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  • CGD和QORVO將徹底改變電機控制解決方案
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    評估套件具有 Qorvo 的高性能無刷直流/永磁同步電機控制器/驅動器和 CGD 易于使用的 ICeGaN GaN 功率 IC 的性能 無晶圓廠環(huán)保科技半導體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發(fā)了一系列高能效氮化鎵(GaN)功率器件,致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD今日與全球領先的連接和電源解決方案提供商Qorvo? (納斯達克股票代碼: QRVO)合作推出 PAC
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    IPM方案更適合于一些功率比較小的應用場景,因為IPM將6個功率管合封在一個器件中,集中的熱源會帶來散熱問題,一般都需要加散熱片來輔助散熱,而由此帶來的絕緣、安規(guī)和高度問題也會成為系統(tǒng)設計時的挑戰(zhàn)。 相比IPM方案,傳統(tǒng)的分立式半橋電機驅動方案中驅動IC各自封裝,在PCB Layout時可以做到均勻分布,可在一定程度上解決功率器件的散熱問題,不過在電機控制精度、相電流檢測、設計復雜性、系統(tǒng)成本和效率等方面依舊存在不少問題。 對此,Power Integrations(以下簡稱PI)推出將2個功率管進行合封的集成半橋(IHB)電機驅動器IC產品系列BridgeSwitch?-2,來解決以上問題。

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