三星GAA技術(shù)叫板臺(tái)積電，中國(guó)臺(tái)灣專家卻稱其只是“唬人”而已

與非網(wǎng) 8 月 14 日訊，此前在日本東京的晶圓代工論壇上，三星電子展示了其先進(jìn)制程技術(shù)，并提供用于生產(chǎn) 3nm 以下芯片、名為“環(huán)繞閘極”（GAA）技術(shù)的制程套件。三星稱在 GAA 技術(shù)上，其領(lǐng)先全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電一年，更超前英特爾（Intel）兩到三年，但是近期這個(gè)言論卻被中國(guó)臺(tái)灣專家“噴了”。

中國(guó)臺(tái)灣知產(chǎn)力專家社群創(chuàng)辦人曲建仲介紹，場(chǎng)效電晶體（FET）是最基本的電子元件，電子流入再流出，由一個(gè)閘極開(kāi)關(guān)控制電子導(dǎo)通代表 1 或不導(dǎo)通代表 0，科學(xué)家將它制作在硅晶圓上，是數(shù)字信號(hào)的最小單位，一個(gè) FET 代表一個(gè) 0 或一個(gè) 1，就是電腦里的一個(gè)位數(shù)。

“制程節(jié)點(diǎn)”代表閘極的“平均長(zhǎng)度”，會(huì)隨制程技術(shù)的進(jìn)步而變小，當(dāng)縮小到 14 納米以下遇到問(wèn)題，因此發(fā)明了“鰭式場(chǎng)效電晶體（FinFET）”，但是 5 納米以下又遇到問(wèn)題，才出現(xiàn)“環(huán)繞閘極場(chǎng)效電晶體”。

曲建仲指出，GAA 的原理很簡(jiǎn)單，就是增加閘極與電子通道的接觸面積，可以增加控制效果減少漏電流。除了三星，各家晶圓廠早就在發(fā)展 GAA，只是結(jié)構(gòu)稍有不同，因?yàn)闇y(cè)試效果沒(méi)有比 FinFET 好，良率又低，因此沒(méi)有拿這個(gè)專有名詞來(lái)“唬人”而已。

GAA 資料圖，點(diǎn)擊查看大圖。圖片來(lái)源：三星官網(wǎng)

曲建仲?gòu)?qiáng)調(diào)，三星展出的“水平式”GAA 和 FinFET 性能差異不大，這次三星講 GAA 只是用專有名詞來(lái)唬外行人，報(bào)導(dǎo)說(shuō)三星想用 GAA 在 3nm 彎道超車臺(tái)積電，“只能說(shuō)不是想像力太豐富，就是三星的營(yíng)銷比較厲害”。

至于臺(tái)積電在 3nm 的進(jìn)展上，臺(tái)積電首席執(zhí)行官兼聯(lián)合主席 CC Wei 在與投資者和金融分析師的電話會(huì)議上表示，在 N3 上，技術(shù)開(kāi)發(fā)進(jìn)展順利，我們已經(jīng)與早期客戶就技術(shù)定義進(jìn)行了接觸，們希望我們的 3nm 技術(shù)能夠進(jìn)一步擴(kuò)展我們?cè)谖磥?lái)的領(lǐng)導(dǎo)地位。

臺(tái)積電的 N3 將同時(shí)使用深紫外（DUV）和極紫外（EUV）光刻設(shè)備。由于臺(tái)積電的 N5 使用多達(dá) 14 個(gè) EUV 層，因此 N3 的使用層數(shù)可能會(huì)更高。這家全球最大的半導(dǎo)體合約制造商似乎對(duì)其 EUV 進(jìn)展感到非常滿意，并認(rèn)為該技術(shù)對(duì)其未來(lái)至關(guān)重要。

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