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隨著集成電路制造不斷向更先進工藝發(fā)展，單位面積集成的電路規(guī)模不斷擴大，芯片內部立體結構日趨復雜，所需要的薄膜層數越來越多，對絕緣介質薄膜、導電金屬薄膜的材料種類和性能參數不斷提出新的要求。在 90nm CMOS 工藝，大約需要 40 道薄膜沉積工序。在 3nmFinFET 工藝產線，需要超過 100 道薄膜沉積工序，涉及的薄膜材料由 6 種增加到近 20 種，對于薄膜顆粒的要求也由微米級提高到納

王兵

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12/10 09:18

與非研究院 CVD

5nm已量產，3nm還會遠嗎？重要性比肩光刻機的刻蝕設備——中微公司

晶圓制造設備從類別上講可以分為刻蝕、光刻、薄膜沉積、檢測、涂膠顯影等十多類，其合計投資總額通常占整個晶圓廠投資總額的 75%左右，其中刻蝕設備、光刻設備、薄膜沉積設備是集成電路前道生產工藝中最重要的三類設備。根據Gartner統(tǒng)計的數據，2013年至2023年，半導體前道設備中，干法刻蝕設備市場年均增速超過15%，化學薄膜設備市場年均增速超過14%，這兩類設備增速遠高于其他種類的設備。圖|20

王兵

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11/12 10:37

與非研究院 CVD

走過路過不要錯過，進來看看全球半導體CVD/ALD設備商統(tǒng)計數據吧

昨天發(fā)布了設備電源、離子源的供應商數據，我正考慮接下來發(fā)布什么數據時，就有我知識星球的會員私信向我要CVD設備的供應商數據。好吧，那我就整理發(fā)布一下吧，順便把ALD的也一并發(fā)布了

半導體綜研

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11/06 08:22

半導體設備 CVD

晶圓制造之化學氣相沉積CVD工藝

在制造集成電路時，有時候我們需要在硅片（也就是晶圓）表面上沉積一些特定的材料層，比如氮化硅（Si?N?）或氮氧化硅（SiON）。這些材料層不能直接從基板上生成，所以我們采用化學氣相沉積（CVD）這種方法。

老虎說芯

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09/17 10:25

晶圓制造 CVD

HDPCVD的原理

知識星球里的學員問：麻煩介紹下HDPCVD的具體用途，原理。什么是HDPCVD? HDPCVD，全名High Density Plasma Chemical Vapor Deposition，即高密度等離子體化學氣相沉積。它產生的等離子體密度非常高，通常在1011至1012 ions/cm3的量級。相比之下，PECVD的等離子體密度就很低了，在間隔寬度小于0.5μm的情況下，用PECVD填充高的

TOM聊芯片智造

3045

09/09 17:40

CVD HDPCVD

什么是FCVD？

學員問：昨天在直播的時候有你說FCVD，我之前是沒有聽過這類的CVD，可以詳細介紹一下嗎？FCVD，全稱是Flowable Chemical Vapor Deposition，即流動化學氣相沉積。結合了旋涂電介質 (SOD) 優(yōu)異的間隙填充性能和 CVD 的工藝穩(wěn)定性，用來制造線寬在20 納米以下的ILD（層間介電質）。

TOM聊芯片智造

1.2萬

08/15 08:37

CVD

晶圓制造CVD工藝面試知識點小結

無錫某Fab工程師工作5年的王工分享了CVD工藝崗位的面試問題及知識點如下，僅供參考：

老虎說芯

2235

08/14 09:06

晶圓制造 CVD

晶圓制造CVD工藝常見面試問題

在無錫某Fab工程師工作5年的王工分享了CVD工藝崗位的面試問題：這些問題覆蓋了CVD工藝的各個方面，包括基礎知識、工藝優(yōu)化、設備管理以及實際應用。

老虎說芯

4172

08/13 13:37

晶圓制造 CVD

用鉆石代替 GPS 來導航？

許多應用，包括手機和汽車傳感器，都廣泛使用磁力測量技術。傳感器通常很大、很貴，而且需要低溫冷卻，這對可用性有不利影響。為了獲得最高的靈敏度，金剛石驅動設備成為一種緊湊、便攜的選擇。近日，Element Six與其合作者SBQuantum 、英國華威大學分別發(fā)布了基于量子金剛石的應用拓展方面的合作進展。

DT半導體

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08/02 11:20

CVD 金剛石

晶圓？還是晶方？CVD金剛石晶圓尺寸怎么計算？

在以往的印象里，晶圓是圓的，芯片是方的。為什么叫晶圓？不叫晶方？為什么晶圓是圓的，芯片是方的？晶圓的尺寸怎么計算？……昨天，寧波晶鉆60 mm × 60 mm的單晶金剛石片在行業(yè)內引起熱度與討論，這是3.35英寸？還是2.36英寸？業(yè)內究竟以什么為標準？

DT半導體

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08/02 11:06

晶圓 CVD

3.35英寸！寧波晶鉆同質外延單晶金剛石再次突破

近日，在寧波晶鉆科技股份有限公司的金剛石產業(yè)園內，一顆顆CVD大單晶金剛石如期上線。其中，一顆60 mm?×?60 mm的單晶金剛石片映入眼簾。據了解，該金剛石片采用的是同質外延生長技術，這不是晶鉆科技的首次突破！

DT半導體

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07/31 09:10

CVD 金剛石

特瑞堡完成半導體收購，擴大在亞洲的產能

Trelleborg完成了對韓國領先制造商MNE Group的收購，大大增強了其在半導體密封市場的能力。 MNE集團由材料納米工程和材料納米解決方案公司組成，主要為售后市場和原始設備制造商生產高性能特種密封件。此次收購為特瑞堡密封解決方案公司提供了新的產品和能力，并與全球最大的半導體本土市場之一的一些最重要的制造商建立了客戶聯(lián)系。 Trelleborg Sealing Solutions業(yè)務區(qū)總裁

與非網編輯

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05/16 16:13

半導體 CVD

流量控制器在半導體加工工藝化學氣相沉積（CVD）的應用

薄膜沉積是在半導體的主要襯底材料上鍍一層膜。這層膜可以有各種各樣的材料，比如絕緣化合物二氧化硅，半導體多晶硅、金屬銅等。用來鍍膜的這個設備就叫薄膜沉積設備。薄膜制備工藝按照其成膜方法可分為兩大類：物理氣相沉積(PVD)和化學氣相沉積（CVD），其中CVD工藝設備占比更高。

sensorera

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03/29 07:37

CVD 流量控制器

如何選擇合適的前驅體用于特定的CVD工藝

在化學氣相沉積（CVD）工藝中，選擇合適的前驅體是確保薄膜生長質量和性能的關鍵因素之一。不同的前驅體具有不同的熱解特性、反應活性和產物形成路徑，因此在選擇前驅體時需要考慮其與基片和工藝條件的匹配性。本文將探討如何選擇合適的前驅體用于特定的CVD工藝，以實現高效、穩(wěn)定和優(yōu)質的薄膜生長。

eefocus_3901714

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08/20 10:04

CVD

如何判斷CVD工藝中前驅體的使用效率？如果效率降低，你會如何改進

在化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition，CVD）工藝中，前驅體的使用效率對于薄膜生長過程和最終產品的質量很重要。有效地利用前驅體可以提高生產效率、減少成本，并優(yōu)化薄膜的性能。本文將探討如何判斷CVD工藝中前驅體的使用效率以及針對效率下降情況需要采取的改進措施。

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08/20 09:57

CVD

CVD設備中的真空泄漏問題如何解決

在化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition, CVD）設備中，保持恰當的真空度是確保生長薄膜質量和提高生產效率的關鍵因素之一。然而，真空系統(tǒng)常常面臨泄漏問題，可能會嚴重影響反應室內壓力和氣氛控制，從而導致產品質量下降。本文將探討CVD設備中的真空泄漏問題，以及解決這些問題的方法。

eefocus_3901714

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08/20 09:55

CVD

如何進行CVD設備的日常維護以確保工藝的穩(wěn)定性

化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition, CVD）是一種重要的薄膜生長技術，廣泛應用于半導體、光電子、材料科學等領域。為確保CVD工藝的穩(wěn)定性和薄膜質量，日常維護很有必要。本文將探討如何進行CVD設備的日常維護，以確保工藝的穩(wěn)定性和薄膜生長的高質量。

eefocus_3901714

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08/20 09:53

CVD

在HDPCVD過程中，如果發(fā)現薄膜應力過高，可以采取什么措施

在高溫等離子化學氣相沉積（HDPCVD）過程中，薄膜的應力異常高可能會影響薄膜的結構和性能，甚至導致薄膜破裂。因此，及時采取措施來減輕或消除薄膜的應力至關重要。本文將討論在HDPCVD過程中，當發(fā)現薄膜應力過高時，可以采取哪些措施來解決這一問題。