今年這七座晶圓廠(chǎng)或延期建設(shè)

近兩年，半導(dǎo)體行業(yè)受到下行周期市場(chǎng)復(fù)蘇不及預(yù)期、資金緊張等多方面影響，英特爾、臺(tái)積電、三星等多家大廠(chǎng)在繼續(xù)維持?jǐn)U產(chǎn)大勢(shì)下，不斷調(diào)整放緩晶圓廠(chǎng)建設(shè)速度和節(jié)奏，以更好服務(wù)于企業(yè)長(zhǎng)期發(fā)展目標(biāo)。據(jù)全球半導(dǎo)體觀(guān)察不完全統(tǒng)計(jì)，今年上半年以來(lái)，英特爾德國(guó)1nm芯片廠(chǎng)和美國(guó)俄亥俄州建廠(chǎng)兩座工廠(chǎng)延遲建設(shè)，三星韓國(guó)平澤芯片廠(chǎng)和美國(guó)泰勒晶圓廠(chǎng)延期，臺(tái)積電美國(guó)亞利桑那州兩座工廠(chǎng)推遲投產(chǎn)。另外，Wolfspeed德國(guó)8英寸SiC晶圓廠(chǎng)或推遲到2025年開(kāi)建。

英特爾德國(guó)1nm芯片廠(chǎng)和美國(guó)俄亥俄州建廠(chǎng)延遲建設(shè)

據(jù)外媒消息，英特爾位于德國(guó)馬格德堡附近Fab 29.1和Fab 29.2的建設(shè)被推遲，因?yàn)闅W盟補(bǔ)貼審批待定以及需要移除黑土并重新利用。開(kāi)工時(shí)間由2024年夏天推遲至2025年5月。

此前消息顯示，該芯片廠(chǎng)建設(shè)計(jì)劃最初開(kāi)始于2023年上半年，但由于補(bǔ)貼延遲，建設(shè)被推遲到2024年夏天。為此，德國(guó)財(cái)政部長(zhǎng)邁克爾·里希特（Michael Richter）極力推動(dòng)，確保英特爾獲得所需的資金。2023年，聯(lián)邦政府批準(zhǔn)了價(jià)值99億歐元的國(guó)家援助作為英特爾300億歐元的項(xiàng)目補(bǔ)貼，但這還有待歐盟確認(rèn)。

另外，施工現(xiàn)場(chǎng)的表土最早要到2025年5月才能清除，據(jù)悉英特爾未來(lái)的建筑工地含有優(yōu)質(zhì)黑土，必須按照法律規(guī)定小心清除并重新利用。州政府將負(fù)責(zé)清除表層40厘米的土壤，而英特爾則負(fù)責(zé)清除超過(guò)此深度的額外土壤。

據(jù)悉，英特爾的Fab 29.1和Fab 29.2原計(jì)劃于2027年底開(kāi)始運(yùn)營(yíng)，或?qū)⒉捎梅浅Ｏ冗M(jìn)的制造工藝，可能為Intel 14A（1.4nm）和Intel 10A（1nm）工藝節(jié)點(diǎn)。但英特爾現(xiàn)在估計(jì)“建造這兩家工廠(chǎng)需要四到五年時(shí)間”，“因此將于2029年至2030年開(kāi)始生產(chǎn)”。

此前英特爾官方消息顯示，英特爾節(jié)點(diǎn)命名約定中的“A”后綴代表埃，10埃轉(zhuǎn)換為1納米。英特爾尚未透露有關(guān) 10A/1nm 節(jié)點(diǎn)的任何細(xì)節(jié)，但告訴我們，它將新節(jié)點(diǎn)歸類(lèi)為至少具有兩位數(shù)的功耗/性能改進(jìn)。英特爾首席執(zhí)行官帕特·基辛格 (Pat Gelsinger) 告訴我們，新節(jié)點(diǎn)的改進(jìn)幅度大約為 14% 到 15%，因此我們可以預(yù)期 10A 節(jié)點(diǎn)將至少比 14A 節(jié)點(diǎn)有同樣程度的改進(jìn)。

另外，今年2月外媒消息，由于市場(chǎng)需求低迷和美國(guó)補(bǔ)貼發(fā)放延遲，英特爾推遲了美國(guó)俄亥俄州200億美元規(guī)模的芯片項(xiàng)目。

2022年1月，英特爾宣布計(jì)劃初始投資超過(guò)200億美元，在俄亥俄州利金縣建設(shè)兩家新的尖端晶圓廠(chǎng)。該計(jì)劃從2025年開(kāi)始芯片制造。受到多方因素影響，據(jù)據(jù)參與該項(xiàng)目的人士稱(chēng)，俄亥俄州一號(hào)項(xiàng)目的Fab1和Fab2兩座工廠(chǎng)目前推出至2026~2027年完工，約2027~2028年正式投運(yùn)。

三星韓國(guó)平澤芯片廠(chǎng)和美國(guó)泰勒晶圓廠(chǎng)延期

今年2月消息，三星透露，三星已部分停止其位于京畿道平澤市的第五家半導(dǎo)體工廠(chǎng)的建設(shè)。

據(jù)悉，平澤園區(qū)是三星電子的半導(dǎo)體基地，涵蓋內(nèi)存和系統(tǒng)半導(dǎo)體、芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和后處理。三星電子原計(jì)劃在平澤園區(qū)85.5萬(wàn)平方米的場(chǎng)地上建設(shè)六家半導(dǎo)體工廠(chǎng)，打造全球最大的半導(dǎo)體中心。目前，平澤園區(qū)的P1、P2和P3工廠(chǎng)擁有最先進(jìn)的 DRAM、NAND 閃存和代工生產(chǎn)線(xiàn)，而P4和P5工廠(chǎng)的建設(shè)正在進(jìn)行中。

三星電子當(dāng)時(shí)表示，停工是為了進(jìn)一步檢查。但行業(yè)人士透露，三星調(diào)整P4、P5晶圓廠(chǎng)新生產(chǎn)線(xiàn)是為了優(yōu)先建造P4廠(chǎng)PH2產(chǎn)線(xiàn)。據(jù)悉，P4廠(chǎng)或?qū)⑴d建PH3產(chǎn)線(xiàn)，生產(chǎn)高端DRAM等以滿(mǎn)足市場(chǎng)需求。

另外，據(jù)外媒消息報(bào)道，三星位于美國(guó)得克薩斯州的工廠(chǎng)也延期了。據(jù)悉，三星電子已將位于美國(guó)德克薩斯州泰勒市的晶圓的量產(chǎn)時(shí)間從2024年底推遲到了2026年，原因可能是考慮到晶圓代工市場(chǎng)增勢(shì)放緩而調(diào)整了建設(shè)速度。延遲是由于與美國(guó)政府補(bǔ)貼和各種許可復(fù)雜性相關(guān)的問(wèn)題造成的。經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇的不確定性似乎也影響了三星電子在該地區(qū)的投資決策。

據(jù)悉，三星泰勒晶圓廠(chǎng)項(xiàng)目始于2022年上半年，原計(jì)劃于2024年下半年量產(chǎn)，主要聚焦4nm芯片。在2023年12月末，三星電子代工（芯片代工）業(yè)務(wù)總裁崔時(shí)永在美國(guó)IEDM 2023上表示，泰勒工廠(chǎng)將于2024年下半年開(kāi)始首次代工服務(wù)，并于2025年開(kāi)始量產(chǎn)，這表明投資計(jì)劃已調(diào)整。并且，今年1月外媒最新消息顯示，三星電子原定于2023年末在泰勒晶圓廠(chǎng)安裝設(shè)備，現(xiàn)在該安裝計(jì)劃已推遲到2024年上半年，這或?qū)⒘慨a(chǎn)時(shí)間再次后延。

臺(tái)積電美國(guó)亞利桑那州兩座工廠(chǎng)推遲投產(chǎn)

4月9日，臺(tái)積電在官網(wǎng)宣布計(jì)劃在亞利桑那州建設(shè)第三座晶圓廠(chǎng)，建成之后采用2nm或更先進(jìn)的制程工藝為客戶(hù)代工晶圓，在亞利桑那州鳳凰城的全部資本支出，也將因此超過(guò)650億美元。

與此同時(shí)，業(yè)界還關(guān)注到，臺(tái)積電公布的在亞利桑那州的第一座和第二座晶圓廠(chǎng)投產(chǎn)時(shí)間較最初的計(jì)劃有推遲。

在官網(wǎng)上，臺(tái)積電披露，他們?cè)趤喞Ｄ侵莸氖鬃A廠(chǎng)正推進(jìn)到2025年上半年投產(chǎn)，采用4nm制程工藝為相關(guān)的客戶(hù)代工晶圓；第二座除了此前宣布的3nm制程工藝，也將增加更先進(jìn)的2nm制程工藝，將在2028年開(kāi)始批量生產(chǎn)。

此前2020年5月15日宣布在亞利桑那州建設(shè)晶圓廠(chǎng)時(shí)，臺(tái)積電計(jì)劃在2021年開(kāi)始建設(shè)，目標(biāo)量產(chǎn)時(shí)間是2024年。2022年12月6日，臺(tái)積電宣布工廠(chǎng)的制程工藝由此前計(jì)劃的5nm升級(jí)到4nm時(shí)，他們?nèi)员硎居?jì)劃在2024年量產(chǎn)。

亞利桑那州第二座晶圓廠(chǎng)則是在2020年12月份宣布，原定計(jì)劃于2026年量產(chǎn)，主要采用3nm制程工藝為客戶(hù)代工晶圓。最新披露的2028年較原計(jì)劃就推遲了近兩年。

而對(duì)于計(jì)劃在亞利桑那州建設(shè)的第三座晶圓廠(chǎng)，臺(tái)積電尚未披露動(dòng)工的時(shí)間，但他們提到將采用2nm或更先進(jìn)的制程工藝，計(jì)劃在本世紀(jì)30年代末開(kāi)始投產(chǎn)。

Wolfspeed德國(guó)8英寸SiC晶圓廠(chǎng)或推遲到2025年開(kāi)建

今年延遲動(dòng)工的還有Wolfspeed與采埃孚聯(lián)合投資建設(shè)的德國(guó)8英寸SiC晶圓廠(chǎng)。

2023年2月，Wolfspeed公司與采埃孚集團(tuán)宣布建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。雙方計(jì)劃建立聯(lián)合創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室，推動(dòng)碳化硅系統(tǒng)和設(shè)備技術(shù)在出行、工業(yè)和能源應(yīng)用領(lǐng)域的進(jìn)步。該戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系還包括采埃孚一項(xiàng)重大投資，支持在德國(guó)恩斯多夫建設(shè)世界上最大和最先進(jìn)的200毫米碳化硅晶圓工廠(chǎng)。

據(jù)悉，計(jì)劃位于薩爾州恩斯多夫的8英寸SiC晶圓廠(chǎng)由Wolfspee主導(dǎo)建設(shè)，預(yù)計(jì)耗資約27.5億歐元（約合人民幣215億），目前已獲得德國(guó)聯(lián)邦政府3.6億歐元（約合人民幣28億）及薩爾州政府1.55億歐元（約合人民幣12億）的補(bǔ)貼。Wolfspeed還在申請(qǐng)《歐洲芯片法案》的資金援助。采埃孚將給Wolfspeed提供數(shù)億美元的財(cái)務(wù)投資，以換取該工廠(chǎng)的少數(shù)股份。

消息人士透露，Wolfspeed希望在奠基儀式前獲得更多資金，如果無(wú)法從該法案中獲得援助，該項(xiàng)目極有可能會(huì)延遲。該工廠(chǎng)原計(jì)劃于2024年夏季開(kāi)始建設(shè)，但據(jù)Wolfspeed首席執(zhí)行官Gregg Lowe透露，如今可能要到2025年才會(huì)啟動(dòng)建設(shè)。