4個國產(chǎn)SiC項目新進(jìn)度：超134億、年底投產(chǎn)！

近日，國內(nèi)多個SiC項目建設(shè)傳新進(jìn)度：

●?士蘭微：8英寸SiC項目進(jìn)入土方工程收尾階段，預(yù)計于明年Q3通線。

●?予秦半導(dǎo)體：SiC晶體材料研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目環(huán)評表公示，產(chǎn)能為840個晶錠/年。

●?新潔能：總部基地及SiC/GaN產(chǎn)業(yè)化項目預(yù)計年底竣工投用。

●?山東大學(xué)&中晶芯源：8英寸碳化硅單晶生長及襯底加工技術(shù)開發(fā)項目簽約濟(jì)南。

士蘭微：8吋SiC項目工程收尾

10月18日，據(jù)“廈門日報”消息，士蘭微子公司士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目已進(jìn)入土方工程收尾階段，一期項目預(yù)計將于2025年三季度末初步通線，四季度試生產(chǎn)。

據(jù)項目總指揮朱利榮介紹，目前，樁基工程已完成，磚胎膜、墊層、鋼筋綁扎等基礎(chǔ)筏板施工等作業(yè)正在有序進(jìn)行。

據(jù)“行家說三代半”此前報道，今年5月，士蘭微與廈門市人民政府、廈門市海滄區(qū)人民政府等多方簽署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》及《投資合作協(xié)議》，宣布合資在廈門市海滄區(qū)建立一條以SiC-MOSFET為主要產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線。

該項目分兩期建設(shè)，總投資規(guī)模約120億元，兩期建設(shè)完成后，將在廈門市海滄區(qū)形成8英寸碳化硅功率器件芯片年產(chǎn)72萬片的生產(chǎn)能力。

值得一提的是，士蘭微已正式參編《2024碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》，將與眾多行家企業(yè)一起深入剖析碳化硅產(chǎn)業(yè)脈絡(luò)?！栋灼穼⒂诮衲?2月中旬發(fā)布，屆時也將深入展示士蘭微的SiC最新進(jìn)展和布局。

除士蘭微外，合盛新材料、芯聚能、安海半導(dǎo)體、三安半導(dǎo)體、爍科晶體、天岳先進(jìn)、青禾晶元、恒普技術(shù)、華卓精科、快克芯裝備、泰坦未來、東尼電子、科友半導(dǎo)體、長聯(lián)半導(dǎo)體、瑤芯微、致領(lǐng)半導(dǎo)體、奧億達(dá)新材料、瑞霏光電、才道精密、億值旺、純水一號、中科光智、成都炭材、思銳智能、三義激光、中電化合物、森國科、清軟微視、清連科技、弘信新材、高泰新材、創(chuàng)銳光譜、意法半導(dǎo)體、西湖儀器等已正式參編《2024碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》，期待更多SiC領(lǐng)域的行家企業(yè)加入，共同推進(jìn)碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，了解更多詳情請掃描海報二維碼。

予秦半導(dǎo)體：SiC項目環(huán)評公示

10月18日，“蕪湖市生態(tài)環(huán)境局”公示了關(guān)于蕪湖予秦半導(dǎo)體科技有限公司晶體材料研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目環(huán)境影響報告書。

報告書顯示，該項目總投資1.1億元，選址位于蕪湖高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)，項目占地面積約3000平方米，租賃蕪湖太平洋塑膠有限公司廠房建筑面積2428.6平方米，建設(shè)SiC半導(dǎo)體晶體材料生產(chǎn)線，項目共投入30臺長晶設(shè)備，產(chǎn)能為840個晶錠/年。

據(jù)悉，該項目早于2022年8月8日在蕪湖市弋江區(qū)發(fā)展和改革委員會進(jìn)行首次備案，原規(guī)劃建設(shè)碳化硅長晶爐總部及生產(chǎn)基地項目，組裝生產(chǎn)碳化硅長晶設(shè)備（環(huán)評豁免）；后于2024年4月1日變更備案并通過，建設(shè)晶體材料研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目，并且于同年6月對備案中項目占地面積、租賃廠房建筑面積、建設(shè)周期等建設(shè)內(nèi)容進(jìn)行更正并通過備案。

公開資料顯示，予秦半導(dǎo)體成立于2022年，是一家主要從事第三代半導(dǎo)體材料-碳化硅襯底研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的公司，其團(tuán)隊研發(fā)的碳化硅長晶爐掌握了粉料提純關(guān)鍵技術(shù)，能夠在達(dá)到高極限真空、低背景漏率的基礎(chǔ)上，實現(xiàn)溫場、流量、真空度等參數(shù)可視化實時監(jiān)控，同時兼具豐富的生產(chǎn)工藝優(yōu)化經(jīng)驗，有效提高碳化硅生長速度。

新潔能：SiC/GaN項目年底竣工投產(chǎn)

10月17日，據(jù)“無錫高新區(qū)在線”消息，位于無錫市高新區(qū)（新吳區(qū)）的新潔能總部基地及產(chǎn)業(yè)化項目即將竣工投產(chǎn)。

據(jù)悉，新潔能總部基地及產(chǎn)業(yè)化項目總投資13.5億元，用地面積約3.17萬平方米，建筑面積約5.4-5.7萬平方米，該項目于2023年1月開工建設(shè)，預(yù)計2024年底竣工投用。

該項目建成投產(chǎn)后，預(yù)計年產(chǎn)碳化硅/氮化鎵功率器件2640萬只；年產(chǎn)14.52億只IC及智能功率模塊（IPM）等功率集成模塊；年產(chǎn)362.6萬只SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模塊（含車規(guī)級）。預(yù)計達(dá)產(chǎn)后可實現(xiàn)年產(chǎn)值16.66億元。

山東大學(xué)&中晶芯源：8吋SiC開發(fā)項目簽約

10月18日，據(jù)“投資濟(jì)南”官微消息，濟(jì)南市半導(dǎo)體、空天信息產(chǎn)業(yè)高價值技術(shù)成果本市轉(zhuǎn)化對接會于17日在歷城區(qū)國家超級計算濟(jì)南中心舉辦。會上，12個項目進(jìn)行了簽約，其中包括一個8英寸SiC項目。

據(jù)報道，山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院與中晶芯源就“8英寸碳化硅單晶生長及襯底加工技術(shù)開發(fā)項目”簽約。

此次簽約項目延續(xù)、加深了山東大學(xué)與南砂晶圓的合作——早在2023年8月，雙方共同公布了8英寸SiC的最新進(jìn)展，他們已成研發(fā)出8英寸導(dǎo)電型4H-SiC晶體，為后續(xù)的濟(jì)南8英寸碳化硅單晶和襯底產(chǎn)業(yè)化項目夯實了技術(shù)基礎(chǔ)。

據(jù)“行家說三代半”此前報道，中晶芯源為南砂晶圓全資子公司，將在山東濟(jì)南布局8英寸碳化硅單晶和襯底產(chǎn)業(yè)化項目；今年6月，“中晶芯源”投產(chǎn)啟動儀式在山東濟(jì)南正式舉行，代表南砂晶圓、中晶芯源8英寸碳化硅北方基地順利投產(chǎn)。