長江存儲或?qū)⑼七t武漢第二家晶圓廠建設(shè)

據(jù)消息人士透露，由于采購供應(yīng)鏈中斷，長江存儲可能推遲在武漢的第二家晶圓廠的建設(shè)。

據(jù)南華早報報道，清華大學集成電路學院教授魏少軍上周在論壇上贊揚了長江存儲的技術(shù)創(chuàng)新，但警告說，在美國對向中國出口尖端半導(dǎo)體技術(shù)實施制裁后，中國需要將重點轉(zhuǎn)移到成熟的技術(shù)開發(fā)上。

外國芯片專家表示，長江存儲實現(xiàn)技術(shù)進步和批量生產(chǎn)的能力將受到其無法免費獲得美國芯片制造工具和服務(wù)的阻礙。

研究機構(gòu)TrendForce也在一份研究報告中指出，如果沒有關(guān)鍵設(shè)備供應(yīng)商的支持，長江存儲現(xiàn)在在其最新的3D NAND閃存技術(shù)Xtacking 3.0的開發(fā)中面臨著巨大的技術(shù)障礙。尤其是提高128層和232層工藝的良率對中國內(nèi)存制造商來說將極具挑戰(zhàn)性。

據(jù)一位業(yè)內(nèi)人士透露，由于采購供應(yīng)鏈中斷，長江存儲甚至可能推遲在武漢的第二家晶圓廠的建設(shè)。另一位行業(yè)專家、華為前技術(shù)人員稱，長江存儲并不缺乏光刻系統(tǒng)，因為它在實施限制之前已購買數(shù)臺光刻系統(tǒng)，但挑戰(zhàn)在于泛林集團等供應(yīng)商的蝕刻工具。這些工具對于復(fù)雜的3D NAND晶圓制造工藝至關(guān)重要。