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DDR4內(nèi)存

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DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格。2011年1月4日，三星電子完成第一條DDR4內(nèi)存。DDR4相比DDR3最大的區(qū)別有三點(diǎn)：16bit預(yù)取機(jī)制（DDR3為8bit），同樣內(nèi)核頻率下理論速度是DDR3的兩倍；更可靠的傳輸規(guī)范，數(shù)據(jù)可靠性進(jìn)一步提升；工作電壓降為1.2V，更節(jié)能。

DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格。2011年1月4日，三星電子完成第一條DDR4內(nèi)存。DDR4相比DDR3最大的區(qū)別有三點(diǎn)：16bit預(yù)取機(jī)制（DDR3為8bit），同樣內(nèi)核頻率下理論速度是DDR3的兩倍；更可靠的傳輸規(guī)范，數(shù)據(jù)可靠性進(jìn)一步提升；工作電壓降為1.2V，更節(jié)能。收起

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