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PCRAM 又稱 PCM、OUM(Ovonic UnifiedMemory)和 CRAM(Chalcogenide Random AccessMemory),是一種利用相變材料(一種或多種硫系化合物薄膜)作為存儲介質(zhì),通過相變材料在電流的焦耳熱作用下,在結(jié)晶相態(tài)(crystalline)和非晶相態(tài)(amorphous)之間快速并可逆的轉(zhuǎn)換時,會呈現(xiàn)出的不同電阻率這一特性來實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲的 NVM 技術(shù)。
PCRAM 又稱 PCM、OUM(Ovonic UnifiedMemory)和 CRAM(Chalcogenide Random AccessMemory),是一種利用相變材料(一種或多種硫系化合物薄膜)作為存儲介質(zhì),通過相變材料在電流的焦耳熱作用下,在結(jié)晶相態(tài)(crystalline)和非晶相態(tài)(amorphous)之間快速并可逆的轉(zhuǎn)換時,會呈現(xiàn)出的不同電阻率這一特性來實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲的 NVM 技術(shù)。收起
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