ALD

• ALD,ALE與傳統(tǒng)技術相比的優(yōu)勢？
  學員問：ALD（原子層沉積），ALE（原子層刻蝕）與傳統(tǒng)的沉積，刻蝕技術相比，有什么優(yōu)勢？如上圖，先說第一行，第一行是傳統(tǒng)鍍膜與ALD效果的對比，傳統(tǒng)薄膜沉積方法如 PECVD 或 PVD等，在高深寬比結構中，由于氣體進出受到了物理限制，側壁和底部區(qū)域的沉積速率不同。

  TOM聊芯片智造

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  12/20 16:07

  ALD ALD技術
• 先進邏輯和3D存儲的希望，PECVD、晶圓鍵合龍頭——拓荊科技
  

  隨著集成電路制造不斷向更先進工藝發(fā)展，單位面積集成的電路規(guī)模不斷擴大， 芯片內部立體結構日趨復雜，所需要的薄膜層數越來越多，對絕緣介質薄膜、導電金屬薄膜的材料種類和性能參數不斷提出新的要求。在 90nm CMOS 工藝，大約需要 40 道薄膜沉積工序。在 3nmFinFET 工藝產線，需要超過 100 道薄膜沉積工序，涉及的薄膜材料由 6 種增加到近 20 種，對于薄膜顆粒的要求也由微米級提高到納

  王兵

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  12/10 09:18

  與非研究院 CVD
• 越制裁，越強大！重要性比肩光刻機的刻蝕設備——北方華創(chuàng)
  

  美日荷相繼加大對華半導體設備出口限制，國產替代迫在眉睫。盡管中國是全球最大半導體消費市場，但本土化缺口明顯，2023 年芯片自產率僅 20%、半導體設備國產化率為 35%、高端刻蝕機等關鍵領域國產化率不足 10%。隨著國產晶圓廠的逆勢擴張、海外制裁趨緊，本土半導體設備廠商有望擴大份額，預計2025年國產化率將達50%。 前面文章我們分析了國產半導體設備龍頭之一的中微公司，今天我們繼續(xù)深入研究半導體

  王兵

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  11/26 12:10

  與非研究院 NAND
• 5nm已量產，3nm還會遠嗎？重要性比肩光刻機的刻蝕設備——中微公司
  

  晶圓制造設備從類別上講可以分為刻蝕、光刻、薄膜沉積、檢測、涂膠顯影等十多類，其合計投資總額通常占整個晶圓廠投資總額的 75%左右，其中刻蝕設備、光刻設備、薄膜沉積設備是集成電路前道生產工藝中最重要的三類設備。 根據Gartner統(tǒng)計的數據，2013年至2023年，半導體前道設備中，干法刻蝕設備市場年均增速超過15%，化學薄膜設備市場年均增速超過14%，這兩類設備增速遠高于其他種類的設備。 圖|20

  王兵

  8922

  11/12 10:37

  與非研究院 CVD
• 一項多尺度模擬技術，打通ALD的材料—過程—裝備？
  

  今天我們對話的這位專家是來自華東理工大學化工學院的莊黎偉教授，他在原子層沉積工藝中進行了非常多的探索，今天我們就請莊教授和我們一起來聊聊他所從事的事情，請莊教授和大家打個招呼。

  芯片揭秘

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  04/01 16:46

  ALD ALD技術
• 在使用ALD工藝沉積氧化物時，如何確保反應完全且薄膜厚度可控
  原子層沉積（Atomic Layer Deposition，ALD）是一種精密的薄膜沉積技術，被廣泛應用于半導體、光電子和納米技術領域。在沉積氧化物薄膜時，確保反應完全并控制薄膜厚度是至關重要的，這直接影響到薄膜的質量和性能。本文將探討如何在使用ALD工藝沉積氧化物時，確保反應完全并控制薄膜厚度。

  eefocus_3901714

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  08/19 09:18

  ALD ALD技術
• ALD（原子層沉積）與CVD的異同點有哪些
  ALD（Atomic Layer Deposition，原子層沉積）和CVD（Chemical Vapor Deposition，化學氣相沉積）是常用的薄膜沉積技術，在材料科學、納米技術和半導體工業(yè)等領域有著廣泛的應用。雖然它們都用于沉積薄膜，但在原理、工作機制和特點上存在著一些顯著的不同。

  eefocus_3901714

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  08/16 13:37

  CVD ALD

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