總投資超36億，新增6個GaN項目

氮化鎵行業(yè)最近很是熱鬧，英飛凌宣布實現(xiàn)了12吋晶圓突破；近日，國內(nèi)外多家GaN也傳來了項目、研發(fā)等新動態(tài)：

●?冠鼎半導體：投資1.055億人民幣，推進第三代氮化鎵功率半導體生產(chǎn)新建項目。

●?華通芯電：旗下封裝產(chǎn)線正式通線，專注于氮化鎵射頻功率器件模組的封裝與測試。

●?新鎵能半導體：氮化鎵功率芯片項目簽約落戶無錫惠山。

●?榮盛晶科技：舉行金剛石及氮化鎵材料產(chǎn)業(yè)基地投產(chǎn)儀式，總投資高達35.5億元人民幣。

●?韓國Waybroad ：計劃量產(chǎn)GaN功率外延片，主要用于制造高頻高功率無線通信系統(tǒng)的功率放大器。

●?韓國Yutaka：計劃在下半年與日本DOWA電子合作，為韓國工業(yè)界提供本土化GaN晶圓。

現(xiàn)如今，GaN正逐步進入爆發(fā)期，上下游廠商均在積極布局、導入GaN產(chǎn)品與技術；為了加速推進GaN技術的規(guī)?；瘧茫屑艺f三代半將聯(lián)合能華半導體等眾多GaN領軍企業(yè)共同制作《2024氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》，我們也期待更多GaN領域的行家企業(yè)參與編寫，共同推進氮化鎵半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，了解更多詳情請掃描海報二維碼。

冠鼎半導體：新建GaN項目

9月9日，江門市生態(tài)環(huán)境局發(fā)布了“冠鼎半導體第三代氮化鎵功率半導體生產(chǎn)新建項目”的環(huán)評文件受理公告。

公告披露，冠鼎半導體正在推進第三代氮化鎵（GaN）功率半導體生產(chǎn)新建項目，該項目位于廣東省江門市新會區(qū)崖門鎮(zhèn)，項目總投資額為1.055億元，其中環(huán)保投資占50萬元，施工工期預計為2個月，目前尚未開始建設。

項目計劃年加工第三代氮化鎵功率半導體1500萬件，主要生產(chǎn)設施包括萬級潔凈室和十萬級潔凈室，將配備固晶機、焊線機、離子清洗機等關鍵設備。

據(jù)“行家說三代半”此前報道，2023年8月，冠鼎半導體舉行了第三代半導體封測工廠動工儀式；同年12月，該公司舉行了“氮化鎵功率半導體生產(chǎn)建設項目竣工投產(chǎn)儀式”。故此次項目應為擴產(chǎn)項目。

資料顯示，冠鼎半導體成立于2023年8月，為江門市鼎翔電子科技有限公司全資子公司。鼎翔電子成立于2012年6月，是一家集半導體封裝材料開發(fā)設計制造及方案解決為一體的，專業(yè)從事發(fā)光二極管(LED)引線框架、塑封三極管引線框架和精密電子元器件生產(chǎn)的工廠。

華通芯電：GaN封裝產(chǎn)線正式通線

據(jù)華通芯電官微8月23日消息，日前，華通芯電(南昌)電子科技有限公司宣布其封裝產(chǎn)線正式通線，該產(chǎn)線專注于氮化鎵射頻功率器件模組和硅基射頻功率器件模組的封裝與測試，將為無線通信、汽車電子等高端工業(yè)領域的關鍵部件國產(chǎn)自主可控貢獻重要力量。

據(jù)悉，自正式通線以來，華通芯電已成功開發(fā)出300W和700W的微波射頻器件模組，并計劃年內(nèi)完成3000支的出貨量。目前，產(chǎn)線內(nèi)的全自動共晶機、全自動粘片機、全自動鍵合機正穩(wěn)定、高效運轉(zhuǎn)。

資料顯示，華通芯電成立于2022年3月，專注于「第二代」與「第三代」半導體新世代整合制造服務公司,并結(jié)合集團半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)，包含硅基廠、集成電路設計公司、封裝測試公司、設計平臺和通路策略伙伴，整合關鍵技術并形成一個生態(tài)產(chǎn)業(yè)鏈。

新鎵能半導體：氮化鎵項目落戶無錫惠山

9月6日，據(jù)“無錫惠山發(fā)布”官微，無錫市惠山區(qū)啟動了名為“宏光”行動的計劃，旨在通過5到8年的時間，形成一個以光子制造為核心的產(chǎn)業(yè)集群，目前該基地已引入了包括“氮化鎵功率芯片項目”在內(nèi)的多個產(chǎn)業(yè)項目：

據(jù)報道，該項目由廈門新鎵能半導體科技有限公司投資建設，該公司成立于2024年4月，實際控制人為新加坡半導體公司GAENER SEMICONDUCTOR PTE. LTD.，持股比例約為62.33%。但目前，該項目還未披露更多信息，“行家說三代半”將持續(xù)關注。

關于宏光光電子產(chǎn)業(yè)基地，該項目預計總投資30億元，注冊資本5億元，規(guī)劃用地約120畝，計劃建設12.8萬平方米的工業(yè)廠房及相關配套設施?；貙Ｗ⒂诠庾又圃斓暮诵墓δ懿考凸庾訕O端制造設備，預計到2027年產(chǎn)業(yè)規(guī)模將達到20億元，到2030年將有不少于25家企業(yè)入駐，形成百億級的產(chǎn)業(yè)集群。

榮盛晶科技：氮化鎵材料產(chǎn)業(yè)基地投產(chǎn)

據(jù)大河網(wǎng)9月10日消息，榮盛晶創(chuàng)新材料科技有限公司在鄭州舉行了金剛石產(chǎn)業(yè)基地的投產(chǎn)儀式，這標志著該公司在金剛石及氮化鎵（GaN）等泛半導體功能材料的生產(chǎn)上邁出了重要一步。

據(jù)介紹，該產(chǎn)業(yè)基地的總投資高達35.5億元人民幣，分為兩期建設。其中，一期工程已經(jīng)啟動，投資額為14.2億元，旨在建設年產(chǎn)兩百克拉高品質(zhì)CVD金剛石功能材料的制備基地；二期工程計劃投資21.3億元，將主要聚焦于金剛石和氮化鎵等泛半導體材料的產(chǎn)業(yè)園區(qū)建設。

資料顯示，榮盛集團總部位于美國，專注于MPCVD大尺寸金剛石的工業(yè)化生產(chǎn)和多領域應用，其產(chǎn)品覆蓋了從原料生產(chǎn)到多領域應用產(chǎn)品的設計制造，再到線上線下零售品牌的全產(chǎn)業(yè)鏈。

韓國Waveroad：計劃量產(chǎn)GaN功率外延片

9月9日，據(jù)韓媒消息，韓國GaN初創(chuàng)公司W(wǎng)averoad宣布，他們計劃在韓國本土首次量產(chǎn)用于民間和國防領域的高頻高功率無線通信系統(tǒng)的功率放大器所需的GaN外延片。

據(jù)介紹，Waveroad最近開發(fā)的新產(chǎn)品的厚度比海外競爭對手的產(chǎn)品薄四倍以上，因此性能和散熱特性更優(yōu)越，生產(chǎn)效率也提高了20%以上。

具體來看，Waveroad計劃在明年上半年完成4英寸和6英寸高頻高功率無線通信系統(tǒng)的功率放大器用外延片的開發(fā)并開始量產(chǎn)。此外，基于最近獲得的6英寸開關用高功率GaN功率半導體外延片技術，公司計劃在明年年底前完成8英寸外延片的技術發(fā)展。

未來，為了提高GaN功率半導體的性能和質(zhì)量，Waveroad還計劃開發(fā)自己的工程化襯底作為獨家解決方案。

資料顯示，Waveroad的代表宋俊昊（Song Joon-oh）在獲得GaN材料和器件領域的碩士和博士學位后，曾在一家大型企業(yè)領導相關業(yè)務部門，并于2019年創(chuàng)立了這家公司。

韓國Yutaka：即將批量供貨GaN晶圓

9月9日，據(jù)韓媒報道，韓國半導體企業(yè)Yutaka將與日本DOWA電子展開合作，下半年在韓國市場供應自主開發(fā)的氮化鎵晶圓，旨在成為韓國最可靠的GaN晶圓供應商。

據(jù)悉，Yutaka的合作對象DOWA電子是DOWA集團的子公司，專注于電子材料的生產(chǎn)，包括GaN外延片、半導體材料、電子材料和功能材料；雙方將合作推出GaN外延片。

目前，Yutaka還在根據(jù)客戶需求開發(fā)高頻射頻器件的晶圓，以及進行6英寸GaN on SiC外延片項目。

Yutaka業(yè)務本部長韓相民表示，公司將利用DOWA電子的豐富的外延生產(chǎn)經(jīng)驗和業(yè)務穩(wěn)定性，與功率半導體器件、IC代工廠和代工企業(yè)合作，推動GaN產(chǎn)品開發(fā)和生產(chǎn)穩(wěn)定化。