【一周行情】DRAM價格回補(bǔ)，NAND Flash價格波動，原因是？

DRAM價格回補(bǔ)1本周DRAM現(xiàn)貨市場買氣疲弱，多半工廠大致備有近2個月庫存，在終端需求不明情況下，買家皆持觀望態(tài)度，DDR3及DDR4部分容量顆粒因先前跳漲過快，價格出現(xiàn)回補(bǔ)，不過整體DRAM顆粒供貨仍是吃緊，預(yù)期未來價格可望維持高檔態(tài)勢。

DDR4 1Gx8 2400/2666/3200部分，SK Hynix DJR-XNC價格稍有下跌，來到USD5.10左右，CJR-VKC下跌至USD4.95左右；Samsung WC-BCTD現(xiàn)貨報價為USD6.17附近，WB-BCRC價格下修來到USD4.25~4.30，AFR-UHC落在USD4.3x左右。

DDR4 512x8 2400部分，Samsung WE-BCRC由于現(xiàn)貨量短缺，價格高漲，約落在USD3.65~3.80。

DDR4 512x16 2400/2666部分，SK Hynix CJR-VKC報價在USD5.40；Samsung WC-BCTD報價下修至USD6.25，WB-BCRC價格為USD6.20~6.30。

DDR4 256x16部分，Samsung WE-BCRC報價在USD3.18~3.20。

模組現(xiàn)貨價格參考：

KST DDR3 2G 1600/1866 $14.00KST DDR3 4G 1600/1866 $25.00KST DDR3 8G 1600/1866 $48.00KST DDR4 4G 2666 $22.50KST DDR4 8G 2666 $39.50 KST DDR4 16G 2666 $76.50KST DDR4 32G 2666 $150.25KST DDR4 4G 3200 $22.75KST DDR4 8G 3200 $40.50KST DDR4 16G 3200 $78.25KST DDR4 32G 3200 $153.75
NAND Flash市場價格波動2

本周NAND Flash整體動能仍受SSD短缺及eMMC急速拉抬影響，市場價格相對波動。成卡報價雖微幅向上調(diào)整，但因終端接受價格有限，且大多受交期制約，實際成交量無法放大延續(xù)，導(dǎo)致現(xiàn)貨wafer交易情況不甚理想，成交價格略顯疲軟，連帶影響顆粒報價回檔修正。

但在Kioxia供貨短缺，急單拉抬下，SLC盤勢出現(xiàn)較明顯上漲，且成交價格逐步攀升；MLC顆粒部分亦受到Kioxia高容量品項拉抬，盤勢積極走揚(yáng)；反觀TLC部分，表現(xiàn)則較為振蕩，但在周四eMMC顆粒有低價到貨消息釋出，部分現(xiàn)貨商積極出售獲利了結(jié)，價格波動影響市場報價漲幅趨緩，實際交易量轉(zhuǎn)為保守。

其中，Samsung SLC顆粒受到Kioxia供貨短缺影響，部分詢單轉(zhuǎn)向2G顆粒，互相拉抬下，盤勢略為走揚(yáng)，但部分交易仍受限于品牌報價偏高，最終交易情況仍受局限。

SK Hynix SLC顆粒報價受大盤影響，2G/4G低價部位皆有詢單釋出，現(xiàn)貨供應(yīng)量不足，賣方報價大幅跳空，買家接受度有限，僅在4G低價部位有零星成交。

Micron SLC顆粒報價隨盤勢走揚(yáng)，但其實詢單需求不如預(yù)期，盤勢微幅振蕩后趨緩。

Kioxia SLC顆粒原廠端供貨吃緊，現(xiàn)貨急單涌現(xiàn)，整體盤勢大幅跳空，相對低價部位有些許成交，但大多仍受限于現(xiàn)貨量不足，實際成交量無法放大。

TF卡成交量縮減3本周TF卡表現(xiàn)持續(xù)冷清，整體需求力道依然不足，買家持續(xù)保持觀望態(tài)度，市場報價稍有增加，整體價格呈現(xiàn)下滑趨勢，買價始終偏低，整體成交量有所縮減。

以下為OEM廠商、Kioxia以及SandDisk各自在本周的報價表現(xiàn)。