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DDR

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ddr是一個(gè)內(nèi)存名稱，意思即雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，是內(nèi)存的其中一種。 ddr，Data Direction Register的簡(jiǎn)稱，是一種數(shù)據(jù)方向寄存器，用來設(shè)置端口的方向。

ddr是一個(gè)內(nèi)存名稱，意思即雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，是內(nèi)存的其中一種。 ddr，Data Direction Register的簡(jiǎn)稱，是一種數(shù)據(jù)方向寄存器，用來設(shè)置端口的方向。收起

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  • 存儲(chǔ)巨頭縮減生產(chǎn)比重，DDR4或?qū)⑼顺鰵v史舞臺(tái)
    存儲(chǔ)巨頭縮減生產(chǎn)比重，DDR4或?qū)⑼顺鰵v史舞臺(tái)
    作為電腦系統(tǒng)的重要硬件，內(nèi)存是計(jì)算機(jī)中用于暫時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和指令的部件，它直接與CPU相連，是CPU進(jìn)行數(shù)據(jù)交換的橋梁。內(nèi)存的速度和容量對(duì)計(jì)算機(jī)的整體性能有著直接的影響。作為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中至關(guān)重要的組成部分，內(nèi)存承擔(dān)著數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與快速讀取的重任。從最早的DRAM到如今的DDR4乃至即將面世的DDR5，內(nèi)存技術(shù)不斷演進(jìn)，每一次的技術(shù)革新都伴隨著性能的提升和應(yīng)用范圍的拓寬。
  • 【PSIJ測(cè)試應(yīng)用方案】探索PSIJ之謎—由電源引起的高速信號(hào)抖動(dòng)
    【PSIJ測(cè)試應(yīng)用方案】探索PSIJ之謎—由電源引起的高速信號(hào)抖動(dòng)
    PSIJ，那是一場(chǎng)無聲的風(fēng)暴 在高速信號(hào)傳輸?shù)氖澜缋铮恳粋€(gè)細(xì)微的“波動(dòng)”都可能引發(fā)巨大的影響。而如今，一個(gè)隱匿的“殺手”正悄然威脅著高速信號(hào)的穩(wěn)定性——那就是電源引起的高速信號(hào)抖動(dòng)PSIJ（Power Supply Induced Jitter）。這個(gè)看似陌生的術(shù)語，卻在電子領(lǐng)域掀起了一場(chǎng)無聲的風(fēng)暴。當(dāng)高速信號(hào)供電電源受到挑戰(zhàn)，高速信號(hào)便如同在波濤洶涌的大海中航行的船只，搖擺不定，失去了精準(zhǔn)的方
  • Bourns 推出符合 AEC-Q200 標(biāo)準(zhǔn)車規(guī)級(jí)薄膜片狀電阻
    Bourns 推出符合 AEC-Q200 標(biāo)準(zhǔn)車規(guī)級(jí)薄膜片狀電阻
    Bourns? CRT-A 系列滿足了汽車、手機(jī)、SD卡、DDR內(nèi)存和相機(jī)模塊等應(yīng)用需求對(duì)小型、高精度電阻的日益增長。 美國柏恩 Bourns 全球知名電源、保護(hù)和傳感解決方案電子組件領(lǐng)導(dǎo)制造供貨商，全新推出符合 AEC-Q200 標(biāo)準(zhǔn)的車規(guī)級(jí)薄膜片狀電阻系列。Bourns? CRT-A系列相較于傳統(tǒng)的通孔型電阻，提供更高的電阻公差精度和溫度系數(shù) (TCR)。該系列不僅強(qiáng)化了信號(hào)質(zhì)量，還采用表貼式
  • 信號(hào)匹配的等長與等時(shí)
    信號(hào)匹配的等長與等時(shí)
    在產(chǎn)品的設(shè)計(jì)過程中，等長匹配是需要關(guān)注的一項(xiàng)工作。串行信號(hào)常見的規(guī)則為+/-5mil，有的資料會(huì)給出＜1ps的匹配要求。并行信號(hào)的規(guī)則就比較復(fù)雜一點(diǎn)。下面以常見的DDR為例，來進(jìn)行相關(guān)的說明。
  • HBM革新浪潮下，AMD加速卡定義內(nèi)存與計(jì)算融合新方向
    在AMD Alveo V80加速卡中，Versal HBM 自適應(yīng) SoC 的支持是一大亮點(diǎn)。Alveo V80作為一個(gè)網(wǎng)絡(luò)附接的加速器卡，可以和存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)器連接，應(yīng)對(duì)非常廣泛的工作負(fù)載和需求。
    2054
    06/17 07:48
  • NUC980_NuWriter 燒寫或者重啟報(bào)錯(cuò)Err-DDR
    在調(diào)試新唐的nuc980時(shí)，遇到一個(gè)問題，燒寫或者重啟時(shí)，有時(shí)會(huì)出現(xiàn)內(nèi)存錯(cuò)誤：Err-DDR 這個(gè)問題在網(wǎng)上查到的信息不多，有一篇Issues在新唐的官方github上面：?NUC980_NuWriter 燒寫報(bào)錯(cuò)Err-DDR · Issue #6 · OpenNuvoton/NUC980_NuWriter · GitHub[1]?從上面的討論中可以看出來可能是電源芯片的時(shí)序不匹配問題。
  • 賽昉基于RISC-V的JH-7110智能視覺處理平臺(tái)采用了芯原的顯示處理器IP
    賽昉基于RISC-V的JH-7110智能視覺處理平臺(tái)采用了芯原的顯示處理器IP
    芯原可擴(kuò)展且靈活的DC8200 IP可提供顯示設(shè)備自適應(yīng)能力和高質(zhì)量顯示效果，賦能沉浸式視覺體驗(yàn) 芯原股份（芯原，股票代碼：688521.SH）今日宣布賽昉科技（簡(jiǎn)稱“賽昉”）基于RISC-V架構(gòu)的量產(chǎn)SoC昉·驚鴻-7110（JH-7110）采用了芯原的顯示處理器IP DC8200。該SoC具有高性能、低功耗和高安全性的特點(diǎn)，為云計(jì)算、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)附加存儲(chǔ)（NAS）、平板電腦、人機(jī)界面（HMI
  • 2024年，存儲(chǔ)新技術(shù)DDR、HBM等大放異彩！
    2024年，存儲(chǔ)新技術(shù)DDR、HBM等大放異彩！
    邁過2023年的經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)行業(yè)下行周期，2024年存儲(chǔ)市場(chǎng)起勢(shì)，存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求，存儲(chǔ)新技術(shù)革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技術(shù)在2024年迎來放量周期；HBM加速邁進(jìn)，HBM3/HBM3e持續(xù)突破，有望帶動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)迸發(fā)新的活力。
  • 服務(wù)器（DDR電源）
    MPS的控制器和穩(wěn)壓器以效率為先，同時(shí)保持較低的整體系統(tǒng)成本；其散熱管理專為高密度、高耗電的服務(wù)器而開發(fā)，能夠節(jié)省能源并優(yōu)化輸出。MPS專有的Intelli-PhaseTM技術(shù)可維持并提高每個(gè)新設(shè)計(jì)的性能。這些可擴(kuò)展的解決方案還提供了熱插拔功能和先進(jìn)的FET技術(shù)，可幫助簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)節(jié)省空間的封裝。
    2251
    01/22 09:37
  • DDR終端匹配電阻的長度多少合適？
    DDR終端匹配電阻的長度多少合適？
    上次我們對(duì)不加端接電阻和加端接電阻之后的仿真結(jié)果做了分析之后我們得出在DDR采用菊花鏈拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的時(shí)候是需要加端接電阻的，這次我們看看DDR末端的端接電阻距離最后一片DDR遠(yuǎn)一點(diǎn)效果好一些還是近一點(diǎn)效果好一些。本次采用的案例依舊是我們上期的DDR3一拖八正反貼菊花鏈拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
    3227
    2023/12/28
  • DDR拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的詳細(xì)解析
    DDR拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的詳細(xì)解析
    在進(jìn)行多片DDR設(shè)計(jì)的時(shí)候，通常DDR會(huì)存在拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，下面我們將詳細(xì)介紹一下各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的區(qū)別以以及應(yīng)用場(chǎng)景。首先我們先介紹一下，當(dāng)只存在一片DDR的時(shí)候通常是采用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的連接方式，點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的布線方式優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，阻抗以及時(shí)序容易控制，適合高速率雙向傳輸。
  • DDR加終端匹配電阻和不加信號(hào)質(zhì)量的區(qū)別
    DDR加終端匹配電阻和不加信號(hào)質(zhì)量的區(qū)別
    DDR采用菊花鏈拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)時(shí)，由于信號(hào)傳輸線較長通常需要在DDR末端加上終端匹配電阻，端接的方式有很多，但是都是為了解決信號(hào)的反射問題，通常為了消除信號(hào)的反射可以在信號(hào)的源端或者終端進(jìn)行解決，在源端處消除反射是采用電阻串聯(lián)的方式，在終端處消除反射是采用電阻并聯(lián)的方式（還有很多種端接），今天我們一起來看一下在采用菊花鏈拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)時(shí)，末端加匹配電阻和不加匹配電阻時(shí)信號(hào)的質(zhì)量有多大的區(qū)別。
    2130
    2023/12/25
  • 如何在FPGA中實(shí)現(xiàn)DDR內(nèi)存控制器
    在現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，DDR（Double Data Rate）內(nèi)存是一種常見的存儲(chǔ)解決方案，廣泛應(yīng)用于各種計(jì)算機(jī)系統(tǒng)和嵌入式設(shè)備中。為了有效地利用 DDR 內(nèi)存的高速讀寫特性，需要在 FPGA 中實(shí)現(xiàn) DDR 內(nèi)存控制器。本文將介紹如何在 FPGA 中實(shí)現(xiàn) DDR 內(nèi)存控制器的基本原理、步驟以及注意事項(xiàng)。
  • DDR加終端匹配電阻和不加信號(hào)質(zhì)量的區(qū)別
    在高速DDR（雙數(shù)據(jù)速率）存儲(chǔ)器接口中，終端匹配電阻的設(shè)置是至關(guān)重要的。它可以影響信號(hào)傳輸?shù)姆€(wěn)定性、功耗以及系統(tǒng)整體性能。本文將探討DDR中加終端匹配電阻和不加信號(hào)質(zhì)量之間的區(qū)別，從工作原理、影響因素、性能表現(xiàn)等多個(gè)方面進(jìn)行比較。
    2898
    03/19 13:40
    DDR
  • rom、ram、flash、ddr、emmc都是什么
    ROM、RAM、Flash、DDR和eMMC是計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備中常見的存儲(chǔ)器類型。每種存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中扮演著不同的角色，具有各自的特點(diǎn)和應(yīng)用。本文將介紹這些存儲(chǔ)器的基本概念、工作原理和主要應(yīng)用。
    1.1萬
    02/05 13:42
  • ddr4x和ddr5的區(qū)別大不大
    內(nèi)存是計(jì)算機(jī)中至關(guān)重要的組成部分，影響著系統(tǒng)性能和穩(wěn)定性。在內(nèi)存領(lǐng)域，DDR（雙倍數(shù)據(jù)率）標(biāo)準(zhǔn)一直是主流。本文將探討DDR4X和DDR5這兩種主要的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)之間的區(qū)別，包括數(shù)據(jù)傳輸速度、功耗、容量和特征等方面。

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