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DDR4

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DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格。2011年1月4日,三星電子完成第一條DDR4內(nèi)存。DDR4相比DDR3最大的區(qū)別有三點:16bit預(yù)取機制(DDR3為8bit),同樣內(nèi)核頻率下理論速度是DDR3的兩倍;更可靠的傳輸規(guī)范,數(shù)據(jù)可靠性進(jìn)一步提升;工作電壓降為1.2V,更節(jié)能。

DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格。2011年1月4日,三星電子完成第一條DDR4內(nèi)存。DDR4相比DDR3最大的區(qū)別有三點:16bit預(yù)取機制(DDR3為8bit),同樣內(nèi)核頻率下理論速度是DDR3的兩倍;更可靠的傳輸規(guī)范,數(shù)據(jù)可靠性進(jìn)一步提升;工作電壓降為1.2V,更節(jié)能。收起

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    國內(nèi)市場DRAM現(xiàn)貨價格在整個11月份持續(xù)走低,尤其是DDR4受到的沖擊尤為嚴(yán)重。相比之下,NAND閃存價格顯示出穩(wěn)定跡象。業(yè)內(nèi)估計,雙十一期間 DRAM 模組整體銷量與 2023 年同期相比下降約 20%。單位銷量下降 16%,平均售價下降約 9%。在產(chǎn)品價格貢獻(xiàn)方面,2024年雙十一期間,SSD的銷售表現(xiàn)已超越DRAM模組。今年雙十一,長江存儲旗下的致態(tài)品牌表現(xiàn)亮眼,在京東實現(xiàn)了SSD品類交易總額(GMV)和銷量的雙料第一,超過了三星。

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