加入星計劃,您可以享受以下權益:

  • 創(chuàng)作內(nèi)容快速變現(xiàn)
  • 行業(yè)影響力擴散
  • 作品版權保護
  • 300W+ 專業(yè)用戶
  • 1.5W+ 優(yōu)質(zhì)創(chuàng)作者
  • 5000+ 長期合作伙伴
立即加入

DrMOS

加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點資訊討論

DrMos技術屬于Intel在04年推出的服務器主板節(jié)能技術,三合一封裝的DrMOS面積是分離MOSFET的1/4,功率密度是分離MOSFET的3倍,增加了超電壓和超頻的潛力。應用DrMOS的主板能擁有節(jié)能、高效能超頻、低溫等特色。

DrMos技術屬于Intel在04年推出的服務器主板節(jié)能技術,三合一封裝的DrMOS面積是分離MOSFET的1/4,功率密度是分離MOSFET的3倍,增加了超電壓和超頻的潛力。應用DrMOS的主板能擁有節(jié)能、高效能超頻、低溫等特色。收起

查看更多
暫無相關內(nèi)容,為您推薦以下內(nèi)容

正在努力加載...