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雙極晶體管

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由兩個(gè)背靠背PN結(jié)構(gòu)成的以獲得電壓、電流或信號(hào)增益的晶體三極管。起源于1948年發(fā)明的點(diǎn)接觸晶體三極管，50年代初發(fā)展成結(jié)型三極管即現(xiàn)在所稱的雙極型晶體管。雙極型晶體管有兩種基本結(jié)構(gòu)：PNP型和NPN型。在這3層半導(dǎo)體中，中間一層稱基區(qū)，外側(cè)兩層分別稱發(fā)射區(qū)和集電區(qū)。當(dāng)基區(qū)注入少量電流時(shí)，在發(fā)射區(qū)和集電區(qū)之間就會(huì)形成較大的電流，這就是晶體管的放大效應(yīng)。

由兩個(gè)背靠背PN結(jié)構(gòu)成的以獲得電壓、電流或信號(hào)增益的晶體三極管。起源于1948年發(fā)明的點(diǎn)接觸晶體三極管，50年代初發(fā)展成結(jié)型三極管即現(xiàn)在所稱的雙極型晶體管。雙極型晶體管有兩種基本結(jié)構(gòu)：PNP型和NPN型。在這3層半導(dǎo)體中，中間一層稱基區(qū)，外側(cè)兩層分別稱發(fā)射區(qū)和集電區(qū)。當(dāng)基區(qū)注入少量電流時(shí)，在發(fā)射區(qū)和集電區(qū)之間就會(huì)形成較大的電流，這就是晶體管的放大效應(yīng)。收起

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  • 絕緣柵雙極晶體管
    絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一種重要的功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子設(shè)備和工業(yè)控制系統(tǒng)中。它集成了雙極晶體管（BJT）和金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的優(yōu)點(diǎn)，在高壓、高電流和高頻率條件下工作。IGBT具有可靠性高、開關(guān)速度快和低功耗等特點(diǎn)，因此被廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域，如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、變頻器、逆變器、電子焊接和電源系統(tǒng)等。
  • 雙極性晶體管
    雙極性晶體管（BJT），也稱為雙極型晶體管、雙極晶體管或晶體三極管，是一種基本的電子元件。它由兩個(gè)PN結(jié)組成，并具有三個(gè)或更多的區(qū)域連接。BJT是一種三層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，由P型或N型半導(dǎo)體夾在兩層相反類型的半導(dǎo)體之間構(gòu)成。
  • 雙極型晶體管
    雙極型晶體管，也稱為BJT（Bipolar Junction Transistor），是一種三端元件，可以被用于電路中的放大器、開關(guān)和其他應(yīng)用。它由兩個(gè)PN結(jié)級(jí)聯(lián)構(gòu)成，其中一個(gè)PN結(jié)稱為發(fā)射區(qū)，另一個(gè)則稱為集電區(qū)。這兩個(gè)區(qū)分別與控制接口（即基極）連接。
  • 什么是單極型晶體管和雙極型晶體管?單極晶體管和雙極晶體管區(qū)別
    晶體管（Transistor），是由半導(dǎo)體材料制成的電子元器件，廣泛用于放大、開關(guān)等工作模式。根據(jù)結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的不同，晶體管可以分為單極型晶體管（Unipolar Transistor）和雙極型晶體管（Bipolar Transistor）。