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3D NAND

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類(lèi)型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。

3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類(lèi)型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。收起

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    國(guó)芯筑夢(mèng) 南天門(mén)啟航 科摩思發(fā)布旗艦SSD性能高達(dá)7100MB/s
    超盈智能科技蟄伏存儲(chǔ)行業(yè)13年，專(zhuān)注于產(chǎn)品封測(cè)和嵌入式存儲(chǔ)解決方案，強(qiáng)勁的產(chǎn)品篩選能力對(duì)產(chǎn)品的來(lái)料有著嚴(yán)格的把控，產(chǎn)品穩(wěn)定性得到高度保證?，F(xiàn)旗下科摩思品牌首次推出消費(fèi)類(lèi)存儲(chǔ)固態(tài)硬盤(pán)赤霄白帝KM7000，搭載PCIe 4.0 NVMe 2.0協(xié)議，以高性能和超大容量存儲(chǔ)為游戲玩家、內(nèi)容創(chuàng)作者提供高速存儲(chǔ)新體驗(yàn)。 科摩思消費(fèi)類(lèi)存儲(chǔ)產(chǎn)品研發(fā)以問(wèn)天戰(zhàn)甲為理念，從南天門(mén)計(jì)劃構(gòu)思中研發(fā)出赤霄白帝、天河玄女及承
  • 1000層NAND，是“勇者”的游戲
    1000層NAND，是“勇者”的游戲
    最近，鎧俠首席技術(shù)官 (CTO) Hidefumi Miyajima表示，計(jì)劃將在2031年批量生產(chǎn)超過(guò) 1,000 層的 3D NAND 存儲(chǔ)器。不少人感嘆，NAND終究是卷到了1000層。其實(shí)，在去年的IEEE論壇上，三星也提出了類(lèi)似的觀點(diǎn)，預(yù)測(cè)到2030年將出現(xiàn)1000層NAND。1000層NAND，是“勇者”的游戲。
  • 閃存大會(huì)上幾個(gè)好消息
    閃存大會(huì)上幾個(gè)好消息
    每年春天，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最讓人期待的盛會(huì)莫過(guò)于閃存大會(huì)和SEMICON。今天來(lái)聊聊閃存大會(huì)（CFMS | MemoryS 2024）。3月20日，2024年閃存大會(huì)在深圳前海舉行，大會(huì)匯集了全球三大存儲(chǔ)原廠以及眾多產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)。據(jù)主辦方透露，今年大會(huì)總參與企業(yè)超過(guò)1500家，預(yù)計(jì)到場(chǎng)人數(shù)超過(guò)4000人。
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    03/25 08:40
  • 千億美元蛋糕！3D DRAM分食之戰(zhàn)悄然開(kāi)局
    千億美元蛋糕！3D DRAM分食之戰(zhàn)悄然開(kāi)局
    從目前公開(kāi)的DRAM（內(nèi)存）技術(shù)來(lái)看，業(yè)界認(rèn)為，3D DRAM是DRAM技術(shù)困局的破解方法之一，是未來(lái)內(nèi)存市場(chǎng)的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業(yè)技術(shù)痛點(diǎn)？大廠布局情況？
  • 使用SEMulator3D進(jìn)行虛擬工藝故障排除和研究
    使用SEMulator3D進(jìn)行虛擬工藝故障排除和研究
    SEMulator3D 工藝建模在開(kāi)發(fā)早期識(shí)別工藝和設(shè)計(jì)問(wèn)題，減少了開(kāi)發(fā)延遲、晶圓制造成本和上市時(shí)間 現(xiàn)代半導(dǎo)體工藝極其復(fù)雜，包含成百上千個(gè)互相影響的獨(dú)立工藝步驟。在開(kāi)發(fā)這些工藝步驟時(shí)，上游和下游的工藝模塊之間常出現(xiàn)不可預(yù)期的障礙，造成開(kāi)發(fā)周期延長(zhǎng)和成本增加。本文中，我們將討論如何使用 SEMulator3D?中的實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì) (DOE) 功能來(lái)解決這一問(wèn)題。 在 3D NAND 存儲(chǔ)器件的制造中，有
  • 長(zhǎng)江存儲(chǔ)“亮劍”：在美起訴美光侵犯其8項(xiàng)3D NAND專(zhuān)利！
    長(zhǎng)江存儲(chǔ)“亮劍”：在美起訴美光侵犯其8項(xiàng)3D NAND專(zhuān)利！
    長(zhǎng)江存儲(chǔ)在起訴書(shū)中稱(chēng)，美光的128層、176層等諸多系列3D NAND侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)上訴8項(xiàng)專(zhuān)利。美光在未經(jīng)授權(quán)的情況下利用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專(zhuān)利技術(shù)來(lái)與長(zhǎng)江存儲(chǔ)進(jìn)行競(jìng)爭(zhēng)，保護(hù)其市場(chǎng)份額，侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的利益，遏制了其創(chuàng)新的動(dòng)力。
  • 3D NAND還是卷到了300層
    3D NAND還是卷到了300層
    近日，三星電子宣布計(jì)劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據(jù)爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu)，并超過(guò) 300 層。同樣在8月，SK 海力士表示將進(jìn)一步完善 321 層 NAND 閃存，并計(jì)劃于 2025 年上半期開(kāi)始量產(chǎn)。早在5月份，據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報(bào)道，西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實(shí)現(xiàn)8平面3D NAND設(shè)備以及超過(guò)300字線的3D NAND IC。3D NAND終究還是卷到了300層……
  • 長(zhǎng)存被制裁一年后，三星、SK海力士宣布3D NAND將邁入300層！
    長(zhǎng)存被制裁一年后，三星、SK海力士宣布3D NAND將邁入300層！
    2022年，美光、SK海力士、三星等相繼量產(chǎn)了232層3D NAND Flash，但是在美方的制裁之下，長(zhǎng)存128層及以上NAND Flash的供應(yīng)鏈?zhǔn)艿絿?yán)重阻礙。在此背景之下，這些國(guó)際大廠紛紛加速邁向300層，希望能主導(dǎo)未來(lái)3D NAND Flash的技術(shù)路線。今年8月初，SK海力士公布了其最新的321層堆疊4D NAND Flash閃存樣品。近日三星也被爆出將會(huì)在明年推出擁有超過(guò)300層堆疊的第9代V-NAND技術(shù)，未來(lái)的第10代V-NAND技術(shù)將可能達(dá)到 430層芯片。
  • 使用新一代高度可調(diào)的低介電薄膜來(lái)解決串?dāng)_、隔離等制造挑戰(zhàn)
    使用新一代高度可調(diào)的低介電薄膜來(lái)解決串?dāng)_、隔離等制造挑戰(zhàn)
    很少有比半導(dǎo)體制造迭代得更快的行業(yè)，這對(duì)開(kāi)發(fā)和整合日新月異的生產(chǎn)工藝組合提出了不斷挑戰(zhàn)。半導(dǎo)體行業(yè)一直面臨著如3D整合等新問(wèn)題和像串?dāng)_這樣持續(xù)存在的問(wèn)題，因而需要工程師們的智慧和創(chuàng)造力確保技術(shù)的與時(shí)俱進(jìn)，也需要像SPARC這樣的創(chuàng)新設(shè)備支持技術(shù)的實(shí)現(xiàn)，以確?！懊織l信息都被清楚聽(tīng)到”。
  • 背面供電與DRAM、3D NAND三大技術(shù)的未來(lái)預(yù)測(cè)
    背面供電與DRAM、3D NAND三大技術(shù)的未來(lái)預(yù)測(cè)
    最近有許多正在全球范圍內(nèi)研究和開(kāi)發(fā)的技術(shù)，例如晶體管GAA（Gate All around）、背面供電以及3D IC。“VLSI研討會(huì)2023”（VLSI2023）于2023年6月11日至16日在京都麗嘉皇家酒店舉行。今年VLSI2023提交的論文數(shù)量為273篇，比去年夏威夷舉辦的232篇多了41篇。這273篇論文是近10年來(lái)提交論文數(shù)量最多的。錄用論文數(shù)量達(dá)到89篇，創(chuàng)歷史新高。然而，錄用率只有33%。
  • 泛林集團(tuán)推出全球首個(gè)晶圓邊緣沉積解決方案以提高芯片良率
    泛林集團(tuán)推出全球首個(gè)晶圓邊緣沉積解決方案以提高芯片良率
    近日，泛林集團(tuán) (Nasdaq: LRCX) 推出了Coronus DX產(chǎn)品，這是業(yè)界首個(gè)晶圓邊緣沉積解決方案，旨在更好地應(yīng)對(duì)下一代邏輯、3D NAND和先進(jìn)封裝應(yīng)用中的關(guān)鍵制造挑戰(zhàn)。隨著半導(dǎo)體芯片關(guān)鍵尺寸的不斷縮小，其制造變得越來(lái)越復(fù)雜，在硅晶圓上構(gòu)建納米級(jí)器件需要數(shù)百個(gè)工藝步驟。僅需一個(gè)工藝步驟，Coronus DX 可在晶圓邊緣的兩側(cè)沉積一層專(zhuān)有的保護(hù)膜，有助于防止在先進(jìn)半導(dǎo)體制造過(guò)程中經(jīng)常
  • 長(zhǎng)江存儲(chǔ)或?qū)⑼七t武漢第二家晶圓廠建設(shè)
    據(jù)消息人士透露，由于采購(gòu)供應(yīng)鏈中斷，長(zhǎng)江存儲(chǔ)可能推遲在武漢的第二家晶圓廠的建設(shè)。 據(jù)南華早報(bào)報(bào)道，清華大學(xué)集成電路學(xué)院教授魏少軍上周在論壇上贊揚(yáng)了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的技術(shù)創(chuàng)新，但警告說(shuō)，在美國(guó)對(duì)向中國(guó)出口尖端半導(dǎo)體技術(shù)實(shí)施制裁后，中國(guó)需要將重點(diǎn)轉(zhuǎn)移到成熟的技術(shù)開(kāi)發(fā)上。 外國(guó)芯片專(zhuān)家表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)技術(shù)進(jìn)步和批量生產(chǎn)的能力將受到其無(wú)法免費(fèi)獲得美國(guó)芯片制造工具和服務(wù)的阻礙。 研究機(jī)構(gòu)TrendForce也在一
  • 復(fù)享光學(xué)首次提出薄膜神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) 3D NAND多層薄膜量測(cè)獲突破
    據(jù)知名半導(dǎo)體和微電子情報(bào)提供商TechInsights報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的232層3D NAND閃存X3-9070已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，領(lǐng)先于三星、美光、SK海力士等廠商，這也是中國(guó)品牌在半導(dǎo)體領(lǐng)域首次領(lǐng)先于國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)者。 中國(guó)半導(dǎo)體在先進(jìn)制程制造上的持續(xù)重大突破，給國(guó)產(chǎn)量檢測(cè)設(shè)備的發(fā)展提出了同樣的要求，只有追求全產(chǎn)業(yè)鏈的整體提升，才能真正保持國(guó)際領(lǐng)先。復(fù)享光學(xué)作為國(guó)內(nèi)集成電路核心光譜零部件供應(yīng)商，配合設(shè)備廠商
  • 業(yè)界首發(fā)，不二選擇：美光推出全球首款232層NAND
    半導(dǎo)體行業(yè)十分有趣，同時(shí)也充滿挑戰(zhàn)。俗話說(shuō)，“打江山難，守江山更難”，這句話形容半導(dǎo)體行業(yè)十分貼切。我們需要頂住重重壓力，不斷突破物理、化學(xué)、制造和創(chuàng)新的極限，以推動(dòng)邏輯、內(nèi)存、存儲(chǔ)等計(jì)算器件的發(fā)展。
  • 高深寬比刻蝕和納米級(jí)圖形化推進(jìn)存儲(chǔ)器的路線圖
    隨著市場(chǎng)需求推動(dòng)存儲(chǔ)器技術(shù)向更高密度、更優(yōu)性能、新材料、3D堆棧、高深寬比 (HAR) 刻蝕和極紫外 (EUV) 光刻發(fā)展，泛林集團(tuán)正在探索未來(lái)三到五年生產(chǎn)可能面臨的挑戰(zhàn)，以經(jīng)濟(jì)的成本為晶圓廠提供解決方案。
  • EUV光刻機(jī)+172層3D NAND，2022存儲(chǔ)業(yè)新賽道攻略
    2021年，全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)先揚(yáng)后抑，前三個(gè)季度內(nèi)存價(jià)格一路攀升，第四季度卻轉(zhuǎn)為供過(guò)于求，價(jià)格開(kāi)始下跌。
  • 安集科技參加集成電路超級(jí)工藝技術(shù)Workshop
    11月19日，集成電路材料產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟與科百特聯(lián)合舉辦的2021集成電路超凈工藝技術(shù)Workshop在杭州蕭山區(qū)順利舉行。會(huì)議采用了線上線下同時(shí)進(jìn)行的形式。
  • 景氣猶如過(guò)山車(chē) 明年內(nèi)存市場(chǎng)趨勢(shì)隱現(xiàn)
    今年全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)景氣猶如過(guò)山車(chē)，上半年還如日中天，而第四季度開(kāi)始掉頭向下，一波谷底行情逼近。個(gè)中原因既有疫情對(duì)應(yīng)用市場(chǎng)的影響，也有內(nèi)存產(chǎn)業(yè)自身發(fā)展周期的擾動(dòng)。
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    2021/11/23
  • 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程與當(dāng)前挑戰(zhàn)
    世界上最早的全電子化存儲(chǔ)器是1947年在曼徹斯特大學(xué)誕生的威廉姆斯-基爾伯恩管 (Williams-Kilburn tube)，其原理是用陰極射線管在屏幕表面上留下記錄數(shù)據(jù)的“點(diǎn)”。
  • 適用于工業(yè)應(yīng)用的高可靠性SD存儲(chǔ)卡系列
    Swissbit推出有針對(duì)性的新產(chǎn)品S-50和S-56系列，擴(kuò)充其著名的工業(yè)級(jí)SD存儲(chǔ)卡產(chǎn)品線。這一全新產(chǎn)品基于工業(yè)級(jí)3D NAND技術(shù)，將閃存芯片與功能強(qiáng)大的控制器和高端固件集成起來(lái)，以在穩(wěn)健的外殼中提供最高的可靠性。

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