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長江存儲“亮劍”:在美起訴美光侵犯其8項3D NAND專利!

2023/11/13
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11月11日消息,芯智訊通過美國加州北區(qū)地方法院最新公布的信息了解到,中國3D NAND閃存制造商——長江存儲科技有限責(zé)任公司(以下簡稱“長江存儲”)已于11月9日在美國加州北區(qū)地方法院對美國美光科技公司(MICRON)和美光消費類產(chǎn)品事業(yè)部(MICRON CONSUMER PRODUCTS GROUP, LLC)(以下統(tǒng)稱“美光”)提起訴訟,指控美光侵犯了其8項與3D NAND相關(guān)的美國專利。

據(jù)悉,本次涉案的長江存儲的美國專利包括:US10,950,623(3D NAND存儲器件及其形成方法)、US11,501,822(非易失性存儲裝置及控制方法)、US10,658,378(三維存儲器件的直通陣列接觸 (TAC))、US10,937,806 (三維存儲器件的直通陣列接觸 (TAC))、US10,861,872(三維存儲器件及其形成方法) 、US11,468,957(NAND存儲器操作的體系結(jié)構(gòu)和方法)、US11,600,342(三維閃存的讀取方法)、US10,868,031(多層堆疊三維存儲器件及其制造方法)。

 

 

長江存儲在起訴書中稱,美光的128層、176層等諸多系列3D NAND侵犯了長江存儲上訴8項專利。美光在未經(jīng)授權(quán)的情況下利用長江存儲的專利技術(shù)來與長江存儲進(jìn)行競爭,保護(hù)其市場份額,侵犯了長江存儲的利益,遏制了其創(chuàng)新的動力。

長江存儲表示,目前其已經(jīng)是全球3D NAND市場的領(lǐng)導(dǎo)者。2022年11月,半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)TechInsights在一項分析后得出的結(jié)論:“長江存儲所取得的成就令人驚嘆,現(xiàn)在是3D NAND 閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者”,“一舉超越了美光”。

特別值得一提的是,近年來,隨著3D NAND技術(shù)堆疊到128層甚至更高,外圍CMOS電路所占據(jù)的芯片面積或?qū)⑦_(dá)到50%以上。為了解決這一問題,長江存儲在2018年推出了自研的創(chuàng)新的Xtacking技術(shù)。

Xtacking是通過將兩塊獨立的晶圓分別制造NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路,然后將CMOS邏輯電路堆疊在NAND陣列之上,二者之間的垂直連接則需要相應(yīng)的鍵合技術(shù)來實現(xiàn),形成間距為10μm 及以下的互連,且不會影響 I/O 性能。另外,由于兩種類型的芯片可以在不同的生產(chǎn)線上制造,因此可以使用各自優(yōu)化的工藝節(jié)點分別生產(chǎn),不僅可以縮短生產(chǎn)周期,還可以降低制造復(fù)雜度和成本。此外,該技術(shù)也使得每平方毫米的存儲密度、性能和可擴(kuò)展性可以進(jìn)一步提高。目前長江存儲的Xtacking技術(shù)已經(jīng)進(jìn)展到了3.0版本。

資料顯示,長江存儲科成立于2016年7月,總部位于“江城”武漢, 是一家專注于3D NAND閃存設(shè)計制造一體化的IDM集成電路企業(yè),同時也提供完整的存儲器解決方案。

2017年10月,長江存儲通過自主研發(fā)和國際合作相結(jié)合的方式,成功設(shè)計制造了中國首款3D NAND閃存。2019年9月,搭載長江存儲自主創(chuàng)新 Xtacking? 架構(gòu)的第二代TLC 3D NAND閃存正式量產(chǎn)。2020年4月,長江存儲宣布第三代TLC/QLC兩款產(chǎn)品研發(fā)成功,其中X2-6070型號作為首款第三代QLC閃存,擁有發(fā)布之時*業(yè)界*最高的I/O速度,最高的存儲密度和最高的單顆容量。

截至目前長江存儲已在武漢、北京等地設(shè)有研發(fā)中心,全球共有員工8000余人,其中研發(fā)工程技術(shù)人員6000余人。

作為國內(nèi)最大的3D NAND制造廠商,長江存儲經(jīng)過多年的發(fā)展,目前在技術(shù)上已經(jīng)達(dá)到了三星、SK海力士、美光等一線NAND技術(shù)廠商的水平,并且憑借創(chuàng)新的Xtacking架構(gòu)實現(xiàn)了存儲密度上的領(lǐng)先。不過,自去年以來,由于受到美方的打壓,無法獲取先進(jìn)的美日荷設(shè)備,產(chǎn)能擴(kuò)張受到了限制。

此次,長江存儲通過對美國存儲芯片大廠美光發(fā)起專利訴訟,維護(hù)自身權(quán)益,不僅反應(yīng)了自身技術(shù)的領(lǐng)先性,也體現(xiàn)了國內(nèi)受制企業(yè)敢于“亮劍”的精神。

編輯:芯智訊-浪客劍

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長江存儲科技有限責(zé)任公司成立于2016年7月,總部位于“江城”武漢, 是一家專注于3D NAND閃存設(shè)計制造一體化的IDM集成電路企業(yè),同時也提供完整的存儲器解決方案。長江存儲為全球合作伙伴供應(yīng)3D NAND閃存晶圓及顆粒, 嵌入式存儲芯片以及消費級、企業(yè)級固態(tài)硬盤等產(chǎn)品和解決方案,廣泛應(yīng)用于移動通信、消費數(shù)碼、計算機(jī)、服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心。

長江存儲科技有限責(zé)任公司成立于2016年7月,總部位于“江城”武漢, 是一家專注于3D NAND閃存設(shè)計制造一體化的IDM集成電路企業(yè),同時也提供完整的存儲器解決方案。長江存儲為全球合作伙伴供應(yīng)3D NAND閃存晶圓及顆粒, 嵌入式存儲芯片以及消費級、企業(yè)級固態(tài)硬盤等產(chǎn)品和解決方案,廣泛應(yīng)用于移動通信、消費數(shù)碼、計算機(jī)、服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心。收起

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