DDR加終端匹配電阻和不加信號(hào)質(zhì)量的區(qū)別

DDR采用菊花鏈拓?fù)?/a>結(jié)構(gòu)時(shí)，由于信號(hào)傳輸線較長(zhǎng)通常需要在DDR末端加上終端匹配電阻，端接的方式有很多，但是都是為了解決信號(hào)的反射問題，通常為了消除信號(hào)的反射可以在信號(hào)的源端或者終端進(jìn)行解決，在源端處消除反射是采用電阻串聯(lián)的方式，在終端處消除反射是采用電阻并聯(lián)的方式（還有很多種端接），今天我們一起來看一下在采用菊花鏈拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)時(shí)，末端加匹配電阻和不加匹配電阻時(shí)信號(hào)的質(zhì)量有多大的區(qū)別。

信號(hào)末端終端匹配電阻

本次我們將從這個(gè)內(nèi)存條PCB板中提取地址線拓?fù)湟許igXplorer軟件觀察添加匹配電阻和不添加匹配電阻時(shí)信號(hào)的傳輸質(zhì)量，本次案例為雙通道DDR3一拖8正反貼菊花鏈拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，通過軟件提取在經(jīng)過我們整理之后的拓?fù)淙缦聢D所示

信號(hào)從驅(qū)動(dòng)端U21開始傳輸，依次經(jīng)過的DDR顆粒為U14和U5 ?U6和U15 ?U7和U16 ??U8和U17,最后接上39ohm終端匹配電阻RN106，我們提取了其中一根地址線A3，激勵(lì)信號(hào)為533MHZ，觀察他的眼圖結(jié)果

以上為地址線A3的眼圖情況，根據(jù)菊花鏈的信號(hào)流向我們可以分辨出最左邊黃色信號(hào)為信號(hào)的驅(qū)動(dòng)端，右邊信號(hào)為8個(gè)DDR3顆粒的信號(hào)。

我們觀察眼圖結(jié)果會(huì)發(fā)現(xiàn)整體信號(hào)有效，可以很明顯的觀察到眼寬與眼高，在加了端接電阻之后，最靠近驅(qū)動(dòng)端的兩片DDR顆粒信號(hào)質(zhì)量和靠近匹配電阻的兩片DDR顆粒相對(duì)比會(huì)發(fā)現(xiàn)，靠近匹配電阻的兩片DDR顆粒信號(hào)質(zhì)量較差，過沖和下沖嚴(yán)重一些。但是信號(hào)質(zhì)量合格沒有出現(xiàn)跌破VIH和VIL的情況。

上圖為不加端接電阻時(shí)的信號(hào)眼圖結(jié)果，我們可以看到信號(hào)的眼寬與眼高非常的窄，信號(hào)的VIH和VIL過線之后保持時(shí)間短，信號(hào)質(zhì)量差，我們?cè)俅斡^察了靠近驅(qū)動(dòng)端的兩個(gè)DDR顆粒的眼圖結(jié)果和最末端的兩顆DDR顆粒的眼圖結(jié)果，我們會(huì)發(fā)現(xiàn)在不加端接電阻的時(shí)候眼圖結(jié)果和加端接電阻的時(shí)候結(jié)果相反，靠近驅(qū)動(dòng)端的兩個(gè)DDR顆粒質(zhì)量非常差，眼寬與眼高非常窄，然而最遠(yuǎn)端的兩片DDR顆粒質(zhì)量反而會(huì)好很多，雖然也有明顯的上沖和下沖，但是眼寬和眼高相對(duì)來說比較清晰。

我們可以通過以上仿真結(jié)果分析出，在采用菊花鏈拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)時(shí)，端接電阻是很有必要加的，端接電阻有非常明顯的改善效果，但是需要注意的是，端接電阻務(wù)必要和傳輸線阻抗相匹配才可以達(dá)到最佳的改善能力。