在經(jīng)歷了產(chǎn)能過剩、大幅降價、大廠減產(chǎn)、價格回升后,存儲芯片正逐漸回到正常的供需區(qū)間。
自去年10月SK海力士官宣DRAM、NAND Flash芯片合約價上調(diào)10%-20%后,今年1月三星、美光也表示,在第一季度要將DRAM芯片的價格調(diào)漲15%-20%。而到今天,各大廠仍在向客戶發(fā)漲價函。
TechInsights統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示,截至2024年2月16日的一周,DRAM銷售額同比增長79%。預(yù)計(jì)2024全年,全球DRAM芯片銷售額將增長46%,達(dá)到780億美元。可見,市場向好的趨勢已非常明確。
擴(kuò)產(chǎn)、漲價不斷,存儲還在走上升期
自去年下半年開始,全球存儲芯片市場經(jīng)歷了一系列積極變化,在一定程度上反映了行業(yè)整體的復(fù)蘇態(tài)勢和對先進(jìn)技術(shù)需求的增長。在這一背景下,多家企業(yè)宣布了價格調(diào)整和產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃,顯示出對市場前景向好的預(yù)期。
其中,三星電子作為行業(yè)的領(lǐng)頭羊,計(jì)劃在2024年第三季度對其DRAM和NAND Flash產(chǎn)品實(shí)施價格上調(diào),預(yù)計(jì)漲幅在15%到20%之間,這一決策已經(jīng)得到了主要客戶的認(rèn)可。這也是三星在2024年第三次宣布漲價,此舉一定程度上提振了整個行業(yè)的信心。
不僅如此,美光科技也傳來喜報,其第三財(cái)季的營收超出市場預(yù)期,達(dá)到68.1億美元。另一方面,市場中企業(yè)級固態(tài)硬盤(eSSD)需求激增,三星、SK海力士等制造商在2024年第二季度滿負(fù)荷運(yùn)行NAND生產(chǎn)線。
與此同時,存儲模組、主控、封測廠也都傳來了好消息,比如佰維存儲、福懋、德明利等均報告了業(yè)績的顯著提升。佰維存儲預(yù)計(jì)上半年凈利潤在2.8至3.3億元之間,實(shí)現(xiàn)了同比扭虧為盈的佳績。而福懋科技則在存儲芯片封測領(lǐng)域持續(xù)擴(kuò)產(chǎn),據(jù)悉,其累計(jì)今年前五個月營收為39.79億元,較去年同期成長16.69%。德明利則在第一季度就完成8.11億元營收同比增長168.52%,凈利潤1.95億元同比扭虧為盈。
更值得一提的是,鎧俠在經(jīng)歷了長時間的市場調(diào)整后,于第四財(cái)季達(dá)成了31%的營收增長,不僅實(shí)現(xiàn)了六個季度以來的首次盈利,還停止了長達(dá)20個月的減產(chǎn)措施。
通過以上積極的行業(yè)發(fā)展動態(tài),不難看出存儲芯片市場正在加速回暖,同時也為企業(yè)帶來了新的增長機(jī)遇。業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì),這波向好的行情至少將持續(xù)到2025年上半年。
除了HBM,哪些品類也很熱?
在AI的推動下,HBM(高帶寬存儲器)技術(shù)因其在數(shù)據(jù)傳輸速度和容量方面的優(yōu)勢,成為存儲芯片市場的新星。尤其高性能計(jì)算和數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域,其需求正迅速增長。目前SK海力士、三星、美光三大存儲廠商的產(chǎn)能已經(jīng)被訂滿。
其中,三星預(yù)計(jì)2024年HBM產(chǎn)能將增至去年的2.9倍。三星公司執(zhí)行副總裁兼DRAM產(chǎn)品和技術(shù)主管Hwang Sang-joong表示,他們計(jì)劃在2024年上半年大批量生產(chǎn)12層的第五代HBM3e和基于32千兆位的128 GB DDR5。而美光科技CEO Sanjay Mehrotra則表示,其高性能存儲器(HBM)產(chǎn)品已全部售罄,且2025年的大部分產(chǎn)能也已被預(yù)訂。
不過,除了HBM之外,其他的存儲芯片產(chǎn)品也迎來了市場回暖,比如NAND Flash。根據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù),2024年第一季度,全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)的營收環(huán)比增長了28.1%,顯示出市場的強(qiáng)勁動力。
2024Q1全球NAND Flash品牌廠商營收情況(圖源:TrendForce)
與此同時,供應(yīng)短缺的情況也開始出現(xiàn)。由于數(shù)據(jù)中心對大容量SSD的需求激增,可能導(dǎo)致下半年NAND供應(yīng)緊張。據(jù)了解,預(yù)計(jì)在第三季度,企業(yè)級NAND芯片的價格將上漲10%左右,市場將有可能出現(xiàn)供不應(yīng)求的情況。
另一方面,通用型DRAM也面臨著供應(yīng)短缺的問題。隨著業(yè)界對HBM的大量投資,通用型DRAM的產(chǎn)能開始被占用,在未來將可能出現(xiàn)缺貨情況。并且,隨著智能手機(jī)和PC制造商推動AI功能的普及,通用型DRAM的需求或?qū)⑦M(jìn)一步提升。業(yè)界普遍認(rèn)為,終端設(shè)備AI能力的普及,將是推動通用型DRAM市場增長的關(guān)鍵因素。
如今,在AI技術(shù)的推動下,存儲芯片市場正經(jīng)歷著快速的變化,HBM、NAND Flash和通用型DRAM等產(chǎn)品都在受到市場的青睞。而未來,這一趨勢將持續(xù)很長時間,也給布局AI產(chǎn)品的存儲廠商帶來了機(jī)會。
下一步——必須蹭上AI的風(fēng)口
隨著AI技術(shù)的飛速發(fā)展,一系列B端應(yīng)用如安防、金融等都開始提出大模型的需求,而在運(yùn)力、算力、存力三步走的AI時代,存儲芯片廠商也正積極布局AI相關(guān)產(chǎn)品,以適應(yīng)這一新興市場的需求。
以華邦電子為例,其推出的CUBE產(chǎn)品,就以卓越的性能和專為端側(cè)AI設(shè)計(jì)的特性,成為了市場的焦點(diǎn),被稱之為“小號HBM”。據(jù)介紹,CUBE的帶寬可到達(dá)16GB/s至256GB/s,相當(dāng)于HBM2, 或32個LP-DDR4x4266Mbpsx16 IO。
目前,隨著端側(cè)AI應(yīng)用場景的大幅擴(kuò)展,從智能監(jiān)控、自動駕駛到智能家居,都對存儲性能提出了更高要求。而這也帶來了算力下沉的新趨勢,即云端的算力下放到邊緣端,通過在邊緣端做推理或者少量訓(xùn)練,保證用戶的敏感數(shù)據(jù)和信息安全。
不過在此類場景下,并非每個應(yīng)用都需要HBM這樣多層堆疊、極高性能的產(chǎn)品。在這樣的背景下,華邦電子的CUBE便能以較低的成本發(fā)揮極大價值。據(jù)了解,CUBE擁有四大優(yōu)勢:包括低功耗、超高帶寬、極小尺寸、高經(jīng)濟(jì)效益。尤其對于客戶而言,可以有效為其降低成本,因?yàn)槔硐肭闆r下,CUBE可以幫助一些傳感器實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)預(yù)處理,降低主控芯片的算力需求。
當(dāng)然,在AI浪潮下,除了華邦電子外,各大存儲芯片公司都帶來新產(chǎn)品或新布局。
以國內(nèi)廠商為例,比如江波龍自研的CXL 2.0內(nèi)存,通過提供彈性拓展的方式,可以適應(yīng)現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心大規(guī)模數(shù)據(jù)處理的需求;也比如佰維存儲擬定增募資建設(shè)的晶圓級先進(jìn)封測項(xiàng)目,可以構(gòu)建HBM實(shí)現(xiàn)的封裝技術(shù)基礎(chǔ);而主控芯片廠商也不甘落后,慧榮科技面向AI手機(jī)市場,發(fā)布了全新的UFS 4.0主控芯片SM2756,英韌科技則面向AI PC發(fā)布了PCIe Gen5主控芯片YRS820。
結(jié)語
從HBM的供不應(yīng)求,到NAND Flash和通用型DRAM的市場回暖,存儲芯片市場已呈現(xiàn)出多點(diǎn)開花的局面。各大廠商的漲價函、產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃、以及業(yè)績的顯著提升,都是市場復(fù)蘇的有力證明。
同時,供應(yīng)鏈上下游企業(yè)的積極變化,從存儲模組、主控、封測廠到終端設(shè)備制造商,整個產(chǎn)業(yè)鏈都在為AI時代的到來做好準(zhǔn)備。
展望未來,AI技術(shù)與存儲芯片的深度融合將是大勢所趨。存儲芯片廠商必須緊跟AI的風(fēng)口,才能上升周期中尋找新的增量。同時,在AI的推動下,存儲芯片將迎來更加廣闊的發(fā)展空間,行業(yè)即將迎來一個新的黃金時代。