SK海力士HBM生產(chǎn)效率高8.8倍，三星、美光又被狠甩！

9月25日（當(dāng)?shù)貢r間）在美國加利福尼亞州圣克拉拉會議中心一張幻燈片一發(fā)布，會議室里的半導(dǎo)體行業(yè)人士就議論紛紛。這是因為 SK 海力士披露了有關(guān)其高帶寬內(nèi)存（HBM）的重要信息——“TAT 8.8 ：1?！?/p>

在半導(dǎo)體行業(yè)中，將硅晶圓經(jīng)過整個流程并形成成品芯片所需的時間稱為 TAT（周轉(zhuǎn)時間）。業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為HBM的TAT為3~4個月。制造HBM的方法主要有兩種，即堆疊DRAM制成的芯片，“三巨頭”中，三星電子和美光使用TC-NCF工藝，SK海力士是唯一使用MR-MUF工藝的。

半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)人士解釋說：“假設(shè)SK海力士制造HBM需要1小時，那么其他公司需要8.8小時?！迸c競爭對手相比，SK海力士的HBM生產(chǎn)效率高出8.8倍。

另一位半導(dǎo)體行業(yè)人士表示，“如果這是真的，那么三星電子和美光暫時追上SK海力士并不容易?！边@一天，英偉達、英特爾、博通、谷歌等全球主要半導(dǎo)體公司人士出席了臺積電在硅谷主辦的論壇，并觀看了SK海力士的發(fā)布會。三星電子沒有出席本次論壇。

SK海力士通過參加全球最大晶圓代工廠（半導(dǎo)體代工生產(chǎn)）臺積電舉辦的“開放創(chuàng)新平臺（OIP）論壇”，展示了雙方的合作關(guān)系。SK海力士宣布參加9月25日（當(dāng)?shù)貢r間）在美國加利福尼亞州圣克拉拉會議中心舉辦的“OIP生態(tài)系統(tǒng)論壇2024”，并介紹了最新的人工智能（AI）內(nèi)存解決方案。

堆疊 8 塊 DRAM 使其成為 8 層 HBM 產(chǎn)品，堆疊 12 塊 DRAM 使其成為 12 層 HBM 產(chǎn)品。SK海力士表示，假設(shè)其他條件相同，每次使用TC-NCF方法堆疊DRAM所需的時間是MR-MUF方法的1.8倍。半導(dǎo)體行業(yè)分析稱，SK海力士通過預(yù)先堆疊DRAM并立即在一種烤箱中烘烤來制造HBM的方法已經(jīng)開始拉大差距，其程度超出了最初的預(yù)期。

最重要的是，雖然三星電子和美光因良率相對較低以及發(fā)熱導(dǎo)致的性能問題而仍在努力向 NVIDIA 供應(yīng)第 5 代 HBM3E，但評估認(rèn)為 SK 海力士再次向業(yè)界透露了對其壓倒性 HBM 的信心技術(shù)出來了。SK海力士上個月26日宣布將在全球首次量產(chǎn)HBM3E 12層產(chǎn)品，并在3月份向NVIDIA供應(yīng)HBM3E 8層產(chǎn)品六個月后再次確認(rèn)交付。

在今天的公告中，SK 海力士重申其政策，即在下一代 HBM4 12 層和 16 層產(chǎn)品中繼續(xù)使用現(xiàn)有的 MR-MUF 方法。另一方面，三星電子的策略是改進現(xiàn)有的 TC-NCF 方法，并迅速轉(zhuǎn)向“混合鍵合”，即下一代連接 DRAM 的方法。近日有消息稱，三星電子已就HBM3E質(zhì)量測試進入最后一刻，相關(guān)團隊進駐英偉達總部。

隨著HBM這種高附加值產(chǎn)品的破壞力越來越強，存儲器市場的格局轉(zhuǎn)變正在如火如荼地進行。市場研究公司Trend Force預(yù)測，HBM在明年DRAM市場收入中的份額將超過30%，高于去年的8%。

還有預(yù)測稱，HBM市場的領(lǐng)導(dǎo)者SK海力士今年的營業(yè)利潤將歷史上首次超過三星半導(dǎo)體。該證券公司對三星電子半導(dǎo)體部門第三季度營業(yè)利潤的預(yù)測（共識）為5至6.5萬億韓元，低于SK海力士的（6至7萬億韓元）。SK海力士在半導(dǎo)體行業(yè)復(fù)蘇的背景下，在HBM市場占據(jù)領(lǐng)先地位，今年上半年營業(yè)利潤達到8.3545萬億韓元。這一業(yè)績接近三星半導(dǎo)體的營業(yè)利潤（8.3649萬億韓元），后者的銷售額是同期的近兩倍。三星電子將于8日公布第三季度臨時業(yè)績。