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硅芯片

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  • 氮化鎵芯片和硅芯片有什么區(qū)別?有什么優(yōu)勢(shì)?
    氮化鎵芯片是目前世界上速度最快的電源開關(guān)器件之一。氮化鎵本身就是第三代材料,很多特性都強(qiáng)于傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體。與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體相比,氮化鎵具有更好的擊穿能力、更高的密度和電子遷移率以及更高的工作溫度。可以帶來(lái)低損耗和高開關(guān)頻率:低損耗可以減少導(dǎo)通電阻引起的熱量,高開關(guān)頻率可以減小變壓器的體積并有助于減小充電器的體積和重量。同時(shí),GaN具有更小的Qg,可以很容易地提高頻率,降低驅(qū)動(dòng)損耗。
  • 氮化鎵芯片未來(lái)會(huì)取代硅芯片嗎?
    氮化鎵?(GaN)?可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面?AC-DC?電源。Keep Tops?氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí),GaN?比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小的尺寸和更輕的重量。 傳統(tǒng)硅晶體管有兩種類型的損耗:傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗。 功率晶體管是開關(guān)電源中功率損耗的主要原因。 為了遏制這些損失,GaN?晶體管(取代舊的硅技術(shù))的開發(fā)已引起電力電子行業(yè)的關(guān)注。
  • 2nm,硅芯片終極之戰(zhàn)?
    盡管絕大部分半導(dǎo)體市場(chǎng)都被成熟制程占據(jù),多數(shù)應(yīng)用領(lǐng)域并不需要用到更先進(jìn)的2nm制程,但各企業(yè)還是競(jìng)相追逐,甚至近日傳出日美兩大半導(dǎo)體大國(guó)要聯(lián)合研發(fā)2nm芯片的消息?!?nm現(xiàn)象”,值得深思。
  • 泛林硅部件推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展
    為了制造我們?nèi)粘J褂玫闹悄苁謾C(jī)、筆記本電腦等各種功能日新月異的電子設(shè)備,如今芯片制造商越來(lái)越需要采用極高深寬比的刻蝕工藝來(lái)生產(chǎn)3D閃存和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)芯片。
  • 英媒:英國(guó)政府或叫停安世收購(gòu)NWF案
    據(jù)英國(guó)《衛(wèi)報(bào)》7月27日?qǐng)?bào)道,被約翰遜聘請(qǐng)為英國(guó)脫歐后貿(mào)易顧問(wèn)的澳大利亞前總理托尼?阿博特(Tony Abbott)表示,他對(duì)安世半導(dǎo)體收購(gòu)NWF案啟動(dòng)審查感到鼓舞,并表示這意味著該起收購(gòu)可能會(huì)暫停。
  • 處理器史話 | 摩爾定律失效后,硅芯片將何去何從?
    眾所周知,微處理器(CPU)在現(xiàn)代計(jì)算設(shè)備里是核心,是大腦,但是對(duì)于大多人來(lái)說(shuō),CPU只不過(guò)就是一個(gè)名詞、一個(gè)符號(hào)或者代表著某一項(xiàng)參數(shù),是名副其實(shí)的“幕后”英雄。雖然在本文中陸續(xù)展示了點(diǎn)滴的代表性產(chǎn)品、與之相關(guān)的重要人物及其事跡,但是更多的無(wú)名英雄,依舊是很少被人認(rèn)知贊美的。
  • 氮化鎵芯片和硅芯片有什么區(qū)別和優(yōu)勢(shì)
    隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展,氮化鎵芯片作為一種新興材料在電子行業(yè)中逐漸嶄露頭角。相比傳統(tǒng)的硅芯片,氮化鎵芯片具有獨(dú)特的特性和優(yōu)勢(shì),逐漸受到廣泛關(guān)注和應(yīng)用。

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