格力、三安、長飛等3條SiC晶圓線投產(chǎn)/點亮

近期，國內(nèi)3個百億投資級別的SiC項目宣布迎來新進展：●?格力電器：碳化硅芯片工廠正式建成并投入生產(chǎn)。● 三安：安意法首期產(chǎn)線已于11月完成點亮。● 長飛先進：武漢基地完成首批設(shè)備搬入。

格力電器：碳化硅芯片工廠建成投產(chǎn)

12月17日晚間，格力電器官方視頻號發(fā)布相關(guān)視頻，展示了旗下投資近百億元建設(shè)的全自動第三代半導(dǎo)體（碳化硅）芯片工廠。

據(jù)悉，格力電器的碳化硅芯片工廠正式建成并投入生產(chǎn)；格力電器董事長董明珠日前在《珍知酌見》欄目中表示，格力芯片成功了，格力在芯片領(lǐng)域從自主研發(fā)、自主設(shè)計、自主制造到整個全產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)完成。

該項目自2022年12月開始打樁建設(shè)，僅用時10個月完成芯片廠房的建設(shè)和設(shè)備移入，并在388天內(nèi)實現(xiàn)全面通線。此外，工廠關(guān)鍵核心工藝的國產(chǎn)化設(shè)備導(dǎo)入率超過70%，為全自動缺陷檢測方案的碳化硅芯片制造工廠。

產(chǎn)能方面，根據(jù)珠海市生態(tài)環(huán)境局在官網(wǎng)于2023年6月披露的“格力電子元器件擴產(chǎn)項目環(huán)境影響報告表受理公告”顯示，格力電器的第三代半導(dǎo)體芯片工廠項目總用地面積約為20萬平方米，施工周期為12個月，將新建3座廠房及其配套建筑設(shè)施，其生產(chǎn)廠房1計劃安裝6英寸SiC芯片生產(chǎn)線，生產(chǎn)廠房2 計劃安裝6英寸晶圓封裝測試生產(chǎn)線，生產(chǎn)廠房3作為二期預(yù)留工程。預(yù)計項目建成后，將擁有年產(chǎn)24萬片的6英寸SiC芯片制造及封裝測試能力，原計劃于2024年6月量產(chǎn)。

安意法半導(dǎo)體：首期產(chǎn)線11月完成點亮

12月17日，三安光電在投資者互動平臺表示，湖南三安與意法半導(dǎo)體在重慶設(shè)立的合資公司安意法首期產(chǎn)線已于11月完成點亮，預(yù)計將于2025年一季度通線后開始流片驗證，并逐步釋放產(chǎn)能。

據(jù)“行家說三代半”此前報道，2023年6月，三安光電與意法半導(dǎo)體宣布將在中國重慶建立一個新的8英寸碳化硅器件合資制造廠。同時，三安光電將利用自有SiC襯底工藝，單獨建造和運營一個新的8英寸SiC襯底制造廠，以滿足該合資廠的襯底需求。其中，該襯底工廠也于今年8月底點亮通線。

2大項目均位于重慶高新區(qū)西永微電子產(chǎn)業(yè)園，總規(guī)劃投資約300億元人民幣，項目達(dá)產(chǎn)后將建成一條8吋碳化硅襯底和晶圓制造線，具備年產(chǎn)48萬片8吋碳化硅襯底、車規(guī)級MOSFET功率芯片的制造能力。

長飛先進：武漢基地首批設(shè)備搬入

12月18日，長飛先進官微宣布，其武漢基地建設(shè)再次迎來新進展——項目首批設(shè)備搬入儀式于光谷科學(xué)島成功舉辦。

本次搬入的設(shè)備涵蓋芯片制造各個環(huán)節(jié)，包括薄膜淀積、離子注入、光刻、刻蝕等，將為武漢基地構(gòu)建全鏈條生產(chǎn)能力、加速通線量產(chǎn)奠定堅實根基。

長飛先進表示，本次設(shè)備搬入作為廠房建設(shè)發(fā)展歷程中重要一環(huán)，標(biāo)志著武漢基地即將邁入工藝驗證新階段，全面投產(chǎn)正式進入倒計時。據(jù)悉，該項目總投資預(yù)計超過200億元。目前，長飛先進武漢基地項目正加快推進建設(shè)并對設(shè)備進行安裝調(diào)試，預(yù)計2025年5月實現(xiàn)量產(chǎn)通線。項目達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計可年產(chǎn)36萬片6英寸碳化硅晶圓及外延、6100萬個功率器件模塊，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、儲能、充電樁等領(lǐng)域。