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阻變式存儲器(RRAM)是以非導(dǎo)性材料的電阻在外加電場作用下,在高阻態(tài)和低阻態(tài)之間實(shí)現(xiàn)可逆轉(zhuǎn)換為基礎(chǔ)的非易失性存儲器。
阻變式存儲器(RRAM)是以非導(dǎo)性材料的電阻在外加電場作用下,在高阻態(tài)和低阻態(tài)之間實(shí)現(xiàn)可逆轉(zhuǎn)換為基礎(chǔ)的非易失性存儲器。收起
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