作者 | 方文三
近日,日本媒體報道稱,尼康公司計劃擴大與中國市場的業(yè)務(wù)合作,以增加其光刻機在中國市場的份額,并可能開發(fā)新產(chǎn)品,將其投入中國市場。
尼康此舉的原因是趁當(dāng)前ASML光刻機處于敏感時期,試圖搶占部分市場份額。
尼康早已遠(yuǎn)離高端光刻機市場
過去中國主要進口ASML的光刻機,市場份額超過90%。
在超高端領(lǐng)域,即極紫外(EUV)光刻機,目前只有ASML能夠生產(chǎn)。
從2022年的光刻機銷量來看,排在首位的ASML的全球市場份額為62%,排在第2位的佳能為31%,尼康排在第3位,僅為7%。
加之目前日本已經(jīng)禁止了包括微影曝光、沉積和清潔在內(nèi)的23種高效能的半導(dǎo)體器件等六大類別的23種產(chǎn)品;
荷蘭也對高端光刻機實施了嚴(yán)格控制,三年前開始,他們就和中芯公司簽訂了EUV光刻機的合同。
受光刻機業(yè)務(wù)嚴(yán)重下滑的影響,尼康的凈利潤出現(xiàn)了近八成的暴跌,這凸顯出該公司在很大程度上依賴于光刻機業(yè)務(wù)所帶來的利潤。
隨著數(shù)碼相機市場逐漸衰落,尼康的影像技術(shù)在其他領(lǐng)域的發(fā)揮空間已經(jīng)變得相對有限,而光刻機成為了其重要的市場。
尼康的浸潤式光刻機主要銷售的是KrF和ArF光刻機、i線和G線等成熟型號的光刻機,主要用于制造45nm及以上的芯片。
尼康之前的光刻機主要供貨英特爾。但去年日媒報道,尼康宣布要大舉擴大光刻機產(chǎn)能,提高到目前的3倍以上,并減少對英特爾的依賴,加大大陸市場布局。
布局浸入式光刻機新品,意在中國市場
尼康高管已經(jīng)正式公布了進軍中國市場的消息,并計劃到2026年將其對中國的光學(xué)設(shè)備出口量提高三倍。
這一舉措反映了尼康對中國市場的重視,并希望通過擴大合作來進一步鞏固和拓展其在該領(lǐng)域的影響力。
根據(jù)尼康透露,它所要布局的NSR-S635E ArF 浸入式光刻機與ASML的EUV光刻機不同:
使用DUV光源就可以加工5—7納米的芯片,每小時可以制造275片晶圓,并且不使用美國技術(shù)。
尼康公司目前不具備5-7nm芯片的技術(shù)能力,因此在中國市場的競爭力受到一定限制。
而尼康則可以制造浸潤式光刻機,因此其理論上可以達(dá)到最高精度為7nm的制造水平。
然而,尼康仍有實力爭奪中國的DUV光刻機市場,這也是一個翻盤的機會。
中國如果與尼康保持一定的合作關(guān)系,可以制衡ASML,并進一步擴大美國與ASML之間的裂痕與分歧。
此外,日本尼康基于自己的市場需求要布局中國市場。
然而,尼康能夠出口給中國的設(shè)備與技術(shù)無疑非常有限,也基本都是非常成熟的老舊設(shè)備。
這對解決中國缺少核心光刻機設(shè)備的現(xiàn)實困境幫助非常小。
中國對7納米及以下的高端光刻機需求量仍然非常大,但這方面的缺口很難依靠日本的進口來解決。
發(fā)布光刻系統(tǒng)新技術(shù),意在彎道超車
尼康于今年8月宣布,計劃于2024年夏季左右發(fā)布25年來首次將投影倍率降低至5倍的i-line步進機NSR-2205iL1。
在光刻系統(tǒng)中,i-line是針對傳統(tǒng)工藝的,但近年來,通信半導(dǎo)體和MEMS領(lǐng)域的需求增加,以功率半導(dǎo)體的需求增長為中心,不過該公司決定推出一款新產(chǎn)品傳統(tǒng)i-line曝光設(shè)備老化且供應(yīng)緊張、投影倍率降低至5倍。
NSR-2205iL1與現(xiàn)有i-line曝光系統(tǒng)高度兼容可以重復(fù)使用傳統(tǒng)i-line曝光系統(tǒng)中使用的掩模和配方從而可以輕松更換現(xiàn)有系統(tǒng)。
具有多點自動對焦(AF)的高精度晶圓測量、先進的晶圓臺調(diào)平性能、寬DOF(擴展的焦深范圍)等同時保持各種半導(dǎo)體制造工藝中的良率水平。
使其能夠?qū)崿F(xiàn)高生產(chǎn)率具有寬范圍的晶圓厚度、尺寸和翹曲公差并且與SiC和GaN等下一代功率半導(dǎo)體材料兼容,因此可用于廣泛的應(yīng)用是可能的。
此外,尼康決定于2024年投放新產(chǎn)品,這也是時隔24年再次推出采用成熟技術(shù)的光刻機,使用i-Line光源技術(shù),可以用于制造要求耐久性的功率半導(dǎo)體等。
海外分析認(rèn)為,尼康將在新產(chǎn)品使用通用的電子零部件等,價格比佳能便宜20%—30%。
ASML的震驚與市場壟斷的破局
ASML公司一直以來保持著光刻機領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,幾乎壟斷了整個市場。
但是,隨著日本佳能的自主研發(fā)和技術(shù)創(chuàng)新,這種局面正在發(fā)生改變。
日本的鎧俠計劃計劃在2025年利用NIL的5nm工藝制造存儲芯片,而SK海力士也引進了佳能NIL半導(dǎo)體設(shè)備。
日本佳能和尼康在光刻機等領(lǐng)域的快速崛起,有望打破ASML公司的壟斷地位,并推動整個半導(dǎo)體芯片行業(yè)的發(fā)展。
這也意味著ASML將面臨來自中國和日本等國的強有力競爭對手。
結(jié)尾:
在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競爭大潮中,自主研發(fā)和產(chǎn)業(yè)升級被視為應(yīng)對市場變化的重中之重。
在這場高技術(shù)競賽中,中國能否取得優(yōu)勢,將極大地取決于其長期的戰(zhàn)略規(guī)劃以及研發(fā)投入的效果。
部分資料參考:
熊貓科技說:《中企購買浸沒式DUV光刻機!尼康中標(biāo),ASML按捺不住了》,半導(dǎo)體前沿:《日本尼康能否深度參與中國光刻產(chǎn)業(yè)鏈合作?》