這家GaN突破3300V！投資15億建3條芯片線

近日，一家GaN企業(yè)宣布了其在高壓氮化鎵功率器件領域的突破，電壓等級達3300V——

10月18日，據(jù)“泰克科技”官微消息，近日，遠山半導體發(fā)布了新一代高壓氮化鎵功率器件，并送往泰克科技進行了測試。

目前，遠山半導體的產(chǎn)品線包括700V、1200V、1700V、3300V等多種規(guī)格的藍寶石基氮化鎵功率器件，這些器件采用了特有的極化超級結（PSJ）技術，提升了額定工作電壓和工作電流至1200V/20A，主要應用于高功率PD快充、車載充電器、雙向DC-DC、微型逆變器、便攜儲能、V2G等領域。

泰克科技測試結果顯示，遠山半導體氮化鎵功率器件展現(xiàn)了良好的性能，包括高擊穿電壓、低閾值電壓、低靜態(tài)導通電阻等。在動態(tài)開關測試中，即使在高壓條件下，器件也表現(xiàn)出了極高的開關速度，并且克服了電流崩塌現(xiàn)象。

總的來說，遠山半導體的氮化鎵功率器件在高電壓大電流條件下表現(xiàn)出色，打破了傳統(tǒng)氮化鎵器件額定電壓650V的限制。

“行家說三代半”了解到，遠山半導體成立于 2017 年 10月 ，由公信投資管理有限公司、日本 PowDec 株式會社共同出資設立。該公司以獨有的4英寸藍寶石基氮化鎵外延生長技術為基礎，生產(chǎn) 650V~6500V 等多種規(guī)格的氮化鎵功率半導體外延晶圓與功率器件。

其官微消息曾披露，他們已推出了單片耐壓高達6500V，電流范圍在5-30A內(nèi)的GaN產(chǎn)品，外延生長時間僅需2-3小時，良品率接近100%，且成本大幅低于市場平均水平。

項目方面，遠山半導體于2022年末規(guī)劃新建項目，預計總投資15億元，新增設備包括15臺MOCVD設備、3條規(guī)?；?a class="article-link" target="_blank" href="/tag/%E8%8A%AF%E7%89%87/">芯片生產(chǎn)線和全套封裝檢測設備。當時遠山半導體正尋求政府產(chǎn)業(yè)基金入股母公司，并希望項目公司能落戶當?shù)兀瑫r尋求人才、廠房、設備補貼，并規(guī)劃用地100畝。

合作方面，2024年4月，遠山半導體與豐田合成株式會社在日本名古屋簽訂了合作協(xié)議，正式建立了戰(zhàn)略伙伴關系。這一合作標志著雙方將在GaN技術、產(chǎn)品、市場等方面展開實質(zhì)性的業(yè)務合作，共同探索共贏發(fā)展的新路徑。