Qorvo? 推出采用 TOLL 封裝的 750V 4mΩ SiC JFET

全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布，率先在業(yè)界推出采用 TOLL 封裝的 4mΩ 碳化硅（SiC）結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）——UJ4N075004L8S。該產(chǎn)品專為包括固態(tài)斷路器在內(nèi)的電路保護(hù)應(yīng)用而設(shè)計，UJ4N075004L8S 所具有的低電阻、卓越的熱性能、小巧的尺寸和高可靠性等優(yōu)點在上述應(yīng)用中至關(guān)重要。

UJ4N075004L8S 的導(dǎo)通電阻 RDS(on) 低至 4mΩ，是業(yè)內(nèi)采用標(biāo)準(zhǔn)分立封裝的 650V 至 750V 等級功率器件中導(dǎo)通電阻最低的器件。較低的導(dǎo)通電阻使發(fā)熱量顯著降低，加之緊湊的 TOLL 封裝，使解決方案的尺寸比 TO-263 封裝的同類產(chǎn)品小 40%。新品可應(yīng)對目前電磁式斷路器對有限空間尺寸的所有要求，且無需復(fù)雜的冷卻系統(tǒng)即可運行，加速從電磁式斷路器向基于半導(dǎo)體的固態(tài)斷路器（SSCB）的轉(zhuǎn)型。

“隨著 UJ4N075004L8S 的推出，Qorvo 將繼續(xù)領(lǐng)導(dǎo) SiC 電源產(chǎn)品的創(chuàng)新，以超小型元件封裝的超低導(dǎo)通電阻 FET 器件助力電路保護(hù)等應(yīng)用的發(fā)展。”Qorvo SiC 電源產(chǎn)品業(yè)務(wù)產(chǎn)品線市場總監(jiān) Ramanan Natarajan 表示，“SSCB 市場正迅速增長，Qorvo 的最新產(chǎn)品是這一技術(shù)演進(jìn)中的重要里程碑。”

Qorvo 的 JFET 器件堅固耐用，能夠在電路故障時承受極高的浪涌電流并實現(xiàn)關(guān)斷，非常適合應(yīng)對電路保護(hù)領(lǐng)域的挑戰(zhàn)。其最新款 JFET 還能承受高瞬時結(jié)溫而不發(fā)生性能劣化或參數(shù)漂移。JFET 的常開特性使其能無縫集成到默認(rèn)導(dǎo)通狀態(tài)的系統(tǒng)中，并在故障條件下轉(zhuǎn)為關(guān)斷狀態(tài)。

UJ4N075004L8S 現(xiàn)已提供樣品，并將于 2024 年第四季度投入量產(chǎn)；屆時，Qorvo 還將推出更多 JFET 產(chǎn)品，包括額定電壓為 750V 的 5mΩ 產(chǎn)品和額定電壓 1200V 的 8mΩ 產(chǎn)品，均采用 TO-247 封裝。獲取有關(guān)這一變革性電源技術(shù)的更多詳情及詳細(xì)產(chǎn)品規(guī)格，請訪問 Qorvo 電源解決方案網(wǎng)站。