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DDR

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ddr是一個(gè)內(nèi)存名稱，意思即雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器，是內(nèi)存的其中一種。 ddr，Data Direction Register的簡稱，是一種數(shù)據(jù)方向寄存器，用來設(shè)置端口的方向。

ddr是一個(gè)內(nèi)存名稱，意思即雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器，是內(nèi)存的其中一種。 ddr，Data Direction Register的簡稱，是一種數(shù)據(jù)方向寄存器，用來設(shè)置端口的方向。收起

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  • 存儲巨頭縮減生產(chǎn)比重，DDR4或?qū)⑼顺鰵v史舞臺
    存儲巨頭縮減生產(chǎn)比重，DDR4或?qū)⑼顺鰵v史舞臺
    作為電腦系統(tǒng)的重要硬件，內(nèi)存是計(jì)算機(jī)中用于暫時(shí)存儲數(shù)據(jù)和指令的部件，它直接與CPU相連，是CPU進(jìn)行數(shù)據(jù)交換的橋梁。內(nèi)存的速度和容量對計(jì)算機(jī)的整體性能有著直接的影響。作為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中至關(guān)重要的組成部分，內(nèi)存承擔(dān)著數(shù)據(jù)存儲與快速讀取的重任。從最早的DRAM到如今的DDR4乃至即將面世的DDR5，內(nèi)存技術(shù)不斷演進(jìn)，每一次的技術(shù)革新都伴隨著性能的提升和應(yīng)用范圍的拓寬。
  • 【PSIJ測試應(yīng)用方案】探索PSIJ之謎—由電源引起的高速信號抖動
    【PSIJ測試應(yīng)用方案】探索PSIJ之謎—由電源引起的高速信號抖動
    PSIJ，那是一場無聲的風(fēng)暴 在高速信號傳輸?shù)氖澜缋?，每一個(gè)細(xì)微的“波動”都可能引發(fā)巨大的影響。而如今，一個(gè)隱匿的“殺手”正悄然威脅著高速信號的穩(wěn)定性——那就是電源引起的高速信號抖動PSIJ（Power Supply Induced Jitter）。這個(gè)看似陌生的術(shù)語，卻在電子領(lǐng)域掀起了一場無聲的風(fēng)暴。當(dāng)高速信號供電電源受到挑戰(zhàn)，高速信號便如同在波濤洶涌的大海中航行的船只，搖擺不定，失去了精準(zhǔn)的方
  • Bourns 推出符合 AEC-Q200 標(biāo)準(zhǔn)車規(guī)級薄膜片狀電阻
    Bourns 推出符合 AEC-Q200 標(biāo)準(zhǔn)車規(guī)級薄膜片狀電阻
    Bourns? CRT-A 系列滿足了汽車、手機(jī)、SD卡、DDR內(nèi)存和相機(jī)模塊等應(yīng)用需求對小型、高精度電阻的日益增長。 美國柏恩 Bourns 全球知名電源、保護(hù)和傳感解決方案電子組件領(lǐng)導(dǎo)制造供貨商，全新推出符合 AEC-Q200 標(biāo)準(zhǔn)的車規(guī)級薄膜片狀電阻系列。Bourns? CRT-A系列相較于傳統(tǒng)的通孔型電阻，提供更高的電阻公差精度和溫度系數(shù) (TCR)。該系列不僅強(qiáng)化了信號質(zhì)量，還采用表貼式
  • 信號匹配的等長與等時(shí)
    信號匹配的等長與等時(shí)
    在產(chǎn)品的設(shè)計(jì)過程中，等長匹配是需要關(guān)注的一項(xiàng)工作。串行信號常見的規(guī)則為+/-5mil，有的資料會給出＜1ps的匹配要求。并行信號的規(guī)則就比較復(fù)雜一點(diǎn)。下面以常見的DDR為例，來進(jìn)行相關(guān)的說明。
  • HBM革新浪潮下，AMD加速卡定義內(nèi)存與計(jì)算融合新方向
    在AMD Alveo V80加速卡中，Versal HBM 自適應(yīng) SoC 的支持是一大亮點(diǎn)。Alveo V80作為一個(gè)網(wǎng)絡(luò)附接的加速器卡，可以和存儲驅(qū)動器連接，應(yīng)對非常廣泛的工作負(fù)載和需求。
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    06/17 07:48
  • NUC980_NuWriter 燒寫或者重啟報(bào)錯(cuò)Err-DDR
    在調(diào)試新唐的nuc980時(shí)，遇到一個(gè)問題，燒寫或者重啟時(shí)，有時(shí)會出現(xiàn)內(nèi)存錯(cuò)誤：Err-DDR 這個(gè)問題在網(wǎng)上查到的信息不多，有一篇Issues在新唐的官方github上面：?NUC980_NuWriter 燒寫報(bào)錯(cuò)Err-DDR · Issue #6 · OpenNuvoton/NUC980_NuWriter · GitHub[1]?從上面的討論中可以看出來可能是電源芯片的時(shí)序不匹配問題。
  • 賽昉基于RISC-V的JH-7110智能視覺處理平臺采用了芯原的顯示處理器IP
    賽昉基于RISC-V的JH-7110智能視覺處理平臺采用了芯原的顯示處理器IP
    芯原可擴(kuò)展且靈活的DC8200 IP可提供顯示設(shè)備自適應(yīng)能力和高質(zhì)量顯示效果，賦能沉浸式視覺體驗(yàn) 芯原股份（芯原，股票代碼：688521.SH）今日宣布賽昉科技（簡稱“賽昉”）基于RISC-V架構(gòu)的量產(chǎn)SoC昉·驚鴻-7110（JH-7110）采用了芯原的顯示處理器IP DC8200。該SoC具有高性能、低功耗和高安全性的特點(diǎn)，為云計(jì)算、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)附加存儲（NAS）、平板電腦、人機(jī)界面（HMI
  • 2024年，存儲新技術(shù)DDR、HBM等大放異彩！
    2024年，存儲新技術(shù)DDR、HBM等大放異彩！
    邁過2023年的經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)行業(yè)下行周期，2024年存儲市場起勢，存儲芯片價(jià)格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求，存儲新技術(shù)革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技術(shù)在2024年迎來放量周期；HBM加速邁進(jìn)，HBM3/HBM3e持續(xù)突破，有望帶動存儲市場迸發(fā)新的活力。
  • 服務(wù)器（DDR電源）
    MPS的控制器和穩(wěn)壓器以效率為先，同時(shí)保持較低的整體系統(tǒng)成本；其散熱管理專為高密度、高耗電的服務(wù)器而開發(fā)，能夠節(jié)省能源并優(yōu)化輸出。MPS專有的Intelli-PhaseTM技術(shù)可維持并提高每個(gè)新設(shè)計(jì)的性能。這些可擴(kuò)展的解決方案還提供了熱插拔功能和先進(jìn)的FET技術(shù)，可幫助簡化設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)節(jié)省空間的封裝。
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    01/22 09:37
  • DDR終端匹配電阻的長度多少合適？
    DDR終端匹配電阻的長度多少合適？
    上次我們對不加端接電阻和加端接電阻之后的仿真結(jié)果做了分析之后我們得出在DDR采用菊花鏈拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的時(shí)候是需要加端接電阻的，這次我們看看DDR末端的端接電阻距離最后一片DDR遠(yuǎn)一點(diǎn)效果好一些還是近一點(diǎn)效果好一些。本次采用的案例依舊是我們上期的DDR3一拖八正反貼菊花鏈拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
    3229
    2023/12/28
  • DDR拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的詳細(xì)解析
    DDR拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的詳細(xì)解析
    在進(jìn)行多片DDR設(shè)計(jì)的時(shí)候，通常DDR會存在拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，下面我們將詳細(xì)介紹一下各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的區(qū)別以以及應(yīng)用場景。首先我們先介紹一下，當(dāng)只存在一片DDR的時(shí)候通常是采用點(diǎn)對點(diǎn)的連接方式，點(diǎn)對點(diǎn)的布線方式優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡單，阻抗以及時(shí)序容易控制，適合高速率雙向傳輸。
  • DDR加終端匹配電阻和不加信號質(zhì)量的區(qū)別
    DDR加終端匹配電阻和不加信號質(zhì)量的區(qū)別
    DDR采用菊花鏈拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)時(shí)，由于信號傳輸線較長通常需要在DDR末端加上終端匹配電阻，端接的方式有很多，但是都是為了解決信號的反射問題，通常為了消除信號的反射可以在信號的源端或者終端進(jìn)行解決，在源端處消除反射是采用電阻串聯(lián)的方式，在終端處消除反射是采用電阻并聯(lián)的方式（還有很多種端接），今天我們一起來看一下在采用菊花鏈拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)時(shí)，末端加匹配電阻和不加匹配電阻時(shí)信號的質(zhì)量有多大的區(qū)別。
    2132
    2023/12/25
  • DDR模塊電路的PCB設(shè)計(jì)建議
    DDR模塊電路的PCB設(shè)計(jì)建議
    RK3588 DDR 控制器接口支持 JEDEC SDRAM 標(biāo)準(zhǔn)接口，原理電路16位數(shù)據(jù)信號如圖8-1所示，地址、控制信號如圖8-2所示，電源信號如圖8-3所示。電路控制器有如下特點(diǎn)：
  • Hailo AI視覺處理器采用芯原ISP和VPU，賦能智慧監(jiān)控?cái)z像頭
    Hailo AI視覺處理器采用芯原ISP和VPU，賦能智慧監(jiān)控?cái)z像頭
    芯原股份（芯原，股票代碼：688521.SH）今日宣布以色列人工智能（AI）芯片制造商Hailo在其Hailo-15?高性能AI視覺處理器產(chǎn)品系列中，采用了芯原的圖像信號處理器（ISP）IP ISP8000L-FS和視頻處理器（VPU）IP VC8000E。這兩款被采用的IP使Hailo創(chuàng)新的AI解決方案能夠在廣泛的應(yīng)用中得到高效的實(shí)施部署，并縮短相關(guān)上市時(shí)間和降低工程成本。
  • AI時(shí)代，服務(wù)器內(nèi)存轉(zhuǎn)向GDDR
    AI時(shí)代，不斷增長的服務(wù)器芯片算力，激發(fā)了對內(nèi)存性能的全新需求。GDDR內(nèi)存正逐步成為CPU+GPU架構(gòu)服務(wù)器的新寵。 ChatGPT出現(xiàn)后，科技巨頭紛紛下注AI，不同領(lǐng)域的AI大模型你方唱罷我登場。在AI狂歡的背后，服務(wù)器芯片算力與通信需求也在不斷攀升。然而以CPU為主的串行處理架構(gòu)已經(jīng)不能滿足 AI 時(shí)代的算力需求，CPU+GPU架構(gòu)的服務(wù)器占有率正逐步提高。不過，在算力向前狂奔時(shí)，“內(nèi)存墻”
  • Rambus GDDR6 PHY 賦能AI服務(wù)器
    內(nèi)存，對于裝機(jī)愛好者來說已經(jīng)再熟悉不過了。它是計(jì)算機(jī)的重要部件，用于暫時(shí)存放CPU中的運(yùn)算數(shù)據(jù)，以及與硬盤等外部存儲器交換的數(shù)據(jù)。簡單來說，內(nèi)存就是CPU的“草稿紙”，負(fù)責(zé)將CPU這個(gè)大腦暫時(shí)用不到的數(shù)據(jù)存放起來，以備隨時(shí)取用。這種將數(shù)據(jù)放在CPU外暫存的結(jié)構(gòu)被稱為“馮·諾依曼結(jié)構(gòu)”。即使將CPU升級為服務(wù)器級別，其數(shù)據(jù)交換方式仍舊是這樣。 不過，隨著AI時(shí)代來臨，服務(wù)器核心的算力越來越高，它與內(nèi)
  • 芯和半導(dǎo)體在DesignCon2023大會上發(fā)布新品Notus，并升級高速數(shù)字解決方案
    芯和半導(dǎo)體在近日舉行的DesignCon 2023大會上正式發(fā)布了針對封裝及板級的信號完整性、電源完整分析和熱分析的全新EDA平臺Notus。本屆DesignCon大會在美國加州的圣克拉拉會展中心舉辦，從1月31日到2月2日，為期三天。 Notus平臺基于芯和半導(dǎo)體強(qiáng)大的電磁場和多物理仿真引擎技術(shù)，為設(shè)計(jì)師提供了一種更加高效且自動的方式，滿足在信號完整性、電源完整性和熱分析方面的設(shè)計(jì)需求。Notu
  • 接口IP：值得重視的新力量
    從集成電路產(chǎn)業(yè)構(gòu)成來看，IP屬于底層技術(shù)，非常關(guān)鍵。值得一提的是，通常留給設(shè)計(jì)者完成熱門IC設(shè)計(jì)的周期一般只有3個(gè)月，但I(xiàn)C的復(fù)雜度以每年55%的速率遞增，設(shè)計(jì)能力每年僅提高21%，因此，IP的復(fù)用可以大大節(jié)約時(shí)間。 數(shù)據(jù)顯示，去年全球50億美元的IP銷售額帶動了5000億美元的全球半導(dǎo)體銷售額，換言之每1美元的IP支出能夠帶動和支撐100倍價(jià)值的芯片市場。從市場價(jià)值來看，IP的全球市場規(guī)模約為5
  • 芯動科技高性能計(jì)算“三件套”IP解決方案行業(yè)領(lǐng)先，滿足新一代SoC帶寬需求
    云服務(wù)、高性能計(jì)算等高端芯片都離不開底層IP的加持，其中尤以DDR技術(shù)、Chiplet、高速 SerDes為重中之重。面向HPC常用的CPU/GPU/DPU/NPU等高算力SoC場景，芯動科技推出以高性能計(jì)算“三件套”為核心的共性IP平臺。
  • 這場DRAM技術(shù)困局誰來破？
    據(jù)全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計(jì)，由DRAM與NAND Flash所主導(dǎo)的傳統(tǒng)存儲市場規(guī)模已超過1600億美元，其中最大的內(nèi)存細(xì)分市場DRAM，正逼近當(dāng)前技術(shù)材料和工藝使用的基本物理極限。

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