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DrMos技術屬于Intel在04年推出的服務器主板節(jié)能技術,三合一封裝的DrMOS面積是分離MOSFET的1/4,功率密度是分離MOSFET的3倍,增加了超電壓和超頻的潛力。應用DrMOS的主板能擁有節(jié)能、高效能超頻、低溫等特色。
DrMos技術屬于Intel在04年推出的服務器主板節(jié)能技術,三合一封裝的DrMOS面積是分離MOSFET的1/4,功率密度是分離MOSFET的3倍,增加了超電壓和超頻的潛力。應用DrMOS的主板能擁有節(jié)能、高效能超頻、低溫等特色。收起
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