汽車應(yīng)用中的低 VCE(sat) BJT

2024/01/10 作者：安森美半導體

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汽車應(yīng)用中的低 VCE(sat) BJT

低 VCE(sat) 雙極晶體管 (BJT) 是汽車管理電路中功率開關(guān)平面 MOSFET 的極具吸引力的替代品。事實證明，它們比同等尺寸的平面 MOSFET 具有更強的 ESD 魯棒性、功耗更低，而且通常成本更低，從而降低了系統(tǒng)成本。本應(yīng)用筆記將討論低 VCE(sat) BJT 在汽車電源管理電路中的使用。

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安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、航空及電源應(yīng)用的獨特設(shè)計挑戰(zhàn)，既快速又符合高性價比。公司在北美、歐洲和亞太地區(qū)之關(guān)鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處及設(shè)計中心在內(nèi)的世界一流、增值型供應(yīng)鏈和網(wǎng)絡(luò)。