國產(chǎn)SiC多環(huán)節(jié)突破：主驅(qū)芯片/液相法/激光剝離...

“行家說三代半”發(fā)現(xiàn)，國產(chǎn)SiC近期在粉料、主驅(qū)芯片、液相法及設(shè)備等環(huán)節(jié)均取得實質(zhì)性突破：

●?一汽紅旗：自主設(shè)計的碳化硅功率芯片完成首次流片。

●?連科半導(dǎo)體：液相法碳化硅長晶爐順利驗收。

●?匯川聯(lián)合動力：推出Si-SiC混合模塊電機控制器，已完成A樣的開發(fā)與驗證。

●?山西中電科：成功攻克石墨粉提純工藝關(guān)鍵難題，石墨粉純度達到6.5N。

●?通用半導(dǎo)體：自研設(shè)備8英寸碳化硅晶錠激光剝離設(shè)備成功交付。

一汽紅旗：SiC功率芯片完成首次流片

10月22日，“紅旗研發(fā)新視界”官微宣布，由研發(fā)總院新能源開發(fā)院功率電子開發(fā)部自主設(shè)計的碳化硅功率芯片完成首次流片。

據(jù)介紹，這款芯片專注于整車電驅(qū)動、智慧補能、車載電源、高壓配電、電動化底盤等系統(tǒng)應(yīng)用需求，采用了創(chuàng)新的低導(dǎo)通電阻元胞結(jié)構(gòu)、高元胞密度版圖、高可靠性終端結(jié)構(gòu)及片上柵極電阻集成技術(shù)，實現(xiàn)了超過1200V的擊穿電壓和小于15mΩ的導(dǎo)通電阻。

這一成就標志著紅旗在高性能電動汽車開發(fā)領(lǐng)域初步建立了碳化硅功率芯片設(shè)計能力，并且成功引入了半導(dǎo)體行業(yè)的Fabless（無晶圓廠）合作模式到汽車產(chǎn)品開發(fā)實踐中。

連科半導(dǎo)體：液相法碳化硅長晶爐驗收

10月22日，“連城數(shù)控”官微宣布，公司近日在液相法碳化硅長晶爐領(lǐng)域取得關(guān)鍵性進展，液相法碳化硅(感應(yīng))加熱長晶爐及液相法碳化硅電阻加熱長晶爐已順利在客戶現(xiàn)場完成驗收。

據(jù)消息披露，連科半導(dǎo)體憑借在直拉單晶和碳化硅單晶生長領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗，設(shè)計推出了具有特色的液相法碳化硅長晶爐。這些長晶爐設(shè)計靈活，支持多種加熱方式，能夠適應(yīng)6至8英寸單晶生長的需求，同時擁有專業(yè)的技術(shù)團隊提供快速響應(yīng)和專業(yè)服務(wù)，以提高生產(chǎn)效率和晶體質(zhì)量。

連科半導(dǎo)體表示，液相法技術(shù)在細分領(lǐng)域的優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)，尤其適用于生長P型碳化硅襯底。它不僅可以實現(xiàn)生長低位錯密度、高品質(zhì)的碳化硅晶片，還能顯著提升碳化硅晶片的生產(chǎn)成品率并降低成本。目前，液相法長晶技術(shù)已成為技術(shù)和產(chǎn)業(yè)關(guān)注的焦點。然而，要實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化落地，還需要設(shè)備制造商與襯底生產(chǎn)商的高度協(xié)作和配合，共同推動國內(nèi)液相法技術(shù)的進步和產(chǎn)業(yè)化進程。

匯川聯(lián)合動力：發(fā)布全新混碳電控

10月15日，據(jù)“匯川聯(lián)合動力”官微消息，他們最近發(fā)布了一款新型電機控制器——PD4H混碳電控。這款產(chǎn)品采使用了英飛凌的IGBT和SiC MOSFET混合模塊，實現(xiàn)了高效率和強兼容性。

據(jù)悉，PD4H混碳電控的峰值功率可以覆蓋150至250kW的動力總成系統(tǒng)，滿足從A/B/C級轎車到中大型SUV和MPV等多種車型的動力輸出要求。目前，該產(chǎn)品已完成A樣的開發(fā)與驗證。

這款電控的效率極高，CLTC工況下的實測效率達到98.5%，相較于Si基器件電機控制器提升了1.5%。同時，PD4H混碳電控在成本上比全SiC器件大幅降低，但僅損失0.3%的工況效率，能為整車帶來約3%的續(xù)航里程提升，有效減少電池成本。

PD4H混碳電控的設(shè)計允許直接替代升級現(xiàn)有產(chǎn)品，無需額外開發(fā)專用驅(qū)動芯片，兼容現(xiàn)有電路設(shè)計。其性能強勁，峰值功率250kW，母線電壓覆蓋210~485VDC，峰值電流620Arms，且器件結(jié)溫可支持長時間175℃工作。

山西中電科：石墨粉純度高達6.5N

10月12日，據(jù)“山西中電科”官微消息，日前，山西中電科新能源技術(shù)有限公司在超高純石墨粉純化領(lǐng)域取得了重大突破——

公司成功攻克了石墨粉提純工藝的關(guān)鍵難題，純度指標達到了國內(nèi)領(lǐng)先水平。他們采用自主研發(fā)的純化設(shè)備，對原始灰分為700ppm（99.93%）的石墨粉進行提純處理，提純后的石墨粉純度達到6.5N（99.99995%），且所有金屬元素均低于檢測極限值。

山西中電科表示，他們將繼續(xù)加強關(guān)鍵核心技術(shù)的研發(fā)，以提升自身的核心競爭力。這一成就標志著公司在石墨粉純化技術(shù)方面邁出了重要一步。

通用半導(dǎo)體：SiC激光剝離設(shè)備交付

10月11日，據(jù)無錫日報消息，江蘇通用半導(dǎo)體有限公司自研設(shè)備8英寸碳化硅晶錠激光剝離設(shè)備，于日前正式交付廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司，并投入生產(chǎn)。

通用半導(dǎo)體董事長陶為銀表示，該產(chǎn)品與傳統(tǒng)的線切割工藝相比，大幅降低了產(chǎn)品損耗，而設(shè)備售價僅僅是國外同類產(chǎn)品的三分之一，屬于國內(nèi)首套。

資料顯示，通用半導(dǎo)體的發(fā)展歷程包括多個激光微納加工領(lǐng)域的技術(shù)突破，其中，該公司在2023年成功研發(fā)出國內(nèi)首臺8英寸全自動SiC晶錠激光剝離產(chǎn)線。據(jù)悉，江蘇通用通過自主研發(fā)的激光剝離設(shè)備，成功剝離出厚度僅為130微米的超薄碳化硅晶圓片，顯著降低了生產(chǎn)成本。

陶為銀還提到，公司的設(shè)備自動化水平不斷提高，實現(xiàn)了6英寸和8英寸晶錠的全自動分片，提高了速度和良品率。隨著新設(shè)備的陸續(xù)推向市場，通用半導(dǎo)體的訂單已排至明年。公司的研發(fā)人員占比近40%，全部產(chǎn)線投入生產(chǎn)后，預(yù)計每年可剝離碳化硅襯底2萬片。此外，公司還計劃進一步加快產(chǎn)業(yè)化進程。