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sot1921-3_D HQFN24,熱增強(qiáng)型四平面封裝

2023/04/25
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封裝摘要

引腳位置代碼 Q (四角)

封裝類(lèi)型描述代碼 HQFN24

封裝風(fēng)格描述代碼 HQFN(熱增強(qiáng)型四平面封裝; 無(wú)引腳)

封裝體材料類(lèi)型 P(塑料)

安裝方法類(lèi)型 S(表面貼裝)

發(fā)行日期 26-07-2019

制造商封裝代碼 98ASA01454D

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SQJ409EP-T1_GE3 1 Vishay Intertechnologies Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.007ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8L, 4 PIN

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B4B-PH-K-S(LF)(SN) 1 JST Manufacturing Board Connector, 4 Contact(s), 1 Row(s), Male, Straight, Solder Terminal, ROHS COMPLIANT

ECAD模型

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BC847B,215 1 NXP Semiconductors BC847 series - 45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors TO-236 3-Pin
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恩智浦

恩智浦

恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實(shí)現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。

恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實(shí)現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。收起

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