GaA

• 先進制程晶圓制造工藝挑戰(zhàn)之一GAA器件模型
  3納米工藝節(jié)點中的GAA晶體管帶來了顯著的技術挑戰(zhàn)。提取電氣特性需要新的方法和工具，以應對其復雜的三維結構和對工藝變異的敏感性。同時，新的物理失效模式也需要在設計和制造過程中加以重視，以確保晶體管的可靠性和性能。3納米晶圓制造工藝中的“Gate all-around (GAA) transistors”所帶來的新提取要求和物理失效模式是一個復雜的問題。

  老虎說芯

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  07/17 08:13

  晶圓制造 先進制程

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