結(jié)構(gòu)中，由于氣體進(jìn)出受到了物理限制，側(cè)壁和底部區(qū)域的沉積速率不同。

薄膜覆蓋在孔洞底部部分會(huì)比較薄，而孔口則沉積的較厚。當(dāng)深寬比不斷增大時(shí)，孔口由于太厚會(huì)出現(xiàn)封口現(xiàn)象，而孔內(nèi)未完全填充而出現(xiàn)空洞。

ALD 是一種逐層沉積的“自限性”反應(yīng)，每次僅沉積一個(gè)原子層，在復(fù)雜結(jié)構(gòu)的側(cè)壁、底部和頂部實(shí)現(xiàn)均勻覆蓋，幾乎沒有空隙或不均勻性。適合于高深寬比的 3D 結(jié)構(gòu)。

再說傳統(tǒng)刻蝕與ALE（原子層刻蝕）的效果對(duì)比，傳統(tǒng)刻蝕隨著深寬比的不斷提高，會(huì)出現(xiàn)側(cè)壁彎曲不陡直，甚至刻不下去的情況。但是ALE在極高深寬比中仍可實(shí)現(xiàn)均勻刻蝕，避免底部或側(cè)壁過刻。

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