作者 | 方文三
當(dāng)前,英偉達(dá)的GPU終于確立了HBM技術(shù)的領(lǐng)先地位,整個行業(yè)正緊隨其后,加速HBM技術(shù)的發(fā)展。在AI硬件競爭的激烈角逐中,時間等同于生命,任何落后都可能導(dǎo)致被淘汰的命運。在HBM技術(shù)發(fā)展的道路上,一場無形的較量正在激烈進(jìn)行,同時也標(biāo)志著芯片市場競爭格局的重新塑造。
SK海力士年度營業(yè)利潤或超三星
近日,SK海力士在本年度第三季度實現(xiàn)了7.03萬億韓元的綜合營業(yè)利潤,刷新了季度業(yè)績的歷史記錄。
該業(yè)績顯著超越了市場對三星電子半導(dǎo)體部門設(shè)備解決方案(DS)部門同期營業(yè)利潤的預(yù)期,后者預(yù)計為4萬億韓元。
從兩家公司盈利年份來看,SK海力士今年的年度營業(yè)利潤極有可能首次超越三星電子的DS部門。
直至本年度第三季度,SK海力士的經(jīng)營業(yè)績方才超越三星電子。
SK海力士在第一季度至第三季度的累計營業(yè)利潤達(dá)到15.3845萬億韓元。
三星電子DS部門在上半年的營業(yè)利潤為8.36萬億韓元,假設(shè)第三季度的營業(yè)利潤達(dá)到市場預(yù)期,則其第一季度至第三季度的累計營業(yè)利潤將大約為12萬億韓元。
據(jù)證券公司預(yù)測,依據(jù)今年前三季度的收益數(shù)據(jù),SK海力士的年度營業(yè)利潤預(yù)計將達(dá)23.48萬億韓元,此數(shù)值預(yù)期將超越三星芯片部門預(yù)計的18萬億韓元。
韓國交易所10月27日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示,三星電子與SK海力士的市值份額差距已縮小至近13年來的最低水平。
以10月25日的數(shù)據(jù)為準(zhǔn),三星電子普通股市值為333.71萬億韓元,占韓國綜合股價指數(shù)(KOSPI)總市值的15.85%,降至近8年多來的最低水平。
而SK海力士普通股市值為146.328萬億韓元,占KOSPI的6.95%,創(chuàng)下歷史新高。
三星電子在AI芯片發(fā)力之時略顯疲軟
SK海力士之所以取得如此佳績,主要得益于其銷售額的增長,尤其是高附加值產(chǎn)品如高性能內(nèi)存(HBM)和企業(yè)級固態(tài)硬盤(eSSD)的銷售,這些產(chǎn)品因應(yīng)AI技術(shù)的興起而需求激增。
其HBM銷售額顯著增長,同時DRAM和NAND內(nèi)存產(chǎn)品的平均售價上升,進(jìn)一步促進(jìn)了利潤的增長。
相對而言,三星電子的業(yè)績表現(xiàn)未達(dá)預(yù)期,主要由于大部分傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品需求減緩,以及HBM產(chǎn)品占比較小,加之代工周期延長導(dǎo)致的虧損。
三星電子在HBM領(lǐng)域已失去其領(lǐng)先地位。
鑒于半導(dǎo)體需求主要集中在AI以及智能手機和個人電腦等傳統(tǒng)信息技術(shù)需求的停滯,三星電子面臨相對的困境。
三星證券指出,當(dāng)前成功的必要條件正從成本控制轉(zhuǎn)變?yōu)闀r間控制。
對于SK海力士而言,及時提供符合技術(shù)發(fā)展速度的下一代產(chǎn)品是其在AI時代半導(dǎo)體領(lǐng)域成功的關(guān)鍵因素。
市場研究機構(gòu)TrendForce指出,從HBM產(chǎn)品類型來看,自英偉達(dá)Blackwell GPU起,新產(chǎn)品將逐步轉(zhuǎn)向12層HBM3E。
預(yù)計到2025年,HBM3E將取代HBM3成為市場主流,占據(jù)整體HBM市場需求的89%,其中12層堆疊產(chǎn)品將占據(jù)超過一半的市場份額。
盡管三星全力投入HBM的開發(fā),但直到今年2月才宣布開發(fā)出HBM3E 12H技術(shù),其何時能通過英偉達(dá)的認(rèn)證尚待觀察。
關(guān)鍵在于,三星和SK海力士都面臨一個共同的問題:在新技術(shù)開發(fā)極為困難、成本高昂且市場需求尚未明朗的情況下,是否仍應(yīng)繼續(xù)投資于新技術(shù)。
三星選擇放慢步伐,但正是這一關(guān)鍵決策,使得長期處于追趕地位的SK海力士有機會超越成為行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者。
SK海力士正處于產(chǎn)品升級周期之中。以AI為中心的高附加值需求持續(xù)增長,SK海力士的DDR5和HBM產(chǎn)品比例較高,因此受行業(yè)狀況的影響相對較小。
HBM領(lǐng)域的強勢先發(fā)優(yōu)勢將體現(xiàn)在營收上
SK海力士最近已經(jīng)開始將混合鍵合技術(shù)應(yīng)用于3D DRAM的量產(chǎn)。
除了SK海力士之外,三星電子的先進(jìn)封裝團隊也已完成采用16層混合鍵合HBM內(nèi)存技術(shù)的驗證,未來16層堆疊混合鍵合技術(shù)將應(yīng)用于HBM4內(nèi)存的量產(chǎn)。
然而,制造HBM芯片需要眾多先進(jìn)技術(shù),但其前提是DRAM的質(zhì)量和成本,這又取決于其良率。
DRAM合格后,接下來的問題是公司將采用哪種封裝和鍵合技術(shù)來決定HBM的性能。
三星電子和SK海力士都在采用1b納米制程技術(shù)(相當(dāng)于12納米范圍)用于HBM3E的DRAM。
良率通常是每家存儲廠商的機密數(shù)據(jù),但據(jù)透露,三星電子的1b納米DRAM的良率明顯低于SK海力士。
成為明年下半年各大AI廠商爭奪的主流產(chǎn)品,其次是8層HBM。
據(jù)相關(guān)報道,SK海力士目前是英偉達(dá)第四代和第五代HBM3及HBM3E的獨家供應(yīng)商,而三星仍在進(jìn)行資格測試。
這表明,三星在這些方面的努力尚未達(dá)到預(yù)期目標(biāo),從而使得競爭對手獲得了優(yōu)勢。
據(jù)路透社報道,三星顯然未能獲得向英偉達(dá)供應(yīng)HBM的合同。
報道中提到,三星HBM3的生產(chǎn)良率估計在10%至20%之間,而SK海力士的良率則在60%至70%。
近期,英偉達(dá)創(chuàng)始人黃仁勛宣布,將英偉達(dá)的AI芯片更新周期從兩年縮短至一年。
換言之,這一策略不僅要求GPU適應(yīng)如此快速的迭代,也促使包括存儲芯片在內(nèi)的供應(yīng)商加快技術(shù)進(jìn)步的步伐。
據(jù)SemiAnalysis公司首席分析師Dylan Patel所言,目前SK海力士在HBM市場的整體份額超過70%,其中HBM3的市場份額超過85%。
這表明,三星可能會繼續(xù)面臨與競爭對手的差距擴大。
結(jié)尾:
正如SK海力士強勁的業(yè)績所展示的,AI正在引領(lǐng)全球半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展方向。
關(guān)鍵在于是否能夠加入目前主導(dǎo)AI芯片需求的英偉達(dá)供應(yīng)鏈。
預(yù)計明年HBM需求將高于預(yù)期,明年HBM需求仍將大于供應(yīng)。
AI需求的日益增長,加上HBM等AI內(nèi)存產(chǎn)品的高利潤屬性,也促使供應(yīng)商提高相應(yīng)的生產(chǎn)能力和技術(shù)水平。
據(jù)ZDNet Korea最近報道,SK海力士正在縮減其CIS和晶圓代工業(yè)務(wù)規(guī)模,將產(chǎn)能縮減至2023年水平的一半以下,并且將系統(tǒng)級芯片(SoC)設(shè)計部門的員工重新分配到HBM業(yè)務(wù)。
部分資料參考:半導(dǎo)體行業(yè)觀察:《韓國芯片,變天了》,電子業(yè)財經(jīng):《SK海力士第三季度業(yè)績再創(chuàng)新高,受益于AI需求增長》,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫:《三星 VS SK海力士:朝鮮半島的另一場硬仗》,財訊:《SK海力士翻身做老大》,芯財富:《AI決定命運,英偉達(dá)供應(yīng)鏈全部飆漲》,環(huán)球資產(chǎn)觀察:《AI引爆財報季!SK海力士 業(yè)績大幅增長》,科創(chuàng)板日報:《HBM龍頭,爆了!》