• 高阻接地對(duì)電力系統(tǒng)穩(wěn)定性的影響是什么
    高阻接地對(duì)電力系統(tǒng)穩(wěn)定性影響具兩面性。積極方面,能限制故障電流、降低過(guò)電壓水平,使系統(tǒng)在故障時(shí)可繼續(xù)運(yùn)行,提高供電可靠性,且便于故障定位與保護(hù)配置;消極方面,會(huì)改變零序網(wǎng)絡(luò),可能加劇系統(tǒng)振蕩,對(duì)分布式電源接入及系統(tǒng)電壓分布產(chǎn)生影響。實(shí)際應(yīng)用中,需依據(jù)系統(tǒng)具體情況綜合考量,合理選擇接地方式并采取優(yōu)化措施,以保障電力系統(tǒng)安全穩(wěn)定運(yùn)行。
  • 高溫?cái)嚯娢C(jī) AN1V PB302如何用0.0025ms響應(yīng)守住儲(chǔ)能系統(tǒng) 安全紅線
    7月應(yīng)該是一年之中氣溫最高的季節(jié)了,也是電網(wǎng)負(fù)荷激增的時(shí)候,這給儲(chǔ)能系統(tǒng)安全帶來(lái)了不小壓力,類似熱失控、過(guò)流引發(fā)的安全事故頻發(fā)。儲(chǔ)能系統(tǒng)對(duì)電流檢測(cè)的實(shí)時(shí)性要求極高,稍微延時(shí)都可能釀成大禍,傳統(tǒng)電流傳感器響應(yīng)慢,無(wú)法及時(shí)切斷故障電流,導(dǎo)致事故擴(kuò)大,而芯森電子推出的AN1V PB302系列微型霍爾電流傳感器,以0.0025ms(2.5微秒)超快響應(yīng),或成為儲(chǔ)能安全的“最后一道防線”。 為什么儲(chǔ)能系統(tǒng)需
  • 從開(kāi)關(guān)速度看MOSFET在高頻應(yīng)用中的性能表現(xiàn)
    一、MOSFET開(kāi)關(guān)速度的定義與影響因素 開(kāi)關(guān)速度是MOSFET在導(dǎo)通(開(kāi))和關(guān)斷(關(guān))狀態(tài)之間的切換速度,通常以上升時(shí)間(tr)、下降時(shí)間(tf)和開(kāi)關(guān)時(shí)間(ts)來(lái)描述。開(kāi)關(guān)速度越快,MOSFET切換的響應(yīng)時(shí)間越短,意味著更小的開(kāi)關(guān)損耗和更高的工作效率。MOSFET的開(kāi)關(guān)速度主要受以下幾個(gè)因素的影響: 門(mén)極電荷(Qg):門(mén)極電荷是MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程中的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù),直接決定了開(kāi)關(guān)速度。門(mén)極電
  • 接地電阻過(guò)大或過(guò)小會(huì)怎樣
    接地電阻的數(shù)值大小對(duì)電氣安全至關(guān)重要。過(guò)大時(shí),會(huì)使保護(hù)裝置失效、設(shè)備外殼帶電風(fēng)險(xiǎn)增加、防雷效果減弱且系統(tǒng)穩(wěn)定性下降;過(guò)小則可能增加雜散電流干擾、引發(fā)接地網(wǎng)腐蝕并提高成本。其合理范圍需依場(chǎng)景而定,如低壓配電系統(tǒng)中性點(diǎn)≤4Ω、防雷接地≤10Ω 等。實(shí)際中,可通過(guò)增加接地極、用降阻劑等調(diào)電阻,還需合理設(shè)計(jì)接地網(wǎng)并定期維護(hù),以保障設(shè)備和人員安全。
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  • 直流漏電流監(jiān)測(cè) 光伏電站PID效應(yīng)防治的關(guān)鍵防線--芯森電子FR7V P00
    在新疆某200MW光伏電站的監(jiān)控室里,工程師們正緊盯屏幕上一組異常數(shù)據(jù):多組串聯(lián)光伏陣列的輸出功率持續(xù)衰減,日均損失達(dá)3.7%。經(jīng)診斷,電勢(shì)誘導(dǎo)衰減效應(yīng)(PID效應(yīng))正在侵蝕電池板壽命——而問(wèn)題的根源,正是組件與地之間持續(xù)存在的直流漏電流。 PID效應(yīng)的隱形殺手 當(dāng)光伏組件負(fù)偏壓超過(guò)閾值,離子會(huì)穿透玻璃向電池片遷移。這種看似微弱的漏電流(通常<300mA),長(zhǎng)期積累將導(dǎo)致組件功率衰減30%以

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