GaA

• 先進制程晶圓制造工藝挑戰(zhàn)之一GAA器件模型
  3納米工藝節(jié)點中的GAA晶體管帶來了顯著的技術挑戰(zhàn)。提取電氣特性需要新的方法和工具，以應對其復雜的三維結構和對工藝變異的敏感性。同時，新的物理失效模式也需要在設計和制造過程中加以重視，以確保晶體管的可靠性和性能。3納米晶圓制造工藝中的“Gate all-around (GAA) transistors”所帶來的新提取要求和物理失效模式是一個復雜的問題。

  老虎說芯

  3531

  07/17 08:13

  晶圓制造 先進制程
• FinFET即將謝幕？
  自2012年出現(xiàn)以來，F(xiàn)inFET接近超期服役。在繼續(xù)追求摩爾定律的道路上，F(xiàn)inFET漸漸顯示出疲態(tài)。

  半導體產(chǎn)業(yè)縱橫

  644

  2022/02/15

  晶體管 FinFET
• 如何抑制GAA寄生溝道？微電子所給出方案
  作為GAA制造流程的一環(huán)，子鰭可能引發(fā)寄生溝道效應等副作用，導致GAA晶體管的器件性能下降。為此，中科院微電子所先導工藝研發(fā)中心團隊開發(fā)了縮窄子鰭的工藝改進方案。

  芯片揭秘

  803

  2021/11/30

  GaA GAA晶體管
• 科研前線 | AI與芯片大碰撞，臺交大深度學習算法賦能GAA器件模擬
  中國臺灣陽明交通大學平行與科學計算實驗室首次提出了一種深度學習算法研究不同工藝變化因子對半導體納米器件性能的影響,基于柵極功函數(shù)波動統(tǒng)計分布，并以先進GAA晶體管為研究對象探索了器件模擬仿真的創(chuàng)新新方案。

  芯片揭秘

  440

  2021/10/18

  深度學習 GaA
• 新思科技與三星合作，加速推廣變革性3納米GAA技術
  技術更先進的Fusion Design Platform為AI、HPC和5G等高增長市場提供了更高水平的性能功耗比。

  美通社

  184

  2021/07/07

  人工智能 三星
• 三星3nm芯片成功流片，采用GAA工藝
  6月29日，三星宣布，與Synopsys合作的采用GAA架構的3nm制程技術已經(jīng)正式流片。三星先臺積電一步，提前在3nm制程中采用GAA工藝。

  中國電子報

  263

  2021/07/01

  三星 3nm
• 新思三星攜手推出3nm GAA的全套設計方法和流程
  先進應用的開發(fā)者可基于三星與新思科技的合作加速部署3nm全環(huán)柵（GAA）工藝技術，AMS 設計參考流程提供了用于 3nm 模擬 / 混合信號設計的完整方法（包括用于設計、版圖、可靠性分析和簽核的流程），新思科技定制設計平臺可為三星 3nm GAA 設計提供最佳的生產(chǎn)率，以及可縮短模擬設計閉合時間的創(chuàng)新功能。

  新思科技

  120

  2020/12/04

  三星 新思科技Synopsys
• 【半導體估值卷-前言】重構的未來——站在現(xiàn)在這個時點上
  重構的未來，百年未有之大變局。站在現(xiàn)在的時點上，我們以不變應萬變，迎接這個巨大的歷史性機遇。

  橙子不糊涂

  227

  2020/06/15

  華為 半導體行業(yè)
• 國際丨為了5nm工藝地位，英特爾發(fā)力GAA
  不可否認，5nm 制程的演進是各項技術和產(chǎn)業(yè)逐步成熟、變革的必經(jīng)之路，亦是根基。

  AI芯天下

  233

  2020/04/02

  芯片 電路設計
• 三星GAA技術叫板臺積電，中國臺灣專家卻稱其只是“唬人”而已
  與非網(wǎng)8月14日訊，此前在日本東京的晶圓代工論壇上，三星電子展示了其先進制程技術，并提供用于生產(chǎn)3nm以下芯片、名為“環(huán)繞閘極”（GAA）技術的制程套件。三星稱在GAA技術上，其領先全球晶圓代工龍頭臺積電一年，更超前英特爾（Intel）兩到三年，但是近期這個言論卻被中國臺灣專家“噴了”。

  與非網(wǎng)記者

  94

  2019/08/14

  臺積電 三星

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