再建一座新廠，先進(jìn)封裝迎來(lái)最強(qiáng)風(fēng)口！

近期業(yè)界關(guān)于先進(jìn)封裝的動(dòng)態(tài)不斷，有關(guān)于幾家大廠幾度擴(kuò)產(chǎn)先進(jìn)封裝產(chǎn)能的，如日月光、美光、三星、臺(tái)積電等加碼擴(kuò)產(chǎn)，也有關(guān)于先進(jìn)封裝產(chǎn)能不足，如英偉達(dá)、AMD、英特爾先進(jìn)封裝產(chǎn)能吃緊，SK海力士、三星、美光2025年HBM產(chǎn)能基本售罄；有爭(zhēng)奪先進(jìn)封裝產(chǎn)能的，如臺(tái)積電先進(jìn)封裝產(chǎn)能被訂光，英偉達(dá)、AMD一路包到明年等；此外，也有關(guān)于先進(jìn)封裝技術(shù)創(chuàng)新突破的，如臺(tái)積電近期曬出最新先進(jìn)封裝技術(shù)SoW，三星、SK 海力士推進(jìn)移動(dòng)內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)量產(chǎn)等等。本文將針對(duì)行業(yè)最新先進(jìn)封裝技術(shù)進(jìn)行科普。

一、最新動(dòng)態(tài)，日月光半導(dǎo)體新建一座先進(jìn)封裝廠

日月光投控旗下日月光半導(dǎo)體6月21日宣布，與日月光旗下宏璟建設(shè)在高雄興建K28廠，預(yù)計(jì)2026年第四季度完工，重點(diǎn)布局先進(jìn)封裝終端測(cè)試以及人工智能（AI）芯片高性能計(jì)算。

日月光投控財(cái)務(wù)經(jīng)理董宏思表示，K28工廠建設(shè)項(xiàng)目由日月光半導(dǎo)體提供持有高雄土地，由宏璟建設(shè)提供資金，合建地下1層、地上7層廠房，雙方協(xié)議合建權(quán)利價(jià)值分配比例，日月光半導(dǎo)體22.24%，宏璟建設(shè)77.76%。興建完成后，由日月光半導(dǎo)體或子公司取得宏璟建設(shè)所屬產(chǎn)權(quán)的優(yōu)先承購(gòu)權(quán)。

此前消息顯示，日月光高雄廠為應(yīng)對(duì)運(yùn)營(yíng)規(guī)劃，針對(duì)先進(jìn)封裝制程的終端測(cè)試需求、AI芯片高性能計(jì)算及散熱需求，購(gòu)買(mǎi)了大社土地分二期開(kāi)發(fā)。其中，第一期K27廠房已于2023年完工進(jìn)駐，主要設(shè)置Flip Chip及IC測(cè)試生產(chǎn)線。

今年2月業(yè)績(jī)說(shuō)明會(huì)上，日月光投控表示，為應(yīng)對(duì)先進(jìn)封裝擴(kuò)充產(chǎn)能，今年整體資本支出將擴(kuò)大40%至50%，創(chuàng)歷史新高。其中65%比重用于封裝、尤其是先進(jìn)封裝項(xiàng)目，目前60%多用在封裝測(cè)試，30%用在電子代工服務(wù)。并且日月光投控看好AI發(fā)展動(dòng)能，其預(yù)計(jì)今年底前AI營(yíng)收貢獻(xiàn)將較去年倍增至5億美元規(guī)模，全年AI相關(guān)營(yíng)收將占ATM（封測(cè)）業(yè)務(wù)總量中個(gè)位數(shù)，有望高于去年的低個(gè)位數(shù)，法人預(yù)期，明年占比可望挑戰(zhàn)高個(gè)位數(shù)。

先進(jìn)封裝正值鼎盛之際，日月光近兩年針對(duì)先進(jìn)封裝布局良多。今年2月，英飛凌和日月光投控近日同步公告，日月光投控將投資約21億元新臺(tái)幣（約合4.79億元人民幣）收購(gòu)英飛凌位于菲律賓和韓國(guó)的兩座后段封測(cè)廠，擴(kuò)大在車用和工業(yè)自動(dòng)化應(yīng)用的電源芯片模塊封測(cè)與導(dǎo)線架封裝，最快今年第2季底完成交易。

今年1月19日，日月光發(fā)布公告，馬來(lái)西亞子公司投資馬幣6969.6萬(wàn)令吉取得馬來(lái)西亞檳城州桂花城科技園土地使用權(quán)，應(yīng)對(duì)運(yùn)營(yíng)需求。產(chǎn)業(yè)人士分析，日月光投控此次在馬來(lái)西亞檳城的投資，主要是為了布局先進(jìn)封裝產(chǎn)能。據(jù)悉，日月光半導(dǎo)體已經(jīng)積極擴(kuò)展其在馬來(lái)西亞的封測(cè)廠產(chǎn)能，較早之前的2022年11月，檳城新廠四廠及五廠動(dòng)土，預(yù)計(jì)于2025年完工。

另外，日月光半導(dǎo)體2023年12月下旬曾公告，承租中國(guó)臺(tái)灣福雷電子位于高雄楠梓廠房，分別為K21的7樓與K22的7樓，擴(kuò)充封裝產(chǎn)能。產(chǎn)業(yè)人士分析，日月光半導(dǎo)體將擴(kuò)充AI芯片先進(jìn)封裝產(chǎn)能。

二、主流先進(jìn)封裝技術(shù)介紹

先進(jìn)封裝是指封裝集成電路 (IC) 以提高性能的多種創(chuàng)新技術(shù)。本質(zhì)上，就是將傳統(tǒng)封裝中被延緩的數(shù)據(jù)傳輸速度和被損耗的大量功耗，通過(guò)技術(shù)和結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新極大程度的找回。在當(dāng)前晶體管電路逐漸接近性能極限，摩爾定律放緩，先進(jìn)制程突破的速度變慢，且難度和成本不斷增高的當(dāng)下，先進(jìn)封裝被業(yè)績(jī)寄予厚望。

目前，先進(jìn)封裝主要朝兩個(gè)方向發(fā)展，第一是向上游晶圓制程領(lǐng)域發(fā)展（晶圓級(jí)封裝），直接在晶圓上實(shí)施封裝工藝，主要技術(shù)有Bumping、TSV、Fan-out、Fan-in 等；第二是向下游模組領(lǐng)域發(fā)展（系統(tǒng)級(jí)封裝），將處理器、存儲(chǔ)等芯片以及電容、電阻等集成為一顆芯片，壓縮模塊體積，提升芯片系統(tǒng)整體功能性和靈活性，主要技術(shù)包括采用了倒裝技術(shù)（FC）的系統(tǒng)級(jí)封裝產(chǎn)品。

本文將重點(diǎn)介紹一下，當(dāng)前的主流的一些先進(jìn)封裝技術(shù)，如晶圓級(jí)封裝（WLP，Wafer level packaging）、晶圓級(jí)扇入扇出型（Fan-out/Fan in）封裝、2.5D以及3D IC集成，以及高帶寬存儲(chǔ)器 (HBM)以及CoWos先進(jìn)封裝、3D 疊動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) (3DS)、嵌入式硅橋（embedded Si bridges）、TSV硅通孔（Through Silicon Via）、批量回流模制底部填充（MR-MUF：Mass Reflow-Molded Underfill）先進(jìn)封裝等。另外，異構(gòu)和小芯片中的Chiplet以及混合鍵合是行業(yè)未來(lái)重點(diǎn)關(guān)注的對(duì)象，本講也將一并敘述。

01、FO封裝

FO封裝包括三大類：核心扇出型（core fan-out）、高密度扇出型（high-density fan-out）和超高密度FO型（ultra highdensity FO）。核心扇出封裝消除了對(duì)引線鍵合或倒裝芯片互連的需求，從而提供了改進(jìn)的 I/O 密度、增強(qiáng)的電氣性能和高效的熱管理；高密度 (HD) FO 進(jìn)一步采用了相同的概念，采用先進(jìn)的重新分布層 (RDL) 和互連結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)更高的 I/O 密度；超高密度 (UHD) FO 使用更細(xì)間距和更高密度的多層 RDL，以在緊湊封裝內(nèi)提高組件集成度、更大帶寬和高級(jí)功能。UHD FO 通常應(yīng)用于較大的封裝和多芯片集成，使用 IC 基板來(lái)彌合扇出封裝和印刷電路板 (PCB) 之間的間隙。

02、晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝 (WLCSP)

WLCSP 涉及將 IC 直接封裝在晶圓上，從而消除了單獨(dú)的芯片分割和封裝步驟。WLCSP具有緊湊的外形尺寸、增強(qiáng)的電氣性能和成本效率，使其成為尺寸、重量和性能至關(guān)重要的移動(dòng)設(shè)備和可穿戴設(shè)備的理想選擇。

03、倒裝芯片fcBGA/CSP

這些技術(shù)涉及使用焊料微凸塊或銅柱將 IC 正面朝下直接安裝到有機(jī)基板上。與傳統(tǒng)引線鍵合技術(shù)相比，倒裝芯片 BGA/CSP 解決方案提供更小的占地面積、更短的互連路徑、更高的 I/O 密度以及更高的電氣性能。這些特性對(duì)于服務(wù)器、游戲機(jī)和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等 HPC 應(yīng)用尤其重要。

04、2.5D/3D堆疊封裝

2.5D/3D 堆疊封裝涉及垂直堆疊多個(gè)裸片或芯片，形成三維結(jié)構(gòu)。該平臺(tái)可實(shí)現(xiàn)更高的集成度、更高的性能和更小的外形尺寸，使其成為應(yīng)對(duì)人工智能、5G 和 HPC 應(yīng)用挑戰(zhàn)的重要技術(shù)。2.5D/3D 堆疊封裝中的具體應(yīng)用包括使用混合鍵合技術(shù)的 CIS、用于更快數(shù)據(jù)訪問(wèn)和改進(jìn)內(nèi)存帶寬的 HBM、用于高度集成系統(tǒng)的 3D-SoC 以及用于提高存儲(chǔ)密度和容量的 3D NAND。

05、系統(tǒng)級(jí)封裝 (SiP)

SiP是一種將多個(gè) IC 或“小芯片”集成到單個(gè)模塊中的 AP 類型。這些小芯片可以包括各種組件，例如處理器、存儲(chǔ)器、射頻 (RF) 收發(fā)器和電源管理 IC 在封裝內(nèi)互連。這種高集成度允許將完整的功能系統(tǒng)包含在單個(gè)封裝內(nèi)，使 SiP 成為節(jié)省空間的解決方案，非常適合外形尺寸和集成度至關(guān)重要的應(yīng)用，例如移動(dòng)設(shè)備和可穿戴設(shè)備。SiP 還在設(shè)計(jì)和制造方面提供了顯著的靈活性，因?yàn)槊總€(gè)小芯片都可以使用最適合其功能的工藝技術(shù)來(lái)制造。

06、EMIB嵌入式硅橋（embedded Si bridges）

將基底技術(shù)和硅中介層技術(shù)結(jié)合起來(lái)。它在基板上集成了小的薄層硅橋，用于芯片間的互連，并將橋嵌入封裝基板中。如下圖所示。EMIB的概念與2.5D封裝類似，區(qū)別在于沒(méi)有TSV。通過(guò)該封裝技術(shù)，可以將不同制程的芯片組合在同一芯片封裝之中，凸點(diǎn)間距從100um變?yōu)?5-36um。因此，該技術(shù)的特點(diǎn)是良率高，成本低，且無(wú)須額外的工藝需求和設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單。EMIB封裝技術(shù)就跟臺(tái)積電的Info封裝類似，在功能以及設(shè)計(jì)上大同小異。

07、TSV硅通孔（Through Silicon Via）

TSV硅通孔（Through Silicon Via）技術(shù)是一項(xiàng)高密度封裝技術(shù)，正在逐漸取代目前比較成熟的引線鍵合技術(shù)。TSV技術(shù)通過(guò)銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充，實(shí)現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互連。硅通孔技術(shù)可以通過(guò)垂直互連減小互聯(lián)長(zhǎng)度，減小信號(hào)延遲，降低電容/電感，實(shí)現(xiàn)芯片間的低功耗，高速通訊，增加寬帶和實(shí)現(xiàn)器件集成的小型化。

本段的TSV硅通孔（Through Silicon Via）技術(shù)和下文將要敘述的批量回流模制底部填充（MR-MUF：Mass Reflow-Molded Underfill）先進(jìn)封裝技術(shù)，均以SK海力士為主宰。

08、批量回流模制底部填充（MR-MUF）先進(jìn)封裝

在先進(jìn)封裝過(guò)程中，海力士率先引入MR-MUF回歸大規(guī)模回流焊工藝，即芯片之間用液態(tài)環(huán)氧模塑料作為填充材料，導(dǎo)熱率比TC-NCF中的非導(dǎo)電薄膜高很多。MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill )是將半導(dǎo)體芯片堆疊后，為了保護(hù)芯片和芯片之間的電路，在其空間中注入液體形態(tài)的保護(hù)材料，并固化的封裝工藝技術(shù)。與每堆疊一個(gè)芯片鋪上薄膜型材料的方式對(duì)比 工藝效率高，散熱方面也更有效。

目前隨著HBM芯片堆疊層數(shù)的增加，MR-MUF技術(shù)容易翹曲、導(dǎo)致晶圓末端彎曲、空洞現(xiàn)象（即保護(hù)材料在某些區(qū)域分布不均勻）的問(wèn)題引起行業(yè)高度關(guān)注。SK海力士方表示，正在推進(jìn)TSV和MR-MUF的技術(shù)發(fā)展。與HBM開(kāi)發(fā)初期相比，他們成功地減少了翹曲現(xiàn)象，目前正在開(kāi)發(fā)克服這一問(wèn)題的技術(shù)。下一步，抉擇會(huì)聚焦在減少空隙。

09、非導(dǎo)電薄膜熱壓縮TC-NCF

三星在HBM封裝上，主要采用的是TC-NCF非導(dǎo)電薄膜熱壓縮先進(jìn)封裝技術(shù)。在每次堆疊芯片時(shí)，都會(huì)在各層之間放置一層不導(dǎo)電的粘合膜。該薄膜是一種聚合物材料，用于使芯片彼此絕緣并保護(hù)連接點(diǎn)免受撞擊。隨著發(fā)展，三星逐漸減少了NCF材料的厚度，將12層第五代HBM3E的厚度降至7微米(μm)。該公司認(rèn)為這種方法的優(yōu)點(diǎn)是可以最大限度地減少隨著層數(shù)增加和芯片厚度減小而可能發(fā)生的翹曲，使其更適合構(gòu)建更高的堆棧。

10、高帶寬存儲(chǔ)器 (HBM)和CoWos

HBM全稱High Bandwidth Memory，根本而言，是指基于2.5/3D先進(jìn)封裝技術(shù)，把多塊DRAM Die像疊羅漢一樣堆疊起來(lái)的新型存儲(chǔ)器。目前，幾乎所有的HBM系統(tǒng)都高度綁定了臺(tái)積電先進(jìn)封裝技術(shù)CoWos。

圖片來(lái)源：AMD

如上圖所示，HBM是由多個(gè)DRAM堆疊而成，主要利用TSV（硅通孔）和微凸塊（Micro bump）將裸片相連接，多層DRAM die再與最下層的Base die連接，然后通過(guò)凸塊（Bump）與硅中階層（interposer）互聯(lián)。同一平面內(nèi)，HBM與GPU、CPU或ASIC共同鋪設(shè)在硅中階層上，再通過(guò)CoWoS等2.5D先進(jìn)封裝工藝相互連接，硅中介層通過(guò)CuBump連接至封裝基板上，最后封裝基板再通過(guò)錫球與下方PCB基板相連。該產(chǎn)品巧妙的設(shè)計(jì)大大縮小了尺寸面積，容量擴(kuò)大的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)了高帶寬、低延遲、低功耗的效果。

臺(tái)積電高級(jí)總監(jiān)表示，目前正在針對(duì)HBM4優(yōu)化CoWoS-L和CoWoS-R技術(shù)。CoWoS-L和CoWoS-R都使用超過(guò)八層，以實(shí)現(xiàn)HBM4的路由超過(guò)2000個(gè)互連，并具有[適當(dāng)?shù)腯信號(hào)完整性。N12FFC+上的HBM4基礎(chǔ)芯片將有助于使用TSMC的CoWoS-L或CoWoS-R先進(jìn)封裝技術(shù)構(gòu)建系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)，該技術(shù)可提供高達(dá)8倍標(biāo)線尺寸的中介層—足夠的空間容納多達(dá)12個(gè)HBM4內(nèi)存堆棧。根據(jù)臺(tái)積電的數(shù)據(jù)，目前HBM4可以在14mA電流下實(shí)現(xiàn)6GT/s的數(shù)據(jù)傳輸速率。據(jù)臺(tái)積電表示，該公司目前正與Cadence、Synopsys和Ansys等EDA合作伙伴合作，驗(yàn)證HBM4通道信號(hào)完整性、IR/EM和熱精度。

11、3D DRAM(3DS)

與傳統(tǒng)的內(nèi)存單元數(shù)組與內(nèi)存邏輯電路分占兩側(cè)的2D DRAM存儲(chǔ)相比，3D DRAM是一種將存儲(chǔ)單元（Cell）堆疊至邏輯單元上方的新型存儲(chǔ)方式，從而可以在單位晶圓面積上實(shí)現(xiàn)更高的容量。采用3D DRAM結(jié)構(gòu)可以加寬晶體管之間的間隙，減少漏電流和干擾。

在近日舉行的Memcon 2024上，三星電子公布了關(guān)于3D DRAM開(kāi)發(fā)的細(xì)節(jié)。三星電子副社長(zhǎng)李時(shí)宇在會(huì)上詳細(xì)介紹了4F2 Square VCT DRAM及3D DRAM的研發(fā)進(jìn)展。據(jù)悉，4F2 Square VCT DRAM是一種基于VCT（垂直溝道晶體管）技術(shù)的緊湊型DRAM設(shè)計(jì)。其通過(guò)垂直堆疊技術(shù)，將DRAM單元尺寸比現(xiàn)有的6F2 Square DRAM減少約30%，在提高能效的同時(shí)大幅降低了單元面積。三星指出，4F2 Square VCT DRAM的開(kāi)發(fā)需要極高的制造精度和更優(yōu)質(zhì)的生產(chǎn)材料，還需要解決新材料的應(yīng)用問(wèn)題，如氧化溝道材料和鐵電體的研發(fā)。據(jù)悉，三星電子計(jì)劃在2025年內(nèi)部發(fā)布4F2 Square工藝，并逐步推進(jìn)3D DRAM的研發(fā)，預(yù)計(jì)在2030年之前推出市場(chǎng)。

12、臺(tái)積電最新先進(jìn)封裝技術(shù)SoW

在近期的北美技術(shù)研討會(huì)上，臺(tái)積電推出了下一代晶圓系統(tǒng)平臺(tái)——CoW-SoW——該平臺(tái)將實(shí)現(xiàn)與晶圓級(jí)設(shè)計(jì)的3D集成。該技術(shù)建立在臺(tái)積電2020年推出的InFO_SoW晶圓級(jí)系統(tǒng)集成技術(shù)的基礎(chǔ)上。到目前為止，只有特斯拉在其Dojo超級(jí)計(jì)算機(jī)中采用了這項(xiàng)技術(shù)，臺(tái)積電表示該計(jì)算機(jī)現(xiàn)已投入生產(chǎn)。

在即將推出的CoW-SoW平臺(tái)中，臺(tái)積電將在其晶圓系統(tǒng)平臺(tái)中合并兩種封裝方法——InFO_SoW和集成芯片系統(tǒng)(SoIC)。通過(guò)使用晶圓上芯片(CoW)技術(shù)，該方法將能夠?qū)⒋鎯?chǔ)器或邏輯直接堆疊在晶圓上系統(tǒng)之上。據(jù)了解，臺(tái)積電的CoW-SoW專注于將晶圓級(jí)處理器與HBM4內(nèi)存集成。這些下一代內(nèi)存堆棧將采用2048位接口，這使得將HBM4直接集成在邏輯芯片頂部成為可能。同時(shí)，在晶圓級(jí)處理器上堆疊額外的邏輯以優(yōu)化成本也可能是有意義的。新的CoW_SoW技術(shù)預(yù)計(jì)將在2027年實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)，但實(shí)際產(chǎn)品何時(shí)上市還有待觀察。

然而，行業(yè)消息顯示，InFO_SoW技術(shù)也有著一定的局限性。例如，使用這種方法制造的晶圓級(jí)處理器完全依賴于片上存儲(chǔ)器，這可能無(wú)法滿足未來(lái)人工智能的需求（但目前來(lái)說(shuō)很好）。CoW-SoW將解決這個(gè)問(wèn)題，因?yàn)樗鼘⒃试S將HBM4放置在此類晶圓上。此外，InFO_SoW晶圓采用單節(jié)點(diǎn)加工，該節(jié)點(diǎn)不支持3D堆疊，而CoW-SoW產(chǎn)品將支持3D堆疊。

13、異構(gòu)和小芯片中的Chiplet和混合鍵合

行業(yè)消息顯示，在當(dāng)下先進(jìn)的封裝市場(chǎng)中，異構(gòu)和小芯片代表了半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和封裝的范式轉(zhuǎn)變。異構(gòu)概念涉及結(jié)合不同的材料、工藝和設(shè)備來(lái)創(chuàng)建一個(gè)統(tǒng)一的系統(tǒng)。這種方法可以將多種功能小芯片無(wú)縫集成在單個(gè)封裝上，從而釋放半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造的新可能性。其中，Chiplet和混合鍵合成為行業(yè)焦點(diǎn)。

Chiplet

據(jù)悉，Chiplet是異構(gòu)的一個(gè)基本方面。行業(yè)人士表示，小芯片方法代表了一種新興的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)理念，它將兩個(gè)或多個(gè)分立芯片組合在分解的 SiP 設(shè)計(jì)中。與可能的單片替代方案相比，小芯片提供了更大的設(shè)計(jì)靈活性、更快的上市時(shí)間、更高的良率和經(jīng)濟(jì)效益。小芯片的功能涵蓋典型處理器 SoC 中的基本知識(shí)產(chǎn)權(quán) (IP) 塊，包括中央處理單元 (CPU)、圖形處理單元 (GPU)、神經(jīng)處理單元 (NPU)、I/O 和內(nèi)存控制器以及接口、高速緩存存儲(chǔ)器和模擬功能（SerDes、PLL、DAC、ADC、PHY 等）。

目前Chiplet已成為算力芯片的主流方案，AMD、Intel等半導(dǎo)體巨頭共同成立了UCIe產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，NvdiaA100/H100、AMD MI300等主流產(chǎn)品均采用了Chiplet方案，國(guó)內(nèi)算力芯片廠商亦在快速跟進(jìn)。

混合鍵合

混合鍵合則是一項(xiàng)新技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件的垂直堆疊，從而可顯著提高器件的性能、功能和可靠性。它是異構(gòu)的關(guān)鍵推動(dòng)者，可在鍵合過(guò)程中提供卓越的精度和可靠性。混合鍵合可確保小芯片之間牢固可靠的連接，從而增強(qiáng)它們?cè)谙冗M(jìn)封裝平臺(tái)中的集成。這項(xiàng)技術(shù)開(kāi)啟了半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的新可能性，使得開(kāi)發(fā)曾經(jīng)被認(rèn)為不可能的尖端解決方案成為可能。

混合鍵合是一項(xiàng)尖端技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)多種芯片架構(gòu)，滿足 HPC、人工智能、服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心等高端應(yīng)用的需求。隨著該技術(shù)的成熟，受益于高性能芯片間連接，預(yù)計(jì)將進(jìn)一步擴(kuò)展到消費(fèi)類應(yīng)用、存儲(chǔ)設(shè)備以及移動(dòng)和汽車應(yīng)用。異構(gòu)的概念正在推動(dòng)封裝技術(shù)的創(chuàng)新，以滿足特定的性能、尺寸、功耗和成本要求?；旌湘I合成為高端異構(gòu)應(yīng)用的可行途徑，將微小的銅焊盤(pán)嵌入電介質(zhì)中，形成電介質(zhì)到電介質(zhì)和金屬到金屬的鍵合。這種接合技術(shù)具有許多優(yōu)點(diǎn)，例如顯著增加的 I/O 連接、最小的信號(hào)延遲、擴(kuò)展的帶寬、更高的存儲(chǔ)密度以及改進(jìn)的功率和速度效率。