聊聊光刻工序常見術(shù)語（2）

上次，我們總結(jié)了光刻工序部分的術(shù)語，見文章：《光刻工序常見術(shù)語中英文對照（1）》這次，我們把剩下的又總結(jié)了一些，供大家參閱。

1，Developer Mist：顯影液回濺產(chǎn)生的水霧，是顯影過程引入的一種缺陷。

2，Bubble：氣泡，比如光刻膠中含有氣泡。

3，Swelling：膨脹，在曝光前光刻膠表面存在水滴，水滴在光刻膠頂部膠層（ Top Coating ）中的滲透造成頂部膠層膨脹。

4，Contact Angle：接觸角，通過測量接觸角可以得出光刻膠的潤濕性。

5，diffraction：衍射，當(dāng)掩膜板開口尺寸接近或小于入射光波長時，衍射效應(yīng)很明顯，這會導(dǎo)致在晶圓表面無法得到理想的銳利邊緣，而形成模糊的圖形。

6，interference：干涉。干涉在光刻中會產(chǎn)生駐波效應(yīng)。當(dāng)入射光和從晶圓表面反射的光相遇時，會在光刻膠內(nèi)形成駐波，顯影后得到的結(jié)構(gòu)就是周期性的鋸齒狀結(jié)構(gòu)。

7，Mercury lamp：汞燈。用于產(chǎn)生G線（436 nm）和i線（365 nm）的光線。

8，Excimer laser：準(zhǔn)分子激光燈。用于產(chǎn)生KrF（248 nm）和ArF（193 nm）光線。

9，solvent：溶劑。光刻膠中含有溶劑。

10，novolak：酚醛樹脂，光刻膠的主體支撐結(jié)構(gòu)

11，DNQ：二（重）氮萘醌，感光劑的一種。

12，TMAH：四甲基氫氧化銨,顯影液的主要成分。

13，dose：劑量，比如曝光的劑量

14，OPC：光學(xué)鄰近校正，作用是彌補(bǔ)衍射造成的圖像錯誤。

15，positive resist：正性光刻膠

16，negative resist:負(fù)性光刻膠

17，Immersion lithography machine：浸沒式光刻機(jī)，一般為ArF+浸沒式，其他波長的光線不配備浸沒式技術(shù)。

18，coat：勻膠19，uniformity：非均勻性，主要是用來衡量膠厚是否一致。

20，cp：光刻膠粘度單位，如光刻膠AZ4620的粘度為440cp

21，rpm：轉(zhuǎn)速單位，比如勻膠時設(shè)定轉(zhuǎn)速為2000rpm，即每分鐘兩千轉(zhuǎn)。

22，PGMEA：一種溶劑

23，hole：光刻膠上的針孔

24，resist residue：光刻膠殘留25：fence：細(xì)小的光刻膠殘留

26，Lens：光刻機(jī)的透鏡，蔡司公司的透鏡全球第一。

27，?：長度單位，0.1nm

由于篇幅有限，今天先總結(jié)到這里，后面會對其他工序再進(jìn)行總結(jié)。

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