ddr3

• PCIE工程bd上ddr3和xdma ip核通過axi connect.互聯(lián)，數(shù)據(jù)怎么交互？
  

  今天給大俠帶來在FPAG技術(shù)交流群里平時(shí)討論的問題答疑合集（二十八），以后還會(huì)多推出本系列，話不多說，上貨。Q：有個(gè)pcie工程，bd上有ddr3和xdma ip核。通過axi connect.互聯(lián)。數(shù)據(jù)怎么交互？

  FPGA技術(shù)江湖

  1282

  10/26 10:55

  PCIE 數(shù)字信號(hào)
• Xilinx FPGA DDR3設(shè)計(jì)（三）DDR3 IP核詳解及讀寫測試
  本文我們介紹下Xilinx DDR3 IP核的重要架構(gòu)、IP核信號(hào)管腳定義、讀寫操作時(shí)序、IP核詳細(xì)配置以及簡單的讀寫測試。

  FPGA技術(shù)實(shí)戰(zhàn)

  5.8萬

  09/23 14:28

  FPGA xilinx
• 答疑系列：Xilinx ddr3 仿真時(shí)，有什么辦法能快速初始化完成？
  

  今天給大俠帶來在FPAG技術(shù)交流群里平時(shí)討論的問題答疑合集（四），以后還會(huì)多推出本系列，話不多說，上貨。

  FPGA技術(shù)江湖

  1514

  08/30 11:40

  ADC xilinx
• DDR3最后的漲聲？
  

  不久前，有媒體報(bào)道三星和 SK 海力士最終將永久關(guān)閉各自的 DDR3 生產(chǎn)線，兩家韓國存儲(chǔ)制造商可能在今年下半年停止向市場供應(yīng) DDR3 內(nèi)存。隨后市場傳出DDR3產(chǎn)品漲價(jià)的消息。兩家公司做出這一改變的理由并不難理解，AI火熱的當(dāng)下，相關(guān)內(nèi)存供不應(yīng)求。為了利潤率，搶占未來十年的市場，存儲(chǔ)巨頭們發(fā)力HBM和DDR5等產(chǎn)品也不難理解。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

  2047

  05/23 10:40

  閃存 存儲(chǔ)市場
• Xilinx Kintex-7系列XC7K410T-FFG900外設(shè)之DDR3硬件設(shè)計(jì)
  

  在數(shù)據(jù)速率帶寬約束方面，DDR3運(yùn)行速度受限于其與K7-410T FPGA互聯(lián)的I/O Bank 管腳以及FPGA器件的速度等級(jí)。如下表所示，當(dāng)FPGA選定時(shí)，如需DDR3運(yùn)行最大工作頻率時(shí)，需要將DDR3互聯(lián)至FPGA的HP I/O Bank上，同時(shí)也要將Vccaux_io的供電電壓調(diào)整為2.0V。

  FPGA技術(shù)實(shí)戰(zhàn)

  4742

  04/13 09:25

  硬件設(shè)計(jì) ddr3
• DRAM廠陸續(xù)恢復(fù)生產(chǎn)，預(yù)估對(duì)第二季總DRAM位元產(chǎn)出影響低于1%
  

  403震后對(duì)DRAM產(chǎn)業(yè)影響的最新調(diào)查，各供貨商所需檢修及報(bào)廢晶圓數(shù)量不一，且廠房設(shè)備本身抗震能力均能達(dá)到一定的抗震效果，因此整體沖擊較小。美光、南亞科、力積電、華邦電等，均大致恢復(fù)100%的產(chǎn)線運(yùn)作，其中僅有美光已經(jīng)轉(zhuǎn)進(jìn)至先進(jìn)制程，多為1alpha與1beta nm，預(yù)估將影響整體DRAM產(chǎn)出位元占比；其余DRAM廠仍停留在38、25nm，產(chǎn)出占比相對(duì)小。整體而言，預(yù)期本次地震對(duì)第二季DRAM產(chǎn)

  與非網(wǎng)編輯

  1894

  04/10 15:39

  dram HBM
• “落后”的內(nèi)存要大幅漲價(jià)，中國廠商迎來商機(jī)
  

  當(dāng)下，AI服務(wù)器系統(tǒng)和應(yīng)用最為火爆，其對(duì)DDR5和HBM的需求量大增，因此，在全球內(nèi)存市場，DDR5和HBM成為大宗存儲(chǔ)器市場的寵兒。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

  4765

  03/18 13:20

  存儲(chǔ)器 內(nèi)存
• Xilinx 7系列FPGA DDR3硬件設(shè)計(jì)規(guī)則
  本文我們介紹Xilinx 7系列FPGA DDR3硬件設(shè)計(jì)規(guī)則及約束，包括Bank選擇、管腳位置約束、管腳分配、端接、I/O標(biāo)準(zhǔn)和走線長度。

  FPGA技術(shù)實(shí)戰(zhàn)

  5305

  2023/02/20

  硬件設(shè)計(jì) ddr3
• 高云半導(dǎo)體發(fā)布全新22nm高性能FPGA家族——晨熙5代（Arora V)
  廣東高云半導(dǎo)體科技股份有限公司隆重發(fā)布其最新工藝節(jié)點(diǎn)的晨熙家族第5代(Arora V)高性能FPGA產(chǎn)品。

  與非網(wǎng)編輯

  1193

  2022/09/26

  FPGA ddr3
• DDR3的謝幕
  當(dāng)三星發(fā)出通知將在兩年內(nèi)停產(chǎn)DDR3，最后接單時(shí)間截止到2022年末時(shí)，DDR3似乎就宣告終局；而三星之后，SK海力士也開始計(jì)劃停產(chǎn)DDR3內(nèi)存。全世界第一大、第二大內(nèi)存廠商相繼停產(chǎn)，DDR3正準(zhǔn)備謝幕。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

  5197

  2022/09/05

  ddr3 DDR4
• Xilinx FPGA DDR3設(shè)計(jì)（二）時(shí)鐘介紹
  本文介紹Xilinx FPGA外接DDR3時(shí)鐘相關(guān)參數(shù)及配置。

  FPGA技術(shù)實(shí)戰(zhàn)

  1905

  2022/05/02

  FPGA xilinx
• Xilinx FPGA DDR3設(shè)計(jì)（一）DDR3基礎(chǔ)掃盲
  本文我們介紹下DDR3的基礎(chǔ)知識(shí)，涉及DDR3管腳信號(hào)、容量計(jì)算、重要參數(shù)介紹內(nèi)容。

  FPGA技術(shù)實(shí)戰(zhàn)

  1182

  2022/04/28

  FPGA xilinx
• DDR3供給加速下滑，預(yù)估第二季價(jià)格將上漲0~5%
  據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，2022年在PC或服務(wù)器領(lǐng)域，英特爾（Intel）與超威（AMD）都有支持DDR5世代的全新CPU將上市，因此以韓廠為首的存儲(chǔ)器供貨商也逐步將重心轉(zhuǎn)移至DDR5，同時(shí)減少舊世代DDR3的供給。

  與非網(wǎng)編輯

  155

  2022/03/08

  英特爾 CPU
• 2021年第一季整體DRAM均價(jià)能否止跌反漲？ | TrendForce集邦咨詢
  根據(jù)TrendForce集邦咨詢旗下半導(dǎo)體研究處表示，包含PC DRAM（占總供給位元數(shù)13%）、Server DRAM（34%）、Mobile DRAM（40%）、Graphics DRAM（5%）以及Consumer DRAM（8%）在內(nèi)的DRAM領(lǐng)域，因整體屬寡占市場型態(tài)，供需動(dòng)能較NAND Flash明顯健康許多。

  全球半導(dǎo)體觀察

  211

  2020/12/10

  dram ddr3
• 芯片世界觀︱DRAM市占率大戰(zhàn)，2017年成DDR4首次反超DDR3的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)？
  IC Insights預(yù)計(jì)DDR4將成為2017年DRAM市場的主導(dǎo)產(chǎn)品，市場份額將攀升至58%，而DDR3的市場份額將下滑至39%。

  與非網(wǎng)記者

  15

  2017/04/17

  與非觀察 存儲(chǔ)器
• ddr3和ddr4的區(qū)別
  規(guī)格不同，DDR3內(nèi)存的起始頻率僅有800MHz，最高頻率可達(dá)2133MHz，而DDR4內(nèi)存的起始頻率就有2133MHz，最高頻率可達(dá)3000MHz；外觀不同，DDR4內(nèi)存的金手指變成了彎曲狀；內(nèi)存容量不同，DDR3最大單條可達(dá)64GB的容量，DDR4最大單條容量為128GB。

  短腿老頭

  3123

  2021/09/03

  ddr3 DDR4
• ddr3和ddr4性能差別
  規(guī)格不同：DDR3內(nèi)存的起始頻率僅有800MHz，最高頻率可達(dá)2133MHz，DDR4內(nèi)存的起始頻率就有2133MHz，最高頻率可達(dá)3000MHz；外觀不同：DDR4內(nèi)存的金手指變成了彎曲狀；內(nèi)存容量不同：DDR3最大單條可達(dá)64GB的容量，而DDR4最大單條容量為128GB。

  醒醒

  7951

  2021/05/06

  ddr3 DDR4
• ddr3和ddr3l的區(qū)別
  工作電壓不同：DDR3電壓為1.5V，DDR3L電壓為1.35V；兼容性不一樣：DDR3與DDR3L在大多數(shù)情況下兼容，但在Haswell平臺(tái)下卻不完全兼容Intel Haswl處理器，Intel Haswl為了更好的降低功耗，其支持的內(nèi)存類型只有DDR3L，并不能兼容DDR3。

  醒醒

  998

  2021/04/19

  ddr3 DDR3L
• ddr2和ddr3的區(qū)別
  ddr2和ddr3的區(qū)別：針腳不同：DDR2是184針，DDR3是240針；電壓不同：DDR2的電壓高些，就是耗電些；頻率不同：DDR3頻率高，延遲長；價(jià)格不同：DDR3的更便宜。

  eefocus_3706328

  3682

  2021/04/06

  內(nèi)存條 ddr3
• ddr3l和ddr3的區(qū)別
  ddr3l和ddr3的區(qū)別：工作電壓不一致，DDR3L工作電壓為1.35V，DDR3工作電壓為1.5V；兼容度不同，在Haswell平臺(tái)下只兼容DDR3L，并不能兼容DDR3；功耗區(qū)別，DDR3L要比DDR3節(jié)省2W功耗；性能區(qū)別，DDR3L性能要低于DDR3。

  eefocus_3706328

  4473

  2021/03/26

  ddr3 DDR3L

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