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擴散電容是p-n結在正偏時所表現(xiàn)出的一種微分電容效應。PN結電容包括勢壘電容和擴散電容。PN結交界處存在勢壘區(qū),結兩端電壓變化引起積累在此區(qū)域的電荷數(shù)量的改變,從而顯現(xiàn)電容效應。
擴散電容是p-n結在正偏時所表現(xiàn)出的一種微分電容效應。PN結電容包括勢壘電容和擴散電容。PN結交界處存在勢壘區(qū),結兩端電壓變化引起積累在此區(qū)域的電荷數(shù)量的改變,從而顯現(xiàn)電容效應。收起
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